摘要：本发明公开了一种铝合金模板组件，它包括楼面模板组件、墙面模板组件和楼梯模板组件；所述的楼面模板组件包括多个楼面模板、龙骨模板、阴角模板和阴角板，所述的阴角模板和阴角板组成一个矩形框，所述的龙骨模板把矩形框分隔成多个用于放置楼面模板的空间，所述的楼面模板、龙骨模板、阴角模板和阴角板之间可拆卸连接；所述的墙面模板组件包括内墙模板和外墙模板，所述的阴角模板可拆卸连接在内墙模板上，所述的内墙模板和外墙模板通过螺杆连接，本发明提供一种组装简单且强度高的铝合金模板组件。

摘要：本发明涉及挂钩组装技术领域，具体为一种新型挂钩自动化组装设备，包括工作台，所述工作台的表面固定有控制排键，所述工作台的表面设置有转盘，且转盘与工作台相互转动配合，所述转盘一侧的工作台表面安装有涂胶机构，且涂胶机构一侧的工作台表面安装有放料机构，所述放料机构远离涂胶机构一侧的工作台表面安装有矫正机构，且矫正机构一侧的工作台表面安装有取料机构，所述工作台的内部设置有步进旋转机构，所述转盘的表面设置有拆装机构。本发明不仅提高了自动化组装设备使用时的便利程度，而且提高了自动化组装设备使用时的实用性。

摘要：一种无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器，包括：一基片；一缓冲层，该缓冲层制作在基片上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上；一量子点有源区，该量子点有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子点有源区上；一上包层，该上包层在较低温度下制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在上包层上。由于InGaP可以在较低的生长温度下获得高的的材料质量，包层生长过程中量子点发光的蓝移得到有效的抑制，使得量子点激光器能够在1.3μm激射。

摘要：本发明一种偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷(100)衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷(100)衬底上，在GaAs缓冲层表面上得到多原子台阶；一InAs量子点层，该InAs量子点层制作在镓砷缓冲层上，该层量子点层中的量子点成线状排列并具有双模尺寸分布；一镓砷盖层，该镓砷盖层制作在InAs量子点层上，得到InAs量子点材料。

摘要：一种基于边入射光混频器的THz天线阵列，包括：一1×N分光器、N个边入射光混频器和N个THz天线，其中每一边入射光混频器的电极连接一个THz天线，每一边入射光混频器通过无源波导与1×N分光器相连接；其中频率之差等于THz频率的双模泵浦光，由分光器的输入端输入，在输出端被均匀的分成N份输入到N个边入射光混频器中，在边入射光混频器中混频，所产生的THz信号由THz天线发射出去，该N个THz天线信号可以实现相干叠加。本发明可以得到高性能THz天线阵列器件。

摘要：一种利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上制作光栅，不同掩膜对间距或宽度变化周期内的激光器光栅周期不同；步骤6：在光栅上生长接触层，完成制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时可以保证阵列单元激光器光学性能的一致性。

摘要：一种THz天线阵列的制作方法，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料；3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层，刻蚀的形状为四边形结构，其为光混频器波导；4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极，在其两侧的光耦合层上制作电极；5)刻蚀光耦合层，刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导；6)刻蚀无源波导层至缓冲层，形成1×N分光器、输入波导及无源波导，形成基片；7)在基片上制作THz天线，完成制备。本发明可以得到高性能THz天线阵列器件。

摘要：本发明公开了一种晶体管激光器及其制作方法。所述方法包括：选择一衬底；依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层材料；生长有源层、发射极层及接触层；腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡层；器件基极层材料与有源层材料间的电流阻挡层可以作为发射极波导刻蚀的停止层，从而可以高精度的控制波导高度。通过选择性腐蚀掉发射极波导下的电流阻挡层材料，形成了对载流子侧向扩散的限制，有利于减少载流子在有源区侧壁的非辐射复合。这些措施可明显提高器件性能。

摘要：本发明提供了一种晶体管激光器及其制作方法，属于半导体激光器领域。本发明晶体管激光器为多层结构，从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层，基层至少包括一基极层和一量子阱层；晶体管激光器包括上下两部分，其上部分为柱状结构，柱状结构和下部分的界线位于所述下集电极层中；柱状结构内设有柱状孔，所述柱状孔的底部为所述基层，发射极电极设置在柱状结构上表面，基极电极设置在所述柱状孔底部，集电极设置在晶体管激光器下部分上表面。本晶体管激光器在工作时，不需要通过光栅或者解理面提供反馈，利用自身柱状结构与柱状孔形成的闭合环形波导回路作为谐振腔，即可实现激光的谐振。

摘要：本发明公开了一种半导体致冷器下脱模装置，包括机架、模具系统和导向梯，其中模具系统包括下凸模具和上凹模具，下凸模具设于机架上，上凹模具上设有温差电元件定位孔，垫块一端与下凸模具一体化连接，垫块的另一端部分插入上凹模具的温差电元件定位孔内，下凸模具上设有导向滑槽，导向梯通过滑块与导向滑槽滑动连接，上凹模具的下端面与导向梯的阶梯面相接触。本发明有助于打开微型器件市场、提高市场占有率，能够有效地提高微型致冷器下脱模成品率大幅度提升，脱模成品率≥91％。