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发明专利:16实用新型: 8外观设计: 0
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申请号:201010200606.1 公开号:CN102270320A 主分类号:G06Q10/00(2006.01)I
申请人:中兴通讯股份有限公司 申请日:2010.06.03 公开日:2011.12.07
摘要:本发明公开了一种业务结算方法和系统,其中,该方法包括:获取业务的信息;确定符合信息中的业务类型的结算方案;使用确定的结算方案中的第一分割模型对信息中的业务的业务额进行分割,其中,对于分割得到的中间分成项,继续使用结算方案中的第二分割模型进行分割,直到得到最终分成项;统计业务的各个分成者对应的最终分成项的业务额的总和。本发明实现了对业务总额的多次分配,满足了业务结算中对于复杂分成中的二次、三次甚至更多层次的分成需求。
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申请号:202410101979.5 公开号:CN117784434A 主分类号:G02B27/01
摘要:本发明公开了一种偏振双通道AR‑HUD显示器件,包括耦入通道、耦出通道、波导介质以及成像焦平面。耦入通道与耦出通道位于双层波导的内侧;耦入通道由具备左旋圆偏振响应的透镜或右旋圆偏振响应的透镜构成,耦出通道由具备左旋圆偏振响应的透镜和右旋圆偏振响应的透镜构成。其中,左旋圆偏振响应耦入透镜与右旋圆偏振响应耦入透镜的周期相同;左旋圆偏振响应耦出透镜与右旋圆偏振响应耦出透镜的周期相同。本发明运用偏振作为信息传输的通道,采用波导结构作为信息传输路径,相较于传统的结构具有空间利用率高、衍射效率高的特点,应用于AR‑HUD可实现高衍射效率、双焦面的图像传输。
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申请号:202411828817.8 公开号:CN119846842A 主分类号:G02B27/01
申请人:东南大学;新型显示与视觉感知石城实验室 申请日:2024.12.12 公开日:2025.04.18
摘要:本发明公开了一种基于LCoS的小体积单层全彩AR光波导,该AR光波导结构包括LCoS光引擎、平行平板、耦入渐变周期偏振体全息透镜、二维耦出偏振体全息光栅,其中,LCoS与平行平板以光学胶合方式连接;耦入渐变周期偏振体全息透镜起到光线准直与光线偏转耦合的效果,并经过变周期处理使其波长带宽扩展到可见光范围;二维耦出偏振体全息光栅用于将光线扩展向两个方向,起到扩瞳的效果。该结构解决了LCoS光机依赖投影镜头体积过大的问题,实现了小体积下的单层全彩AR光波导。
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申请号:202510252433.4 公开号:CN119758510A 主分类号:G02B5/30
申请人:东南大学;新型显示与视觉感知石城实验室 申请日:2025.03.05 公开日:2025.04.04
摘要:本发明公开了一种偏振全息光学元件及其制备方法,包括:基板层、各向异性介质层;其中,所述基板层,包括基板、表面起伏微结构层,所述表面起伏微结构层,包括起伏微结构,所述起伏微结构呈阵列方式排列在基板上,所述各向异性介质层采用液晶材料。本发明提供的一种偏振全息光学元件及其制备方法,减小了偏振全息光学元件制备难度,并且表面微结构的大小和角度可控拓展了偏振全息光学系统的设计优化维度,为实现大规模偏振全息光学元件的生产和应用提供可能性。
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申请号:202111192931.2 公开号:CN114038995A 主分类号:H01L45/00
申请人:广州大学 申请日:2021.10.13 公开日:2022.02.11
摘要:本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用,该忆阻器包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极,所述底电极为含硅衬底,所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆阻器采用天然氧化层作为阻变层,天然氧化层是由空气自然氧化形成,具有厚度薄、与含硅衬底之间几乎完美的接触界面、表面原子级别光滑、无需人工制备、成本低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势,克服了本领域普遍认为的含硅衬底表面的天然氧化层不利于忆阻器性能的技术偏见。此外,本发明中的忆阻器同时具有优异的数据保持能力、高稳定性、模拟开关特性三种性能。
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申请号:202310297202.6 公开号:CN116456812A 主分类号:H10N70/20
申请人:广州大学 申请日:2023.03.22 公开日:2023.07.18
摘要:本发明涉及神经形态计算芯片技术领域,尤其是涉及一种超薄忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括底电极、阻变层和顶电极,其中,所述底电极的材料为硼重掺杂p型Si,所述阻变层采用SiOx,所述顶电极选用可吸附结合氧的金属材料。本发明采用硼重掺杂p型Si作为底电极,其表面能够在有氧环境中自然形成超薄SiOx层,形成条件简单,降低了制备难度;以可吸附结合氧的金属材料作为顶电极,Sn、Ti、Al金属材料的导电性能优良,而且能够在阻变层SiOx上提供氧存储层;制备得到超薄忆阻器具有优异的数据保持能力、高稳定性、低开关速度,能够成功模拟生物突触STDP学习规则,具有优异的综合性能。
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申请号:202410101976.1 公开号:CN117826410A 主分类号:G02B27/00
摘要:本发明公开了一种渐变周期全息元件衍射效率的计算方法,所述方法包含以下步骤:基于全息元件的设计需求确定全息元件的参考光、物光波矢;输入全息元件的折射率、厚度、折射率调制度等参数;将渐变周期的全息元件离散化为光线作用点处的近似周期光栅的叠加;读取到达全息元件光线的位置和方向,判断带入的光栅矢量;用向量化的kogelnik耦合波理论计算全息元件的衍射效率和光线方向。本发明解决了现有计算方法中仅能计算周期性光栅的衍射效率的缺点,优化了衍射元件光学设计的可靠性,实现了渐变周期全息元件的光能追迹以及成像仿真。
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申请号:202511838484.1 公开号:CN121744532A 主分类号:G06F30/17
申请人:南京理工大学 申请日:2025.12.08 公开日:2026.03.27
摘要:本发明公开了一种基于深度学习的毫米波大动态自适应时频建模方法。该方法首先通过清洗外场雷达实测基带多普勒信号数据,拟合膛内弹丸运动模型,并构建叠加噪声的模拟回波信号模型;其次对回波信号下变频处理,利用自适应滤波器滤除噪声,提取纯净基带多普勒信号;随后将信号转化为弹丸速度曲线,提取输入/输出特征构建包含训练集和测试集的数据集;最终通过深度神经网络训练与测试,建立枪炮内弹道性能预测模型。本发明显著提升复杂环境下弹丸速度曲线的分析效率与预测精度,为武器系统内弹道性能评估提供可靠技术支撑。
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申请号:201810292693.4 公开号:CN108717137A 主分类号:G01R11/24(2006.01)I
申请人:广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司佛山供电局 申请日:2018.03.30 公开日:2018.10.30
摘要:本发明公开了一种基于声音信号的高频高压干扰窃电检测装置,包括拾音器、调理电路、阈值比较电路以及重复触发单稳延时电路。拾音器、信号调理电路、阈值比较电路以及可重复触发但稳延时电路依次串行连接,在拾音器拾拾取信号后通过信号调理、阈值比较电路以及可重复触发单稳延时电路三层处理,确保在高频高压干扰窃电行为发生且达到干扰窃电强度时发出预警信号。本发明能有效避免高频高压干扰对装置本身的损害,可靠性高;各个环节都采用常见元器件搭建的成熟电路组成,建设成本低;所有电路皆采用常规电子电路,电路结构简单,适合各种计量箱紧凑空间的安装。
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申请号:201911170073.4 公开号:CN110732243A 主分类号:B01D53/86
申请人:中冶南方都市环保工程技术股份有限公司 申请日:2019.11.26 公开日:2020.01.31
摘要:本发明提供了一种多仓SCR反应器烟气分仓均流装置,包括若干并排布置的SCR反应器本体,入口烟道和出口烟道;所述入口烟道内设有将烟气均匀导入各SCR反应器本体的导流组件,各所述SCR反应器本体与入口烟道连接处设有多孔板,所述SCR反应器本体内由上至下依次布置有整流格栅和催化剂层。该发明在烟气进入多仓SCR反应器之前,通过在入口烟道中设置导流组件和多孔板实现烟气在多仓SCR反应器中流场均匀分布,从而使得脱硝系统能适应工况变化情况,实现不停机检修,增加系统灵活性,提高脱硝效率、减缓催化剂磨损和氨逃逸等结果。
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