摘要：提供一种统计模拟的方法，其包括建立统计模型和在特征选择和参数最优化期间，为统计学模型的建立结合高斯先验。

摘要：本发明公开了一种焊缝半自动探测小车，包括探测小车主体、探测小车支架、探测小车移动平台、探测小车连接杆和探测小车连接装置，探测小车支架与探测小车主体固连，探测小车移动平台能够沿着探测小车支架移动，探测小车连接杆的端部与探测小车移动平台滑动连接，探测小车连接杆的另一端与探测小车连接装置固连。在本实施例中，探测小车移动平台带动探测小车连接杆和探测小车连接装置一起运动。探测小车连接装置与具有探测焊缝功能的设备相连，在探测小车移动平台移动过程中，对待测部件不同位置的焊缝进行检测。

摘要：本发明的两面研磨装置至少具备有晶片保持孔的载体板；粘贴研磨布的上工作台及下工作台；粉浆供给机构；晶片保持孔内保持着晶片，一边供给粉浆，使载体板在上下工作台间运动，可同时研磨晶片表里两面，用圆连结上述上工作台的负载支点时构成圆直径的上工作台负载支点的PCD，与用圆连结载体板各保持孔中心时构成圆直径的载体板保持孔中心的PCD一致，由此提供以优异的响应性使工作台变形来控制晶片形状，不会使晶片形状恶化，可以高精度稳定进行研磨的晶片。

摘要：交联电缆进水的除水处理装置，被截取的进水电缆，其特征在于进水电缆的两截取头部分别安装前、后密封头套，后密封头套连接除水管和通气管，通气管有甲阀门，除水管连接乙阀门，乙阀门后连接溢水罐，溢水罐底部连接丙阀门，溢水罐侧壁连接丁阀门，丁阀门后连接三通接管，三通接管分别连接真空泵和真空表阀门，真空表阀门连接真空表，在前密封头套的前端连接干燥气体发生源。本装置属于电力抢救设备，主要用于埋在地下交联聚乙烯绝缘电力电缆进水时，采用本装置除水，能使已有进水电缆“起死回生”。

摘要：本发明涉及一种五爪金龙的繁殖方法，在21～25℃下取五爪金龙插枝放入质量浓度0.1～0.5％高锰酸钾溶液中浸泡10～12小时后，将五爪金龙插枝扦插于煤矸石土壤中，在21～25℃、湿度50～80％、煤矸石土壤保持湿润下，种植30～45天，即可移栽或定植。本发明适宜应用于煤矿废弃地的植被恢复，为加快繁殖五爪金龙优质优苗及其开发利用提供了一条新的途径，插条的成活率为90～100％，为煤矿废弃地植被恢复提供了一种取材易、见效快、成本低的新方法。

摘要：本发明涉及一种青葙的无土栽培方法，(1)青葙种子在20～35℃下浸泡4～12小时后，取出，在温度25～35℃且黑暗下萌发；(2)萌发的青葙种子置于基质育苗，待青葙幼苗长出2片真叶后，移植至基质或水培容器中无土栽培；(3)在无土栽培的基质或水培容器中加入营养液，培养温度25～35℃、光照强度1000～7500lux，光照时间6～12小时/天，培养20～25天，长出10片叶以上的青葙。本发明提供一种不受季节限制和水体、空气污染及病虫、杂草等危害，能人工周年无土栽培生产优质青葙，为有效开发利用青葙提供了一条见效快、成本低、无公害、品质好的新途径。

摘要：本发明公开了一种针对AIRS超光谱卫星数据的甲烷廓线正交反演方法，具体为：利用AIRS超光谱卫星的二级标准产品获得不同区域、不同季节条件下的大气成分廓线数据；建立一组包含大量观测结果的能代表不同区域、不同季节条件下的大气成分廓线数据集；利用辐射传输方程对每一条廓线都模拟出目标通道上的大气层顶出射辐射亮度值，并加上仪器的观测噪声以获得模拟的卫星传感器观测辐射亮度值；根据模拟辐射亮度值对温度以及大气成分的敏感性分析选择反演通道；对训练样本集进行经验正交函数展开，计算经验正交函数回归系数；获取AIRS超光谱卫星数据的晴空订正辐亮度标准产品，利用求得的回归系数进行反演。

摘要：一种计算机系统及基本输入输出系统的设定方法。计算机系统包括远端计算机及服务器。远端计算机传送设定命令。服务器各包括第一管理单元及主机板。第一管理单元储存设定命令，且主机板包括储存装置及处理器。储存装置储存基本输入输出系统。处理器执行基本输入输出系统，并于重新开机后，与第一管理单元沟通以判断基本输入输出系统的设定是否需更新。若基本输入输出系统的设定需更新，处理器根据设定命令更新基本输入输出系统。

摘要：一种发光元件的转移方法包括：提供多个发光元件，每一发光元件的一端设置有一磁性材料层；提供第一电磁平板，使第一电磁平板磁性吸附多个发光元件；提供一接收基板，接收基板包括基底、电磁线路层及结合层，电磁线路层包括线圈，结合层定义有多个接收区域，每一接收区域用于对应接收一个发光元件；使多个发光元件和多个接收区域一一对准；以及对所述线圈施加电流，对第一电磁平板断电，使每一发光元件对应转移至接收基板的接收区域。还提供一种基板、一种显示面板及一种显示面板的制备方法。

摘要：本发明提供一种显示装置及薄膜晶体管的制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括：(A)提供一基板；(B)在该基板上形成一遮光层，图案化所述遮光层，形成一图案化遮光层；(C)在该基板上形成一缓冲层；(D)在该基板上形成一半导体层，图案化所述半导体层，形成一图案化半导体层；(E)在该基板上形成一绝缘层；(F)在该基板上形成一导电层，图案化所述导电层，形成一图案化导电层；其中，图案化所述遮光层及图案化所述半导体层采用同一掩模。能有效避免显示区域之外薄膜晶体管的光电效应并减少生产过程中的掩模数量。