摘要：本发明公开量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置，所述量子点发光二极管从下而上依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与CuSCN纳米颗粒。本发明是将量子点与CuSCN纳米颗粒共混成膜来制备量子点发光层，利用这种方法来钝化量子点表面的空穴缺陷态，并提高空穴的传输效果，使QLED器件中空穴与电子的注入达到平衡，从而提高QLED器件的发光效率及稳定性。

摘要：本发明提供了一种交流电驱动的量子点发光二极管，包括依次层叠设置的衬底、底电极、量子点发光层、顶电极，还包括设置在所述顶电极和所述量子点发光层之间的第一离子液体层，所述第一离子液体层由仅含阴离子和阳离子的第一离子液体制成，所述第一离子液体在‑10～200℃下呈液态，且在交流电驱动下，所述第一离子液体层在所述量子点发光层和所述顶电极的界面形成界面双电层。

摘要：本发明公开量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置，所述量子点发光二极管依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述空穴注入层为掺杂硫化铜薄膜。本发明以掺杂硫化铜薄膜来制备空穴注入层，这是因为所用的掺杂硫化铜不仅材料便宜，而且无毒稳定。另外，通过采用掺杂硫化铜代替传统的PEDOT:PSS作为空穴注入层，能够很好地调节ITO表面功函数、CuS的能带结构和载流子传输性能，有效地提高空穴注入效率和透光性，从而提高QLED器件的发光效率、稳定性和使用寿命。

摘要：本发明公开一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法，通过采用纺织物或纸类材料作为柔性衬底，用简单成熟的成膜工艺在衬底上沉积电极层、量子点发光层和各种功能层，制备出柔性量子点发光二极管；为满足不同透气性和穿戴要求，进一步在制备的柔性量子点发光二极管上进行打孔，最终得到高柔韧性、透气、稳定、性能高效、可加工性强的可穿戴量子点发光二极管，该器件可以以任意方式沿任意方向和任意角度对其进行折叠，或以任意方式对其进行裁剪、分割或拼接，处理后的量子点发光二极管仍保持其独立完整的器件结构以及发光性能。因此，本发明提出的一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法，有效解决了现有柔性QLED器件中对衬底要求高、结构脆弱、柔韧性差、发光效率低、透气性差、可穿戴性差、以及不利于大规模生产的问题。

摘要：本发明公开一种复合量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其中，发光层是由量子点发光材料和有机‑无机杂化钙钛矿材料组成的量子点复合发光层。本发明基于量子点发光材料能与有机‑无机杂化钙钛矿材料产生协同作用，产生激发态络合物电致发光，不仅增强了QLED器件的发光效率、降低器件的开启电压，而且通过改变偏压，可以使QLED器件显示出不同颜色的光，且对于具有不同结构的量子点复合发光层，外加偏压对QLED器件的发光颜色具有不同程度的调控作用；此外，有机‑无机杂化钙钛矿层的引入，还能改善QLED器件的界面性质、发光均匀性以及器件稳定性。

摘要：本发明公开空穴传输层与QLED及制备方法、发光模组与显示装置，方法包括步骤：首先制备表面包覆有亲油性有机配体的FeS₂纳米颗粒溶液；然后将所制得的FeS₂纳米颗粒溶液沉积在PEDOT:PSS空穴注入层上，得到空穴传输层。本发明采用表面包覆有亲油性有机配体的FeS₂作为空穴传输层，沉积在PEDOT:PSS空穴注入层上。一方面防止PEDOT:PSS空穴注入层吸潮对各功能层造成破坏，提高QLED器件稳定性和使用寿命；另一方面，使空穴传输层与空穴注入层及量子点之间的能带更加匹配，降低空穴注入和传输势垒，提高QLED器件的发光效率。

摘要：本发明公开一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光层制备方法包括步骤：将表面包覆有配体的量子点溶解于溶剂中，得到量子点溶液；在量子点溶液中加入氨基酸，得到氨基酸改性的量子点溶液；通过溶液法在衬底或功能层上将氨基酸改性的量子点溶液制成量子点发光层。本发明在量子点溶液中加入氨基酸，其作用一方面可形成均匀全覆盖并致密平整的量子点发光层；另一方面，氨基酸的引入能够把量子点发光层紧密地锚定在其下方和上方的衬底或功能层上，使量子点发光层与衬底或功能层之间紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，并钝化量子点的表面缺陷，从而有效地提高电子注入效率以及QLED器件的寿命和稳定性。

摘要：本发明公开量子点发光层与器件及制备方法、发光模组与显示装置，方法包括步骤：将表面包覆有配体的量子点溶解在溶剂中，得到量子点溶液；将量子点溶液采用溶液法沉积在衬底或功能层上，得到量子点发光层；将量子点发光层置于真空腔体中，通入有机金属配合物，处理0.5~30 min，其中腔体内部的压力为0.01~1 mbar，有机金属配合物经气化后的分压为0.001~0.1 mbar，腔体内部的温度为10~25 °C；将上述处理完成后的量子点发光层取出，得到量子点交联发光层。本发明量子点薄膜不仅均匀平整，而且膜层稳定，难以被后续其他功能层沉积时的溶剂重新溶解带走或冲走，有效提高QLED的发光均匀性和稳定性。

摘要：本发明公开功能化阴极、QLED及制备方法、发光模组与显示装置，方法包括步骤：首先在电子传输层上沉积一层巯基硅烷；然后在巯基硅烷层上蒸镀一层阴极，得到功能化阴极。本发明在电子传输层与金属电极之间修饰一层巯基硅烷，巯基硅烷中的硅氧键能与电子传输层连接，并钝化电子传输层的表面缺陷，而暴露在另一端的巯基能与金属电极以共价键紧密连接，一方面能够在金属电极沉积过程中作为金属的紧密的成核中心，逐渐生长出均匀规整的金属电极，另一方面能够促进电子传输层与金属电极之间的紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，防止金属电极在电子层中的渗透、腐蚀、氧化或脱落，有效地提高电子注入效率以及QLED器件的寿命和稳定性。

摘要：本发明提供了一种QLED器件，包括依次层叠结合的底电极、第一功能层，设置在所述第一功能层上的功能化石墨烯像素阵列，设置在所述功能化石墨烯像素阵列上的量子点发光层，以及依次结合在所述量子点发光层上的第二功能层和顶电极，其中，所述功能化石墨烯像素阵列包括石墨烯像素阵列以及在所述石墨烯像素阵列表面修饰的活性官能团，且所述活性官能团修饰在所述石墨烯像素阵列背对所述空穴传输层的表面，所述量子点发光层通过所述活性官能团与所述功能化石墨烯像素阵列结合。