摘要：本发明涉及一种数据处理系统。该数据处理系统包括存储单元以及输入/输出单元。输入/输出单元被配置为根据预读取大小对存储单元中存储的第一数据执行预读取操作，确定预读操作是否导致关于处理单元的瓶颈，并且根据确定的结果来调整预读取大小。

摘要：本公开涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：非易失性存储器装置，包括存储多个组块的多个存储器组；控制器，被配置为基于原始数据生成包括数据组块和奇偶校验组块的多个组块，对数据组块和奇偶校验组块分配不同的优先级，并且当针对多个组块之中的至少一个组块的操作失败时，基于不同的优先级来恢复该至少一个组块。

摘要：本公开涉及一种控制器的操作方法，该控制器被配置为控制网络中的子系统，每个子系统包括多个存储器区域，该方法包括：测试数据的压缩率，并且根据该压缩率来选择用于存储该数据和复制数据的存储器区域。

摘要：本发明涉及一种生产三氯甲硅烷的方法。该方法包括在氢气存在的情况下，使金属硅颗粒分散在含有四氯化硅的液态硅烷类化合物中的混合物与氯化氢反应生产三氯甲硅烷的步骤。

摘要：本发明涉及一种多晶硅生产装置。该装置包括：卧式反应管，其位于隔热管中，并具有：出口，通过其供应包含含硅反应气体和还原气体的气体原料，出口，通过其排出残余气体，与所述气体原料接触的反应表面，以及多个底部开口，通过其排出由所述气体原料的反应而产生的熔融多晶硅；设置在所述卧式反应管中以提供额外的反应表面的一个或多个内部构件；以及适于加热所述卧式反应管的反应表面的第一加热设备。本发明还涉及一种使用所述装置的多晶硅生产方法。

摘要：本发明涉及一种以有效的方式由四氯硅烷制备三氯硅烷的设备。该设备包括：入口，分散在液体四氯硅烷中的包含金属硅粉末的反应原料通过该入口进入；孔，气体反应原料通过该孔供给；出口，包含三氯硅烷的反应产物通过该出口排出；管状反应器，在该管状反应器中，通过所述入口进入的反应原料在流动的过程中彼此反应；以及流体流动阻碍装置，用于在流动的过程中引起流体碰撞。

摘要：根据本发明，提供一种多晶硅制造装置，其包括：水平反应管，具有源气体供应口、残余气体排出口、反应表面和开口，通过所述源气体供应口供应包括反应气体和还原气体的源气体，反应表面与源气体接触，开口形成在所述水平反应管的底部，用于将通过所述源气体的反应产生的熔融多晶硅排出；以及第一加热设备，用于加热所述水平反应管的所述反应表面，其中，所述水平反应管包括一个或多个反应区域，各个反应区域具有用于沉积多晶硅的第一反应区域和用于将反应副产物转化为所述反应气体的第二反应区域，所述第一反应区域与所述第二反应区域串联连接。此外，还提供了一种使用所述多晶硅制造装置的多晶硅制造方法。

摘要：本发明公开一种电机的旋转变压器的安装结构，该安装结构将包括旋转变压器定子和旋转变压器转子的旋转变压器固定到被配置成容纳电机的壳体的盖上，该安装结构包括：旋转变压器盖，其被结合到旋转变压器定子的边缘部，被压合到形成于盖的内表面的支撑端，并且被配置成在盖内形成用于安装组件的安装空间。

摘要：本公开涉及具有以下化学式1的结构的有机化合物，以及包含所述有机化合物的有机发光二极管(OLED)和有机发光装置。所述有机化合物是具有p型部分和n型部分的双极有机化合物。该有机化合物具有高激发三重态能级、宽能带间隙和优异的热稳定性。将该有机化合物引入OLED的发射材料层(EML)时，空穴和电子在EML的整个区域内复合，因此该OLED能够改进其发光效率和发光寿命。化学式1

摘要：本公开的各种实施例涉及用于电子设备和外部电子设备之间的直接通信的装置和方法。该电子设备可以包括无线通信电路和可操作地连接到该无线通信电路的处理器，其中该处理器可以被配置为识别用于基于Wi‑Fi与接入点(AP)的通信的第一信道和用于基于Wi‑Fi直连与外部电子设备的直接通信的第二信道，在第一信道和第二信道不同的情况下，重新配置电子设备的与和外部电子设备的直接通信相关的能力，并且通过无线通信电路向外部电子设备发送关于电子设备的重新配置的能力的信息。其他实施例也是可能的。