摘要：一种大电流高电压、高电流上升率的超大电流高di/dt晶闸管管芯结构，包括硅片、门极、阴极和台面保护，其特殊之处是：所述硅片为N型(100)晶向的中照单晶硅片，在硅片上进行双面P层扩散形成P1层和P2层，P1层表面研磨后扩P+层做阳极面，P2层表面经氧化光刻、单面进行三氯氧磷N+扩散形成N2区，构成非对称的晶闸管P+P1N1P2N2基本结构，所述N2区为所述阴极，所述阴极为条状且条宽为0.5～1.5mm，所述阴极周围为所述门极，所述门极包围所述阴极，且门极与阴极的面积比＝1：8～1：10。

摘要：本发明公开了一种高压清洗机油门控制系统。它的高压泵由发动机驱动，高压泵出液口通过高压管道和溢流卸荷阀的进液口相连，高压管道和高压泵的进液口之间用一条卸荷管道连接，溢流卸荷阀的出液口通过出液管路和喷枪相连，高压泵的另一个出液口安装有油门控制阀，油门控制阀通过钢丝绳和发动机油门相连，当关闭喷枪时，泵出口压力迅速卸荷，同时调节油门使发动机转速降为怠速，当开启喷枪时，泵出口压力迅速升高至工作压力，同时发动机转速上升为高速状态。并且当操作者调节清洗压力的时候，能使发动机油门自动调整到与此清洗压力相对应的位置。

摘要：本发明公开了一种治疗胃癌前病变的胶囊，其特征在于：所述胶囊的配方包括下述重量份比的药物组成，蚕沙30g，黄芪20g，人参15g，莪术12g，红花12g，白花蛇草15g，芦笋15g，黄连9g，双花9g，藿香9g，半夏12g，将上述重量份的原料研磨成粉末，混合均匀后装入胶囊中服用，本发明以传统中药材为原料，采用科学配比制备而成，具有健脾益气、活血化淤、清热解毒、祛湿化痰的功效，能够提高细胞的免疫功能和胃黏膜细胞的再生，并能抑制菌类的活动，对治疗胃癌前期病变和预防胃癌发生有明显效果，且无毒副作用，是治疗胃癌前病变、预防胃癌发生的有效药物。

摘要：本发明涉及一种用于促进胰岛素分泌的基因、其制备方法及其应用。该基因为SEQNO.1所示的碱基序列。本发明设计对与胰岛素分泌有关联的基因的RNAi，并应用胰岛β细胞模型研究其对胰岛素分泌的促进作用。为RNAi在糖尿病的治疗应用提供了一种新方法。

摘要：本发明公开了双回高压线路穿越杆，该穿越杆包括竖杆（1）、避雷线横担（2）、导线上横担（3）和导线下横担（4），避雷线横担（2）、导线上横担（3）和导线下横担（4）从上往下安装在竖杆（1）上，避雷线横担（2）的两端分别安装地线挂线点（5）和上导线跳线挂线点（6），导线上横担（3）的两端分别安装上导线挂线点（7），导线下横担（4）上左右两侧分别对称间隔安装四个下导线挂线点（8），整体构成穿越杆。本发明结构简单，操作方便，导线采用水平与垂直混合型式，线路布置紧凑，既保证线路对地安全距离，又解决线路对上面的高压线路安全距离。

摘要：本发明公开了高压线路双T杆，在竖杆（1）上从上往下呈对称状并间隔安装避雷线支架（2）、原线路上导线横担（3）、双T线路上导线横担（4）、原线路中导线横担（5）、双T线路中导线横担（6）、原线路下导线横担（7）和双T线路下导线横担（8），避雷线支架（2）、原线路上导线横担（3）、原线路中导线横担（5）和原线路下导线横担（7）与双T线路上导线横担（4）、双T线路中导线横担（6）和双T线路下导线横担（8）呈十字交叉分布。本发明使原线路保持原有排列方式不变，但线间垂直距离增加一倍，同回线路空中相连接，不同回路线路在空中十字交叉，线路布置紧凑，保证线路线间和线路对地安全。

摘要：本发明公开了一种MOF衍生的Cu@C催化剂及其制备方法与应用，该制备方法包括如下步骤：将苯三甲酸与醇混合液、铜盐与水混合液充分混合均匀后，加入氟化盐混合搅拌进行自组装预合成，得到溶液A；然后，将溶液A进行转动晶化反应，反应结束后自然冷却，得到生成液B；接着，将生成液B依次进行纯化处理、干燥处理，得到Cu‑MOF金属有机骨架材料；最后，将Cu‑MOF金属有机骨架材料进行N₂热解处理，即可得到MOF衍生的Cu@C催化剂。本发明先通过转动晶化反应获得铜有机骨架材料，再通过热解处理制得催化活性高的MOF衍生的Cu@C催化剂，并将MOF衍生的Cu@C催化剂应用到催化喹啉类与H₂选择性加氢反应制备四氢喹啉类化合物中，大大提高了喹啉的转化率和四氢喹啉的收率。

摘要：一种利用谷氨酸棒状杆菌高效分泌生产类蛛丝、类弹性蛋白并快速纯化的方法，分别将信号肽序列和重组蛛丝蛋白、类节肢弹性蛋白或类丝节肢弹性蛋白的编码基因连接到表达载体自身启动子序列之后，再将构建的重组表达载体转化到宿主谷氨酸棒状杆菌中，得到谷氨酸棒状杆菌重组菌。本发明通过基因工程改造原始谷氨酸棒状杆菌，提升类蛛丝蛋白的分泌水平，较原始菌株相比，提高2.5倍，并建立快速纯化方法，获得纯度高达93％的目的蛋白。

摘要：本申请提供一种电子设备，涉及电子设备技术领域，用于解决如何在保证后置摄像头周围的其他电子器件的性能的前提下，提升电子设备内后置摄像头模组的拍摄性能的问题。其中，电子设备包括背盖和闪光灯模组。背盖包括背盖主体和摄像头装饰件，背盖主体上设有安装口，摄像头装饰件安装于安装口内，背盖上设有由摄像头装饰件的外表面向背盖的内侧延伸的容纳槽，该容纳槽未贯穿背盖的内表面。闪光灯模组安装于容纳槽内，且闪光灯模组朝向容纳槽的位于摄像头装饰件的外表面的一端开口出光。本申请实施例提供的电子设备用于拍摄照片或视频。

摘要：一种超大电流高频快恢复FRD二极管芯片及制作方法，包括厚度为170μm～210μm、截面电阻率为3Ω/□~15Ω/□的N型衬底，N型衬底的△ρn/ρn≦15%、硅片基区宽度≥1.1倍空间电荷区宽度，设在N型衬底正面的N+区、N++区，设在N型衬底背面的P++区，所述N+区结深20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为1.6Ω/□～2.4Ω/□，N++区结深为20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为0.3Ω/□～0.5Ω/□，P++区结深为80μm～90μm，扩散电阻Rsp+为1Ω/□～3Ω/□。制作方法为：1采用N型硅单晶片，确保非穿通结构；2、在N型衬底上制作N+区；3、在N型衬底正、背面同时进行N++和P++扩散，形成N++区和P++区；低温扩铂，残余少子寿命为2~3微秒；步骤1～步骤4操作在无应力下进行。