摘要：本发明提供一种反应腔室、基片加工设备及温度控制方法，其包括腔室本体、设置于所述腔室本体内的加热单元和支撑单元，所述加热单元用于加热被加工工件，所述支撑单元用于承载被加工工件，其中，所述支撑单元包括铠装热电偶，所述铠装热电偶与所述被加工工件直接接触，用以直接检测被加工工件的温度。上述反应腔室可以直接检测被加工工件的温度，从而可以准确地获得被加工工件的温度。

摘要：本发明提供一种用于承载晶片的静电卡盘以及等离子体加工设备，包括用于承载晶片的卡盘本体，在卡盘本体内设置有沿其厚度方向贯穿的热传导气体通孔，热传导气体通过热传导气体通孔到达晶片与卡盘本体之间的间隙内；而且，在热传导气体通孔内设有用于测量晶片温度的热电偶，且热电偶的测量端与晶片借助热传导气体在热传导气体通孔内的压力向热电偶的测量端施加向上的作用力实现接触。本发明提供的静电卡盘不仅可以在正常工艺过程中直接检测晶片的温度，而且结构简单、容易加工且制造成本低。

摘要：本发明提供一种加热装置，用于在基片处理设备中对基片进行加热，该加热装置包括多个加热灯及用于安装多个加热灯的安装板，以及与上述安装板相连接的旋转机构，该旋转机构用于驱动安装板进行旋转运动，从而实现对基片的快速、均匀加热。此外，本发明还提供一种应用上述加热装置的基片处理设备。

摘要：本发明提供一种磁控管和磁控溅射设备，包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，在垂直于所述磁控管的径向截面上，所述内磁极为由两段螺旋线首尾串接而形成的不对称的闭合环形，且该螺旋线遵循下述极坐标方程：r＝a×θⁿ+b×(cosθ)^m+c×(tanθ)^k+d，其中，r和θ为极坐标，n，m和k分别为θ、cosθ和tanθ的指数，且-2＜n＜2，-2＜m＜2，-2＜k＜2；而且，所述内磁极和与之形状相对应的外磁极相互不接触地嵌套在一起，以在二者之间形成闭合且不对称的通道；并且，该通道在磁控管扫描靶材表面时经过靶材的中心和边缘。本发明提供一种磁控管，不仅可以实现采用较低的溅射气压就能够满足启辉和维持等离子体的工艺条件，而且还可以提高薄膜厚度在基片径向方向上的均匀性，从而可以提高成膜质量。

摘要：本发明提供的磁控溅射腔室及磁控溅射设备，其包括承载件和环形磁体组件，其中，承载件用于承载环形磁体组件，并使其与磁控溅射腔室内的等离子体隔离；环形磁体组件环绕在靶材的外围，且位于靠近靶材的位置处，用以在进行溅射沉积工艺时，产生可提高靶材边缘区域的磁场强度的辅助磁场，从而可以增加自靶材边缘区域溅射出粒子的数量，且减少自靶材中心区域溅射出的粒子数量，进而可以提高基片边缘区域的薄膜厚度，减小基片中心区域的薄膜厚度。本发明提供的磁控溅射腔室，其不仅可以更灵活地调节磁控溅射腔室内产生的磁场的分布和强度，而且还可以在能够获得低应力的薄膜的前提下，提高薄膜厚度的均匀性。

摘要：本发明提供了一种物理气相沉积方法，该方法包括以下步骤：步骤S1，使基片位于在卡盘上，开启上电极电源且保持下电极电源关闭，对基片的整个表面沉积第一厚度的导电薄膜；或者，使基片位于卡盘上，开启上电极电源和下电极电源，对基片的整个表面沉积第一厚度的导电薄膜，并且，设置压环和卡盘之间的间距和下电极电源的输出功率在预设范围内，以满足避免打火现象的发生的要求；步骤S2，使压环将基片固定在卡盘上，压环通过第一厚度的导电薄膜与基片电连接，打开上电极电源和下电极电源，对基片的表面沉积第二厚度的导电薄膜，以使基片完成沉积目标厚度的导电薄膜。本发明提供的物理气相沉积方法可以避免发生打火现象。

摘要：本发明提供一种半导体加工设备，包括反应腔室和设于所述反应腔室外侧的电磁装置，所述电磁装置包括电源和多个独立的电磁线圈，所述多个电磁线圈沿反应腔室的圆周方向间隔排列，所述电源为所述电磁线圈提供电能。该半导体加工设备不仅可实时调节不同半径处的磁场强度，而且可以实时调节相同半径、不同圆周位置处的磁场强度。

摘要：本发明公开了一种用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备。本发明的磁控溅射腔室包括腔体、设置于腔体顶部的靶材、设置于靶材上方的磁控管、以及设置于腔体内部且位于靶材下方的基座，磁控管在靶材上的投影面积小于五分之一的靶材面积，以提高介质气体的离化率，从而提高对硅通孔的填充速率。根据本发明的半导体处理设备包括本发明的磁控溅射腔室。本发明的磁控溅射腔室和半导体处理设备，均提高了对硅通孔的填充速率。

摘要：本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁极和开路磁极，闭合磁极包围开路磁极，闭合磁极和开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％。该磁控元件通过设置闭合磁极和开路磁极，能适用于RF/DC PVD技术，通过调节闭合磁极和开路磁极之间形成的等离子体路径的形状与分布，能在全工艺压力范围下使溅射沉积薄膜满足设定的均匀性要求，从而大大提高了沉积薄膜的均匀性；该磁控元件适用的磁控溅射系统以及适用的薄膜沉积材料都比较广泛，并且，该磁控元件还能提高靶材的利用率。

摘要：本发明提供一种ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法，该ITO薄膜的制备方法至少包括以下步骤：步骤S1，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以在P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的ITO界面层；步骤S2，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积ITO电流扩散层。本发明提供的ITO薄膜的制备方法，不仅可以降低LED芯片的驱动电压，而且可以提高工艺效率和提高工艺质量。