摘要：本发明涉及一种晶片载具，用以承载一晶片，其包含有一透明基座与一导电层。透明基座的尺寸与晶片的尺寸相近，并利用一接合层接合晶片，而导电层的材质则为透明导电材质并可被一静电夹盘吸附，藉此静电夹盘可将晶片传输至各设备。

摘要：本发明公开了一种蚀刻具不同深宽比的孔洞的方法。首先于一衬底的下表面形成一蚀刻停止层，并于该衬底的上表面形成一掩模图案。该掩模图案包含有多个牺牲块图案分别位于一第一孔洞预定区域与一第二孔洞预定区域上。随后进行一蚀刻工艺，蚀刻未被该掩模图案遮蔽的该衬底直至该蚀刻停止层。最后移除该蚀刻停止层，并且一并移除该些牺牲块图案遮蔽的该衬底。

摘要：一种双面蚀刻晶片的方法，首先，提供一晶片，该晶片包括至少一旋转轴区与至少二穿透区，且该二穿透区位于该旋转轴区的二侧。接着由该晶片的一底表面去除部分位于该旋转轴区的该晶片。随后将该晶片的底表面利用一粘着层粘贴于一负载载具上，并由该晶片的上表面去除位于该二穿透区的该晶片直至穿透该晶片。

摘要：本发明提供一种晶片切割方法。首先提供一器件晶片，且该器件晶片由下而上依序包含有一衬底层与一器件层。随后利用第一掩模图案去除未被该第一掩模图案保护的该器件层。接着在该器件层的表面形成一中间层，并将该中间层的表面贴附于一承载晶片上。接着利用一第二掩模图案去除未被该第二掩模图案保护的该衬底层。最后将该中间层与该承载晶片分离，并将该衬底层贴附于一扩张膜上，同时去除该中间层。

摘要：一种整合式晶片封装结构，包含一芯片，至少一个被动元件，一介面层，一绝缘层，至少一连接线，一内部连接垫以及一保护层。该芯片包含一表面连接垫、一内部连接垫以及一电路元件，该被动元件形成于所述芯片的一侧，所述介面层增加所述被动元件与该芯片间结合力，该绝缘层覆盖该芯片的另一侧部分表面，所述连接线覆盖所述绝缘层部分表面以及该内部连接垫，用以与所述内部连接垫电连接，所述保护层用以提供所述芯片保护。

摘要：首先，提供一晶片，且该晶片包括一正面与一背面。接着提供一承载晶片，并利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合。随后进行一晶片薄化工艺，自该晶片的该正面薄化该晶片。最后去除该接合媒介以分离该晶片与该承载晶片。

摘要：本发明公开了一种进行双面工艺的方法。首先，提供一晶片，且该晶片的正面包含有一结构图案。接着在该结构图案上界定多条正面切割道，再在该等正面切割道内填入一填充层。随后利用一黏着层将该结构图案与一承载晶片接合，并在该晶片的背面界定多条背面切割道。最后移除所述正面切割道内的填充层。

摘要：提供晶片，并在该晶片的正面形成正面切割道图案。接着在该晶片的背面形成对应于该正面切割道图案的背面切割道图案。随后将该晶片贴附于可扩张膜上，并进行裂片工艺，利用拉撑该可扩张膜以使该晶片断裂而形成多个管芯。

摘要：本发明提供一种具有被动元件的连接模块构造及其制造方法，所述连接模块包含一基板、一连接线布局、至少一被动元件以及至少一芯片置放区，其中所述连接线布局形成于所述基板上，所述被动元件形成于所述连接线布局上，与所述连接线布局电连接，所述芯片放置区形成于所述基板上，与所述连接线布局位于基板上的不同区域，其中所述被动元件的尺寸可进行调整以产生所述连接模块所需的阻值，所述芯片置放区的连接电路、数量以及分布位置可根据需求动态调整，使得所述模块的尺寸得以缩小。

摘要：本发明公开了一种制作压力传感器的方法。所述方法包括提供一硅覆绝缘晶片，其包含有一单晶硅层、一绝缘层与一硅基材料层，且单晶硅层包含有一压力敏感元件。去除对应于压力敏感元件的硅基材料层与绝缘层，以形成一腔体。提供一接合基底，并利用一接合层接合硅基材料层与接合基底。