摘要：本申请实施例公开了一种数据同步方法、装置、计算机设备及存储介质。本方案在接收到客户端账号通过一终端对目标业务的历史用户数据发送的数据同步请求时，确定终端请求同步的多条数据，获取每条数据对应的时间戳，然后将所有时间戳按照距离当前时刻最近的顺序进行排序，生成排序序列并将多条数据根据该排序序列依次向终端进行发送，以使终端可以最先接收到最新的数据，提供最新的数据给用户使用。同时，在该终端接收到最新的数据以及根据最新的数据进行数据更新的过程中，若目标业务在其他终端中产生新的数据，将新的数据发送至该终端，以使该终端完成根据最新的数据进行数据更新之后继续更新的数据，从而可以提高终端进行数据同步的效率。

摘要：本发明公开了一种高通量微液滴梯度稀释装置和方法，涉及梯度稀释领域，包括上子芯片和下子芯片，通过上子芯片和下子芯片的相对位移达到第二个位置，系列1微孔与第一排系列2微孔重叠，系列1微孔中溶液1的浓度被第一排系列2微孔中的溶液2所改变；待溶液充分混合，将上子芯片相对下子芯片位移到第三个位置使系列1微孔与第二排系列2微孔重合，系列1微孔中溶液1的浓度被系列2微孔中的溶液2第二次改变。上自芯片和下子芯片可进行多次相对位移，从而达到对系列1微孔中溶液1进行梯度改变的目的。本发明对纳升级别及更小体积进行准确梯度稀释，

摘要：本公开涉及终端显示领域，具体涉及一种日程展示空间分配方法、装置、存储介质及电子设备。日程展示空间分配方法包括：获取待展示日程以及终端的日程展示空间；基于所述日程展示空间的空间量选择一目标展示空间，并将一所述待展示日程分配至所述目标展示空间；根据所述目标展示空间的空间量和所述日程展示空间的平均空间量更新所述目标展示空间的空间量；重复上述分配步骤直至为所有所述待展示日程分配对应的目标展示空间，以将所述待展示日程根据所述目标展示空间展示在所述终端中。本公开提供的日程展示空间分配方法能够解决面向显示区域割裂的日程展示问题，优化日程的展示效果。

摘要：本公开提供了一种卡顿处理方法、装置、介质和计算设备，涉及数据处理领域。该卡顿处理方法包括：检测应用在前台运行过程中是否发生卡顿；响应检测到所述应用发生卡顿，获取所述应用在前台运行过程中生成的堆栈；上报至少一个所述堆栈。通过检测到卡顿，从而上报应用在前台运行过程中生成的堆栈，上报的堆栈具有明确的指向，研发人员基于堆栈能够更加准确地复现卡顿问题，有针对性的进行分析和改进。

摘要：本发明公开一种p型双面电池制备方法，包括在硅片背面局部覆盖硼掺杂剂并进行高温推进，以在硅片背面形成硼表面浓度为7E19‑1E22cm‑3的局部p型重掺杂区，然后对去除硼硅玻璃后的硅片进行碱制绒，去除硅片背面因硼挥发形成的轻扩散层并在未覆盖硼掺杂剂的晶硅区生成绒面结构，且局部p型重掺杂区被保留且其高度高于未掺杂的晶硅区。进一步的，本发明还公开一种采用上述方法制备的p型双面电池。通过本发明可显著降低电池的漏电，提高电池性能。

摘要：本发明公开一种p型选择性掺杂方法，提供一种硅片，在硅片表面局部覆盖硼掺杂剂，通过高温推进工艺将所述硼掺杂剂中的硼元素推进至硅片中并进行激活，激活后的硅片内的硼元素表面浓度不低于7E19cm‑3，去除高温推进工艺过程中硅片表面生成的硼硅玻璃，将去除硼硅玻璃后的硅片浸入碱溶液，通过化学腐蚀方式去除硅片表面局部掺杂源区域之外的p型掺杂层。通过该方法使用硼掺杂剂作为硅片表面局部掺杂源直接形成局部重掺杂区域，并在高温推进之后使用碱溶液对硅片进行化学腐蚀去除不需要掺杂的区域。

摘要：本发明公开了一种硅片局部沉积非晶硅的方法，采用背面覆盖有非晶硅层的透明载板作为靶材，将靶材置于待沉积非晶硅的硅片附近，靶材背面的非晶硅层朝向硅片，使用激光照射靶材正面的特定区域，与该特定区域相对应的背面非晶硅层吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片局部沉积非晶硅。本发明具有操作简单、效果稳定、局部非晶硅沉积精度高、应用空间大的优点。

摘要：本发明公开了一种钝化接触电池的制备方法，包括如下步骤：1）选取硅片；2）制绒；3）制正面发射极；4）去除表面氧化物；5）制超薄氧化层；6）局部沉积重掺杂非晶硅；7）非晶硅退火；8）背面刻蚀和抛光；9）制背面掺杂层；10）去除表面氧化物；11）制正面和背面钝化层；12）制正面和背面金属电极。本发明通过激光转印在硅片正面直接局部沉积重掺杂非晶硅，进而实现钝化电池正面金属接触区域；本发明仅在金属接触区域沉积重掺杂非晶硅，可省去去除金属接触区域外掺杂非晶硅的步骤，也可省去在金属接触区域制备掩膜的步骤，进而可避免因采用掩膜腐蚀法而出现金属接触区域外非晶硅去除不干净以及金属接触区域外绒面被破坏的问题。

摘要：本发明公开了一种非晶硅转印靶材的重复利用方法，非晶硅转印靶材经非晶硅转印工艺使用后，先将载板表面残留的非晶硅清除掉，再通过低压化学气相沉积工艺在载板表面沉积非晶硅层。本发明能对经非晶硅转印工艺使用后的非晶硅转印靶材进行重复利用。

摘要：本发明提供一种非晶硅转印靶材的制备方法，选用高纯石英板作为非晶硅载板，使用盐酸双氧水混合液对非晶硅载板进行清洗，使用低压化学气相沉积的方法在载板表面沉积非晶硅层。本发明制备方法简单，本发明制备的非晶硅靶材在非晶硅转印工艺中剥离率高，均匀性好，同时非晶硅脱离靶材后路径稳定可实现高精度的非晶硅转印。