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发明专利:97实用新型: 5外观设计: 0
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申请号:202480050404.3 公开号:CN121666249A 主分类号:A61L27/52
申请人:首尔市立大学的产学协力团 申请日:2024.08.02 公开日:2026.03.13
发明人:李钟范;韩相祐
摘要:本发明涉及用于组织再生的RNA水凝胶,更具体地说,是一种能够提供增强的细胞增殖效果和抗炎效果,通过伤口愈合再生组织,能够有效递送至细胞,不含核酸以外的额外化学成分,从而确保安全性,可在体内无毒地传递大量物质,并克服由于血浆中各种酶而易分解的现有核酸药物的缺点,同时通过细胞代谢大量生成腺苷的RNA水凝胶。
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申请号:201780017102.6 公开号:CN108780737A 主分类号:H01L21/02(2006.01)I
申请人:德山株式会社 申请日:2017.03.14 公开日:2018.11.09
摘要:本发明涉及一种高纯度吡啶的生产方法,尤其涉及一种包括:预处理步骤,向包含吡嗪和吡啶的吡啶混合物添加包含碱金属的氨基化合物进行反应;以及,蒸馏步骤,在上述预处理步骤之后对吡啶混合物进行蒸馏;从而能够获得可适用于电子材料的高纯度吡啶的电子材料用高纯度吡啶的生产方法。
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3:[发明] DC-DC转换器
申请号:202510051228.1 公开号:CN120896436A 主分类号:H02M3/00
申请人:三星电子株式会社 申请日:2025.01.13 公开日:2025.11.04
摘要:一种DC‑DC转换器,所述DC即直流,其包括:电压转换电路,其包括电感器和输出电容器,并且转换输入电压以产生输出电压;电流检测电路,其在激励电感器电流流过电感器的接通时间期间检测电感器电流并生成感测电流;脉冲跳跃参考电压生成电路,其使用感测电流生成感测电压和脉冲跳跃参考电压;以及控制电路,其使用感测电压、脉冲跳跃参考电压和与输出电压成比例的反馈电压来确定是否要跳过电压转换电路的脉冲并控制接通时间,其中,脉冲跳跃参考电压生成电路通过在参考接通时间期间对感测电压进行采样来生成脉冲跳跃参考电压。
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申请号:200480001494.X 公开号:CN1751112 主分类号:C09K19/56(2006.01)I
申请人:第一毛织株式会社 申请日:2004.10.08 公开日:2006.03.22
摘要:在这里公开了一种新型的具有树枝状侧链的二胺化合物以及使用该二胺化合物生产的液晶取向材料。具体地,该二胺化合物被用来制备一种聚酰胺酸,然后该聚酰胺酸被用来制备该液晶取向材料。按照该液晶取向材料,液晶的预倾角容易控制,液晶的取向性能优良。具体地,由于该液晶取向材料对在LCD板制造过程中使用的清洗溶剂表现出优良的耐化学性能,其具有甚至在清洗后液晶的取向性能也不会降低的优点。
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申请号:201310369694.1 公开号:CN103715354A 主分类号:H01L45/00(2006.01)I
申请人:爱思开海力士有限公司 申请日:2013.08.22 公开日:2014.04.09
摘要:一种阻变存储器件,包括:第一电极层、第二电极层以及第一可变电阻层和第二可变电阻层,所述第一可变电阻层和第二可变电阻层在第一电极层和第二电极层之间层叠至少一次。第一可变电阻材料层可以包括具有电阻率高于第一电极层或第二电极层并且小于或等于绝缘材料的金属氮化物层。
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申请号:201780002399.9 公开号:CN107851585A 主分类号:H01L21/465(2006.01)I
申请人:株式会社LG化学 申请日:2017.03.28 公开日:2018.03.27
摘要:本发明涉及一种使用电场吸附方案去除异物的系统和方法,该系统和方法在去除膜表面上的异物的处理过程中,能够通过使用微电流(数微安)电压驱动方法的电场吸附方案,而不是诸如等离子体放电处理、电晕放电处理和空气吹风处理等的对膜的表面造成损坏的表面处理方法,来容易地吸附并去除膜表面上的异物的,并且特别地,该系统和方法排除高压放电处理等,从而降低了操作者的安全事故的发生率,并且防止了膜的表面被划伤。
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申请号:202411056638.7 公开号:CN120199188A 主分类号:G09G3/3208
申请人:乐金显示有限公司 申请日:2024.08.02 公开日:2025.06.24
摘要:本发明涉及伽马电压产生电路和包括伽马电压产生电路的显示设备。伽马电压产生电路包括:多个抽头节点;多个电阻器串,所述多个电阻器串连接在所述多个抽头节点中的两个抽头节点之间;以及多个伽马缓冲器,所述多个伽马缓冲器被配置为基于所述多个电阻器串的分压结果生成多个抽头伽马电压以输出到所述多个抽头节点,其中,所述多个电阻器串中的每一个电阻器串都包括联接到第一灰度级的抽头伽马输出的第一连接部分和联接到低于所述第一灰度级的第二灰度级的抽头伽马输出的第二连接部分,并且所述多个电阻器串的所述第二连接部分被分布并连接到两个或更多个伽马缓冲器的输出端。
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申请号:201110036452.1 公开号:CN102169825A 主分类号:H01L21/02(2006.01)I
申请人:三星电子株式会社 申请日:2011.02.10 公开日:2011.08.31
摘要:本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法,所述方法包括以下步骤:提供可图案化层;在可图案化层上形成多个第一光致抗蚀剂层图案;在可图案化层和多个第一光致抗蚀层图案上形成界面层;在界面层上形成平坦化层;在平坦化层上形成多个第二光致抗蚀剂层图案;利用多个第二光致抗蚀剂层图案形成多个平坦化层图案;利用多个平坦化层图案和多个第一光致抗蚀剂层图案形成多个层图案。
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申请号:202080003642.0 公开号:CN112352414A 主分类号:H04M1/02
申请人:三星电子株式会社 申请日:2020.05.04 公开日:2021.02.09
摘要:提供了一种电子装置。该电子装置包括前盖、后盖、阵列天线和支撑构件。支撑构件包括:导电的第一部分,形成电子装置的侧外观;第二部分,与阵列天线、前盖和导电的第一部分相邻,并具有填充有非导电材料的至少一个开口;以及第三部分,包括非导电材料,并与阵列天线、后盖和导电的第一部分相邻设置。导电的第一部分暴露于电子装置的外部,第二部分和第三部分被前盖和后盖隐藏。由阵列天线形成的波束通过所述至少一个开口和第三部分辐射到外部。
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申请号:202310531749.8 公开号:CN116828092A 主分类号:H04M1/02
申请人:三星电子株式会社 申请日:2020.05.04 公开日:2023.09.29
摘要:提供了一种电子装置。该电子装置包括前盖、后盖、阵列天线和支撑构件。支撑构件包括:导电的第一部分,形成电子装置的侧外观;第二部分,与阵列天线、前盖和导电的第一部分相邻,并具有填充有非导电材料的至少一个开口;以及第三部分,包括非导电材料,并与阵列天线、后盖和导电的第一部分相邻设置。导电的第一部分暴露于电子装置的外部,第二部分和第三部分被前盖和后盖隐藏。由阵列天线形成的波束通过所述至少一个开口和第三部分辐射到外部。
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申请号:202310531749.8 公开号:CN116828092A 主分类号:H04M1/02
申请人:三星电子株式会社 申请日:2020.05.04 公开日:2023.09.29
摘要:提供了一种电子装置。该电子装置包括前盖、后盖、阵列天线和支撑构件。支撑构件包括:导电的第一部分,形成电子装置的侧外观;第二部分,与阵列天线、前盖和导电的第一部分相邻,并具有填充有非导电材料的至少一个开口;以及第三部分,包括非导电材料,并与阵列天线、后盖和导电的第一部分相邻设置。导电的第一部分暴露于电子装置的外部,第二部分和第三部分被前盖和后盖隐藏。由阵列天线形成的波束通过所述至少一个开口和第三部分辐射到外部。
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