摘要：本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其驱动方法。此有机发光二极管显示器包含以矩阵形式电性连接于数条区段线以及数条共通线的有机发光二极管。将电性连接于相同共通在线的有机发光二极管分为一第一群组以及一第二群组。根据一第一脉冲宽度调变模式以及一第二脉冲宽度调变模式分别供应驱动电流至第一群组以及第二群组的有机发光二极管，其中第一脉冲宽度调变模式以及第二脉冲宽度调变模式在一周期内具有互补的波形。

摘要：一种静态随机存取存储器器件，其包含多行的静态随机存取存储器单元，以及一个线缓冲器静态随机存取存储器单元。每一列静态随机存取存储器单元是由一个字线所控制。该线缓冲器静态随机存取存储器单元耦接到该多行的静态随机存取存储器单元，并由一个读取使能线所控制。当字线上的信号被启动后，读取使能线的信号就会被启动，其中，在所述读取使能线上的被启动信号的持续时间与在所述字线上的被启动信号的持续时间有部份重叠。该提供给线缓冲器静态随机存取存储器单元的电源被选择性地切断。此外，在读取使能线上的信号被取消时，则提供电源给该线缓冲器静态随机存取存储器单元。

摘要：一种显示器中供应显示面板共同电压的电路，包含第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器、电容以及开关电路。第一及第三运算放大器分别输出第一及第三电压。第二运算放大器由第一电压驱动，并接收极化信号以输出第二电压。电容具有第一端点及第二端点，其中第一端点耦接于第二运算放大器的输出端，第二端点耦接于第三运算放大器的输出端。开关电路在显示器处于正常操作模式下将电容的第二端点耦接于显示面板，并且在显示器处于节省电源操作模式下将高定电压及低定电压其中之一耦接于显示面板。

摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管主动装置。该薄膜晶体管主动装置包括：栅极电极；覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于所述氧化物半导体层上的第一保护层；与所述氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖所述源/漏极电极的第二保护层；其中，所述栅极绝缘层、第一保护层与第二保护层至少其中之一由硅的氮化物所构成,且其折射率介于2.0~3.0。本发明的薄膜晶体管主动装置可抑制来自于金属电极的金属离子扩散并减少绝缘层与保护层的H含量，可有效的提升TFT制程工艺的稳定性。

摘要：本发明提供一种薄膜晶体管主动装置及其制作方法，所述薄膜晶体管主动装置包括：基板及形成于基板上的数个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极绝缘层与氧化物半导体主动层，该栅极绝缘层为氧化硅层，其折射率介于1.43~1.47之间。本发明提供的薄膜晶体管主动装置及其制作方法，通过薄膜晶体管的栅极绝缘层形成时，控制化学气相沉积时氧化二氮与四氢化硅的流量比率大于30%，进而控制由氧化硅形成的栅极绝缘层的折射率介于1.43~1.47之间；同时，降低栅极绝缘层中N-H键含量，有效避免由于栅极绝缘层中的高含量N-H键所导致的栅极绝缘层与氧化物半导体主动层的高界面陷阱密度，有效避免氧化物半导体TFT的电性劣化。

摘要：本发明提供一种薄膜晶体管主动装置的制作方法及制作的薄膜晶体管主动装置，所述方法包括以下步骤：步骤1、提供一基板；步骤2、在基板上通过溅射及光罩制程形成栅极；步骤3、在栅极上通过化学气相沉积形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上通过溅射及光罩制程形成氧化物半导体层；步骤5、在氧化物半导体层上通过化学气相沉积形成第一保护层，在第一保护层上通过溅射制程形成金属层，并通过光罩制程形成资料线电极；步骤6、在第一保护层及资料线电极上通过化学气相沉积形成第二保护层，并通过光罩制程形成第一、第二与第三桥接孔；步骤7、在第二保护层上通过溅射形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管主动装置。

摘要：本发明公开了一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法，该制作方法包括：在栅极上设置第一绝缘层；在第一绝缘层上依次层叠设置氧化物半导体层和缓冲层；在氧化物半导体层和缓冲层上设置源极和漏极；对与源极和漏极未直接接触的缓冲层进行含氧气氛的电浆处理或热处理，使与源极和漏极未直接接触的缓冲层的含氧量高于与源极和漏极直接接触的缓冲层的含氧量。通过以上方式，本发明可防止后续的制程对氧化物半导体层的损坏，从而保证薄膜晶体管的稳定性，并保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。

摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列制作方法，其包含下列步骤：在基板上形成图案化第一金属层；沉积第一绝缘层以覆盖图案化第一金属层；形成图案化氧化物半导体层于薄膜晶体管区的第一绝缘层上；在第一绝缘层与氧化物半导体层上形成第二绝缘层；蚀刻在薄膜晶体管区的第二绝缘层，裸露部分氧化物半导体层，同时蚀刻在讯号线区的第二绝缘层与第一绝缘层，裸露第一金属层；以及形成图案化第二金属层于薄膜晶体管区的图案化第二绝缘层上，使图案化第二金属层电性连接氧化物半导体层，同时形成图案化第二金属层于讯号线区的部分第一金属层上。

摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管和主动矩阵式平面显示装置，该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、源极、漏极以及多个氧化物半导体层，其中，多个氧化物半导体层依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间，其包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。通过以上方式，本发明保证了薄膜晶体管电性正常，从而保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。

摘要：本发明公开了一种显示面板、开关管及其制作方法，其中所述方法中，包括在基底上依次形成所述开关管的第一电极、第一绝缘层、牺牲层以及第二/第三电极金属层，然后对第二/第三电极金属层进行蚀刻以暴露至少部分牺牲层，并对暴露的牺牲层进行蚀刻以暴露部分的第一牺牲层，其中在同等蚀刻条件下所述牺牲层与第一绝缘层的蚀刻选择比大于第一设定值，且所述第一设定值大于1。通过上述方式，本发明能够提高开关管的稳定性和电子迁移率。