摘要：一种等离子体处理装置及其调节方法，其中，等离子体处理装置包括：处理腔；基座，位于所述处理腔内的底部；静电夹盘，位于所述基座上，用于承载和吸附待处理基片；聚焦环，包围所述静电夹盘；热传导环，位于所述聚焦环的下方，且环绕所述基座；可膨胀件，固定于处理腔的底部且与所述热传导环连接，所述可膨胀件包括高热膨胀系数材料，所述可膨胀件内具有第一流体槽，所述第一流体槽用于容纳第一流体，改变所述第一流体的温度，使得所述可膨胀件膨胀或者收缩，通过带动所述热传导环沿垂直于静电夹盘表面的方向移动实现对所述聚焦环高度的改变。所述等

摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置及其半导体晶圆的处理方法。等离子体处理装置，包括反应腔，反应腔内包括上电极组件、下电极组件、冷却通道及加热装置。上电极组件设置在反应腔内的上方，同时用于向反应腔内输送反应气体。下电极组件设置在反应腔内的下方，与上电极组件相对设置，用于承载待处理晶圆。冷却通道设置在上电极组件内部，用于对上电极组件进行冷却。加热装置设置在上电极组件内部，包括：若干个分立式加热器用于对上电极组件的不同区域进行加热；以及控制器，连结若干个分立式加热器且分别控制各个分立式加热器的功率。

摘要：本发明公开了一种移动环洁净维持系统，可阻止在等离子处理过程中等离子处理器中的移动环底部和外侧壁表面沉积形成聚合物；所述的移动环洁净维持系统包含：超声波换能器，安装在移动环中；超声波发生器，其输出端连接所述的超声波换能器。其优点是：通过超声波发生器发出的高频震荡信号，通过换能器转换成高频机械振荡传播并均匀辐射到移动环的固体介质中，实现移动环表面及缝隙中污染物迅速剥离，从而达到表面净化的目的。

摘要：本公开涉及一种从环境气体中分离提取惰性气体的系统，所述系统包括：除水分装置；低温分馏装置；海绵钛化学吸附装置；气相色谱分离装置；惰性气体收集装置；和真空装置。本公开还涉及一种从环境气体中分离提取惰性气体的方法，所述方法包括：除水分步骤；低温分馏步骤；海绵钛化学吸附步骤；气相色谱分离步骤；和惰性气体收集步骤。本公开还涉及以上系统和方法用于微升量级氪气和百毫升量级氩气的同步分离提取的用途。

摘要：本发明公开了一种从环境水中分离提取溶解气的系统及方法，其特征在于：系统包括水质处理装置、膜脱气装置、真空收集装置和流程控制装置；处理方法是先以水质处理装置除去环境水中的杂质颗粒，再以膜脱气装置脱出环境水中的溶解气，并将完成脱气后的环境水持续排出；最后以真空收集装置将膜脱气装置产生的溶解气持续泵浦入气瓶中收集。本发明的系统具有成本低、操作简单、脱气效率高、易于便携与维护等特点，并且重量低、尺寸小，单人可背带，对极端的野外环境几乎没有任何使用限制，因此非常适合环境水溶解气的提取。

摘要：本发明提供一种等离子体处理器，包括：反应腔，反应腔内设置一个基座，基座上放置有晶圆；源射频电源，用于输出高频射频信号到反应腔内，以点燃并维持等离子体；第一偏置射频电源和第二偏置射频电源，第一偏置射频电源输出第一频率射频信号，第二偏置射频电源输出第二频率射频信号，第一频率小于第二频率，第一频率射频信号和第二频率射频信号叠加后形成周期性的第一叠加信号，并被施加到基座；控制器，用于调节第一频率射频信号和第二频率射频信号的幅值、频率、平均电势或相位中的至少一项，使得第一叠加信号在每个周期中具有三个相继的阶段：下降阶段、平坦阶段和上升阶段。

摘要：本申请公开了一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置。该方法连续在所述第i个脉冲周期及位于其后的多个脉冲周期的第一射频功率阶段内搜寻匹配频率的过程中，将前一脉冲在搜寻匹配频率过程中读取到的特定调配频率赋给下一脉冲，将其作为下一脉冲的初始频率，如此，相当于增加了一个脉冲周期的第一射频功率阶段的宽度，因而，通过对该多个脉冲的第一射频功率阶段的连续调频，可以搜寻到较高脉冲频率的脉冲射频等离子体的匹配频率，进而实现对较高脉冲频率的等离子体的阻抗匹配。此外，本申请还公开了一种等离子体处理装置。

摘要：本发明公开了一种电容耦合等离子体处理装置及其方法，该电容耦合等离子体处理装置包括相对设置的上电极和下电极；射频功率源，施加于所述下电极或上电极；偏置功率源，施加于所述下电极；边缘电极，呈环形，设置于所述下电极外围，并与下电极同心，所述边缘电极沿圆周方向分割为至少两个部分；所述边缘电极的各部分通过一阻抗调节单元接地连接，以形成一个边缘射频电流接地通路。本发明通过将边缘电极设为从两段到多段的分段式，每段都连接到各自的阻抗调节单元，接地阻抗可独立调节，可以实现在圆周方向更精确的腔体局部阻抗调节，从而更有针对性的改善刻蚀速率的角向非均匀性。

摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置，位于所述等离子体处理装置的反应腔内包括：相对设置的气体喷淋头和静电吸盘；以及，环绕所述气体喷淋头设置的上接地环，所述上接地环沿环形方向分割为多个子接地区；其中，每一所述子接地区各自电连接一位于所述反应腔外的阻抗可调装置。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，将上接地环沿环形方向分割为多个子接地区，且将每一子接地区各自电连接一阻抗可调装置，通过对阻抗调节装置的阻抗进行调节，以达到调节子接地区的接地阻抗的目的；进而，通过优化不同子接地区的接地阻抗实现刻蚀工艺不对称性的补偿，最终使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。

摘要：本发明提供一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备，其中晶圆固定装置可以包括承载晶圆的静电吸盘，以及承载静电吸盘的基座，以及承载基座和静电吸盘的设备板，基座和设备板均为金属材质，设备板和基座可以直接接触，设备板和基座之间也可以填充有柔性导电层，柔性导电层可以提高基座和设备板之间的电接触，增大设备板和基座之间的电容，这样设备板和基座之间可以较大且更稳定的电容，利于设备板和基座之间的射频信号的通过，相应减少其他路径中的射频信号的通过，减少射频信号的功率损失。