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实用新型:
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外观设计:
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1:
[发明]
GaN HEMT和Si-CMOS单片集成方法
申请号:
202011613237.9
公开号:CN112768410A 主分类号:H01L21/8258
申请人:
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日:2020.12.30 公开日:2021.05.07
发明人:
樊永辉
;
许明伟
;
樊晓兵
摘要:本发明提供了一种GaN HEMT和Si‑CMOS单片集成方法,所述方法包括以下步骤:步骤S100,在硅衬底上外延生长GaN外延层结构;步骤S200,蚀刻所述GaN外延层结构形成GaN HEMT器件区域和Si‑CMOS器件区域;步骤S300,在GaN HEMT器件区域制备GaN HEMT;步骤S400,在Si‑CMOS器件区域制备Si‑CMOS。本发明通过蚀刻GaN外延层结构形成GaN HEMT器件区域和Si‑CMOS器件区域,以在同一衬底上制备GaN HEMT和Si‑CMOS,实现GaN HEMT和Si‑CMOS的集成在同一芯片上,GaN HEMT和Si‑CMOS单片集成的总体芯片面积小,性能优越,成本低。
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2:
[发明]
一种基于GaN HEMT的开关集成芯片与制作方法
申请号:
202110059356.2
公开号:CN112786538A 主分类号:H01L21/8258
申请人:
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日:2021.01.15 公开日:2021.05.11
发明人:
樊永辉
;
许明伟
;
樊晓兵
摘要:本申请实施例公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT的开关集成芯片与制作方法,包括:提供硅基GaN晶圆(包括硅基衬底和GaN外延层X),GaN外延层X包括目标区域GaN外延层X1和非目标区域GaN外延层X2;采用刻蚀工艺去除非目标区域GaN外延层X2,在硅基衬底的上端面形成用于制作Si CMOS开关控制电路的Si CMOS器件区域;在目标区域GaN外延层X1上形成用于制作GaN HEMT开关电路的GaN HEMT器件区域。采用本申请实施例的方法,实现了在同一芯片上集成制作GaN HEMT开关电路和Si CMOS开关控制电路,提升器件集成度、减小芯片面积和成本、提升器件性能。
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3:
[发明]
一种集成芯片及其制作方法
申请号:
202110992587.9
公开号:CN113823628A 主分类号:H01L27/06
申请人:
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日:2021.08.27 公开日:2021.12.21
发明人:
樊永辉
;
许明伟
;
樊晓兵
摘要:本申请公开了一种集成芯片及其制作方法,包括步骤:在硅衬底上划分硅器件区域和砷化镓器件区域;在硅衬底对应砷化镓器件区域上形成砷化镓外延结构;在砷化镓外延结构上形成砷化镓器件;在硅衬底上对应硅器件区域形成硅器件;形成所述砷化镓器件与所述硅器件之间的金属互连层。可以将砷化镓器件和硅器件集成到一个芯片上,实现降低制造成本、减小器件面积、提升系统集成度等优点。
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4:
[发明]
单晶氮化铝薄膜及其制作方法、体声波滤波器的制作方法
申请号:
202110992773.2
公开号:CN114000199A 主分类号:C30B29/40
申请人:
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日:2021.08.27 公开日:2022.02.01
发明人:
樊永辉
;
许明伟
;
樊晓兵
摘要:本申请公开了一种单晶氮化铝薄膜及其制作方法、体声波滤波器的制作方法,单晶氮化铝薄膜的制作方法包括步骤:提供一衬底;在所述衬底上形成单晶含有铝和氮的三元或多元化合物薄膜;通过离子注入方式对单晶含有铝和氮的三元或多元化合物薄膜进行金属掺杂;形成掺杂的单晶氮化铝薄膜。通过上述方案以提供一种高品质掺杂的单晶氮化铝薄膜作为体声波滤波器的压电层,以提高滤波器的带宽。
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5:
[发明]
一种集成芯片及其制作方法和集成电路
申请号:
202110995384.5
公开号:CN113782529A 主分类号:H01L27/06
申请人:
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日:2021.08.27 公开日:2021.12.10
发明人:
樊永辉
;
许明伟
;
樊晓兵
摘要:本申请提供一种集成芯片及其制作方法和集成电路。集成芯片包括:硅衬底、基于硅半导体的开关控制电路、砷化镓外延结构和基于砷化镓的开关电路;所述硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域;基于硅半导体的开关控制电路设置在硅衬底上,对应设置在所述硅器件区域;砷化镓外延结构设置在硅衬底上,对应所述砷化镓器件区域;以及基于砷化镓的开关电路设置在砷化镓外延结构上;所述基于硅半导体的开关控制电路与所述基于砷化镓的开关电路通过金属互联;所述基于砷化镓的开关电路包括砷化镓高电子迁移率晶体管,可以将基于硅半导体的开关控制电路和基于砷化镓的开关电路集成到一个芯片上,实现更高的集成度、更小的器件面积、更低的制作成本以及更好的性能。
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6:
[发明]
一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路
申请号:
202110996272.1
公开号:CN115719746A 主分类号:H01L27/06
申请人:
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日:2021.08.27 公开日:2023.02.28
发明人:
樊永辉
;
许明伟
;
樊晓兵
摘要:本申请公开了一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路,集成式硅基芯片包括:硅衬底、基于硅的控制电路、砷化镓外延结构、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路;硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域;基于硅的控制电路,设置在硅衬底上,对应设置在硅器件区域;砷化镓外延结构,设置在硅衬底上,对应砷化镓器件区域;砷化镓高电子迁移率晶体管,设置在砷化镓外延结构上;以及匹配电路,设置在砷化镓外延结构上;基于硅的控制电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接;匹配电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接。可以将基于硅的控制电路、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路集成到一个芯片上。
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7:
[发明]
集成芯片及其制作方法和集成电路
申请号:
202111626462.0
公开号:CN114497114A 主分类号:H01L27/20
申请人:
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日:2021.12.28 公开日:2022.05.13
发明人:
樊永辉
;
许明伟
;
樊晓兵
摘要:申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路,集成芯片包括衬底、外延层、隔离结构、氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器,所述隔离结构将所述外延层划分第一外延层和压电层,并将所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器隔离;所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括设置在所述第一外延层上的源极、漏极和栅极;所述表面声波滤波器包括设置在所述压电层上的第一叉指换能器和第二叉指换能器;所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器通过金属导线互联。通过上述设计,将射频前端中的氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器做到一个芯片上,从而增加射频器件的集成度,达到减小器件面积、降低损耗、提升器件总体性能的目的。
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8:
[发明]
半导体器件及其制备方法、半导体晶圆
申请号:
202310902084.7
公开号:CN116884976A 主分类号:H01L27/092
申请人:
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日:2023.07.20 公开日:2023.10.13
发明人:
樊永辉
;
许明伟
;
樊晓兵
摘要:本发明提供一种半导体器件及其制备方法、半导体晶圆。半导体器件具有第一器件区域和第二器件区域,包括第一、二结构层及第一、二组电极结构。第一结构层的材料为金刚石,第一结构层中位于第一器件区域和第二器件区域的两部分电性隔离;位于第二器件区域的第一结构层经过氢终端处理;第二结构层设于第一结构层的第一器件区域上,与第一结构层形成异质结结构;第二结构层的材料为AlN;第一组电极结构包括第一源极、第一栅极及第一漏极,设于第一器件区域并至少部分位于第二结构层背离第一结构层的一侧;第二组电极结构包括第二源极、第二栅极及第二漏极,设于位于第二器件区域的第一结构层之上,并与第一组电极结构位于第一结构层的同侧。
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9:
[发明]
一种新型半导体器件及制作方法
申请号:
202411421981.7
公开号:CN119325252A 主分类号:H10D30/47
申请人:
合肥荃智空天信息超高频半导体研究院有限公司
;
合肥吉芯科技有限公司
申请日:2024.10.12 公开日:2025.01.17
发明人:
樊永辉
;
樊晓兵
摘要:本发明公开了一种新型半导体器件及制作方法,包括金刚石换热层,金刚石换热层上设有缓冲层,缓冲层上设有外延层,外延层上背向缓冲层的一侧分别设有源极块、栅极块和漏极块,栅极块设置在源极块和漏极块之间,所述外延层包括沟道层、势垒层和帽层,且沟道层、势垒层和帽层从靠近缓冲层向远离的方向依次设置,所述源极块、栅极块和漏极块均贯穿帽层并与其连接,通过散热凹槽的设置,缩短了外延层上器件内产生的热量传导至金刚石换热层的距离,从而极大地提升了整体的散热性能和芯片性能。
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10:
[发明]
一种新型半导体结构与器件及制作方法
申请号:
202411447643.0
公开号:CN119342893A 主分类号:H10D84/85
申请人:
合肥荃智空天信息超高频半导体研究院有限公司
;
合肥吉芯科技有限公司
申请日:2024.10.16 公开日:2025.01.21
发明人:
樊永辉
;
樊晓兵
摘要:本发明公开了一种新型半导体结构与器件及制作方法,涉及半导体器件生产技术领域,包括衬底,所述衬底的顶面设有金刚石外延层;所述金刚石外延层的顶面分设为N型器件区和P型器件区,位于N型器件区内的金刚石外延层上设有氮化铝薄膜,位于P型器件区内金刚石外延层上通过离子注入的方式进行硼掺杂;本发明提出的半导体结构和半导体器件,特别是CMOS反相器和集成电路,具有更大的禁带宽度、更高的工作频率、更高的工作电压、更大的功率、更高的温度,应用前景广泛;相较于现有的金刚石衬底的半导体器件与CMOS集成电路,本发明采用硼离子注入的方式制造P型器件区,其具有更高的空穴迁移率,实现金刚石材料半导体性能充分发挥。
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