摘要：本发明属于空间信息技术领域，具体涉及一种面向连续值变量基于线性回归的快速多点模拟方法，主要解决了现有直接抽样多点模拟方法对使用连续值变量描述的复杂结构地物进行模拟时运算效率低下的问题。本发明首先在目标规则格网的基础上使用一定比例的随机格网单元构建一个较粗的模拟层。接下来，根据训练图像在这个较粗的模拟层上使用直接抽样进行模拟。然后，根据训练图像分别对不同邻近关系使用回归模型进行建模。最后，对所有其他需要模拟的网格单元，对于其每个近邻对象，使用训练好的模型进行估值，并取所有值的平均作为该网格单元的值。本发明的优点在于无需大量模拟即可根据少量样本点快速有效的得到目标区域各类地物逐像元的概率分布。

摘要：本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种面向复杂场景基于浅层特征增强的小目标检测方法，主要解决了现有检测方法识别小目标困难、模型复杂度高等问题。本发明首先将注意力模块直接添加到主干网络输出层的后面，用来过滤冗余信息并选择具有代表性的原始浅层特征。接下来，利用跨级部分连接的思想减轻了模型的计算负担。然后，在特征融合部分使用浅层特征检测头代替深层特征检测头，提取更多浅层特征的同时减少了模型的参数量。最后，在训练阶段使用SIoU损失函数加快模型的收敛速度。本发明的优点在于不增加原模型参数量的情况下就能提高其对小目标的检测精度。

摘要：本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种基于参数轻量级动态聚合策略的小目标检测方法，主要解决了现有检测方法识别小目标困难、模型复杂度高等问题。首先，通过删除骨干网络中最高层级的特征来移除与小目标检测关联不大的深层语义特征；其次，通过自动确定目标数据集中小目标的占比来优化SPPF模块中所需池化层的数量；最后，在模型的FPN部分融入更多低层级的特征。作为一种利用较少参数设计检测器的高效策略，本发明可以与大多数基于卷积神经网络的检测器相结合。本发明的优点在于大幅减少原模型参数量的情况下提高其对小目标的检测精度。

摘要：本发明属于计算机视觉技术领域，具体涉及一种基于空间语义图Transformer的三维小目标检测方法，主要解决了现有检测方法识别三维小目标困难、模型复杂度高等问题。本发明将空间语义信息引入基于体素的三维目标检测器。具体而言，将每个候选框视为图中的一个节点，并利用其与邻居之间的关系构建连接该节点与邻居的边。节点嵌入显式编码语义分数与关键几何特征；边嵌入量化与邻居的空间关系，如距离、方向与相对尺度。随后，通过边感知的图Transformer层聚合这些特征，并动态重加权邻居贡献，从而有效细化语义分数。本发明的优点在于几乎不增加计算量的情况下就能提高其对三维小目标的检测精度。

摘要：一种自动切管装置，用于切割管材，该自动切管装置包括：来料机构，用于传送管材；切料机构，设置在来料机构的下游方向用于调整管材的位置并对管材进行切割，该切料机构包括送管装置、设置在送管装置两侧的支撑装置，以及设置在送管装置上方的压管装置和切管刀，其中支撑装置、压管装置和切管刀均能相对送管装置移动；以及出料机构，设置在切料机构的下游方向用于传送切料机构切割后的管材。该自动切管装置从进料、固定、切割到出料均可形成自动化较高的操作，因此可与自动生产线配套，满足现代制造业的自动化需求。

摘要：本发明揭示了一种磁传感装置及其磁感应方法、制备工艺，所述装置包括第三方向（Z轴）磁传感部件，该第三方向磁传感部件包括基底、导磁单元、感应单元。基底的表面开有沟槽；导磁单元包括分别设置于沟槽的两侧的第一导磁部分、第二导磁部分；第一导磁部分、第二导磁部分的主体部分设置于沟槽内；第一导磁部分或第二导磁部分用以收集第三方向的磁场信号，并将该磁场信号输出；感应单元用以接收导磁单元输出的第三方向的磁信号，并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向。本发明可将X轴、Y轴、Z轴的感应器件设置在同一个圆晶或芯片上，具有良好的可制造性、优异的性能和明显的价格竞争力；并可提高制备效率，改善基底表面的状况。

摘要：本发明揭示了一种氮化钽干法刻蚀后的清洁方法，所述清洁方法包括如下步骤：将刻蚀后的器件放入有各向同性刻蚀功能的腔室中；向该腔室中通入清洁气体，清洁气体包括氧气和含氟F或/和氯Cl或/和溴Br的气体，含氟F或/和氯Cl或/和溴Br的气体的含量为清洁气体的0.5～50%；控制所述腔室的温度在70℃～250℃，控制所述腔室的压力在0.5～3Torr；用等离子体对基底进行反应刻蚀，去除基底表面和侧壁的含有钽的聚合物。本发明提出的氮化钽干法刻蚀后的清洁方法，可代替湿法清洁，工艺简单、时间短，工艺成本低，提高了生产效率。

摘要：本发明揭示了一种氮化钽反应离子刻蚀方法，所述刻蚀方法包括如下步骤：步骤S1、将带有氮化钽膜的基片放入电感耦合反应离子刻蚀机台的反应腔室中；步骤S2、向反应腔室中通入刻蚀气体；主要刻蚀气体为含有氟F或/和氯Cl或/和溴Br的气体，辅助刻蚀气体包括氧气、氩气、氮气的一种或多种；主要刻蚀气体流量为10～300sccm；辅助刻蚀气体总流量为10～2000sccm；反应腔室的温度控制在0℃～65℃；反应腔室的压力控制在10～300mTorr；步骤S3、用低偏置功率20～50瓦对硅片进行刻蚀。本发明可以最大程度的减少氮化钽刻蚀过程中产生副产品钽的聚合物，降低了后续清洁的难度。

摘要：本发明揭示了一种提高第三轴感应能力的磁传感器及其制备工艺，制备工艺包括：在基底上形成沟槽阵列；沉积第一磁性材料；沉积第一介质材料；沉积第二介质材料；通过光刻工艺，形成磁传感单元图形；沉积第三介质材料，形成第三介质材料层，沟槽被部分填充；沉积第二磁性材料，形成第二磁性材料层；通过刻蚀工艺回刻平面上的部分或全部第二磁性材料层,保留沟槽里面的第二磁性材料；沉积第四介质材料；制造通孔和电极。本发明提出的提高第三轴感应能力的磁传感器及其制备工艺，可提高第三轴的磁性材料的物理厚度，从而增加第三轴的感应能力；又不会增加第一层磁性材料在第一、第二轴方向的磁性材料的厚度，因而不会影响第一、第二轴方向的灵敏度。

摘要：本发明揭示了一种高灵敏度磁传感装置及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤S1、在晶圆上沉积第一介质材料，形成第一介质层；步骤S2、沉积第二介质材料，形成第二介质层；步骤S3、沉积磁性材料，形成磁性材料层；步骤S4、沉积第三介质材料，形成第三介质层。本发明提出的高灵敏度磁传感装置及其制备方法，通过在磁性材料沉积前，预先沉积一层介质层，能有效地提升磁性材料的特性，能给予磁灵敏度10％以上的提升。