摘要：本发明公开了一种基于无人机的电磁信号采集及处理装置，包括安装座、处理器、壳体、透明罩、支撑架、左涡轮、左减速电机、左蜗杆、自复位拨动开关、辅助部分，所述安装座底端中部固定有水平的处理器，所述安装座底部安装有壳体，所述壳体底端固定有透明罩，所述透明罩呈不完全球体壳状。本发明能够利用支撑架的前后摆动和滑块的左右滑动能够对采集器的位置进行调节，而左蜗杆与左涡轮的啮合以及右蜗杆与不完全涡轮的啮合能够间接防止支撑架和滑块的意外移动，从而在无人机持续水平移动的过程中能够对不同方向的电磁信号进行良好的采集，避免了无人机机体倾斜造成的电磁信号采集不便的问题，继而保证电磁信号采集的高效性。

摘要：本发明提供了一种光伏发电系统的电力收集系统及方法，包括：通过光伏发电系统所在地区气象规律信息，预测所在地区光伏发电量分布，获取地区发电量预测分布；根据地区发电量预测分布，监测追踪光伏发电系统所在地区的光伏发电能效比并进行排序，获取光伏分区发电能效比排序结果；根据光伏分区发电能效比排序结果，进行光伏分区发电能效比筛选及度电成本控制，获取度电成本区域分布；根据度电成本区域分布，进行多个光伏分区发电能效比筛选区域的集散配合电力收集。

摘要：本发明公开了一种野外光伏发电系统快速搭建设备及其搭建方法，所述搭建设备包括：车体、立柱，所述车体的车厢内各顶角处均设置有所述立柱，位于车厢两侧的所述立柱均设置有第一伸缩组件，其中一组所述第一伸缩组件的一端连接所述立柱，另一端连接第一光伏板，并用于将车厢两侧的第一光伏板沿立柱顶端转动；所述搭建方法包括以下步骤：将车体移动至目标区域，在目标区域外围设置隔离带，启动电动伸缩杆驱动第一连杆组件进行伸长，第一连杆组件伸长带动第一光伏板由竖直状态调整为水平状态，同时第一光伏板被抬升直至与第二光伏板高度相同；用以解决野外搭建光伏发电系统费时费力的问题。

摘要：一种基于T型结的八路功分‑合成网络及参数优化方法。该网络包括：k端对应的第三T型波导功分层包括1个第三一级端口和2个第三二级端口；k端对应的第二T型波导功分层包括2个第二一级端口和4个第二二级端口；第一T型波导功分层包括8个第一一级端口，4个第一一级端口设置于第一T型波导功分层的k端，另4个第一一级端口设置于第一T型波导功分层与k端相对的q端；q端对应的第二T型波导功分层包括2个第二一级端口和4个第二二级端口；q端对应的第三T型波导功分层包括1个第三一级端口和2个第三二级端口；预设信号输入与k端对应的第三一级端口，在q端对应的第三一级端口得到第一功分信号，目标信号的功率高于预设信号的功率。

摘要：一种楼梯模块、复合式楼梯模块及组合式楼梯，楼梯模块包括：一集装箱框架和设置于集装箱框架内的至少一个楼梯，集装箱框架包括顶架、底架以及连接在顶架和底架之间的角柱，楼梯的顶部与顶架相连，楼梯的底部与底架相连；复合式楼梯模块包括过道模块和楼梯模块，过道模块由集装箱框架构成，楼梯模块的楼梯为全宽楼梯，其自身不带过道，过道模块与楼梯模块配合使用，充当楼梯模块的过道；组合式楼梯至少包括底层模块和顶层模块，还可包括至少一层中层模块，底层模块和中层模块均为楼梯模块，顶层模块仅包括集装箱框架，而没有楼梯。组合式楼梯应用在临时性建筑中，使临时性建筑的建造效率提高，成本降低，拆装、运输方便，并可回收利用。

摘要：本申请涉及一种积分互通及扣减方法和电子设备，包括：接收发起商品兑换的商家平台发送的兑换商品指令，兑换商品指令中包含用户标识信息和兑换商品所需的积分值，兑换商品指令是发起商品兑换的商家平台接收到用户的兑换商品操作后发送的；在接收到兑换商品指令后，执行积分互通及扣减策略，积分互通及扣减策略包括：根据用户标识信息获取用户账户中的总积分值，总积分值为用户在多个已绑定的商家平台上的积分值的总和；在总积分值大于或等于兑换商品所需的积分值时，根据预设规则确定至少一个已绑定的商家平台上需要扣减的积分值；向需要扣减积分的商家平台发送扣减请求，以在相应的商家平台上完成积分扣减。

摘要：本发明公开了一种具有Ni‑Mo合金势垒层的N‑PbTe温差电单体及其制备方法，在N‑PbTe温差电单体的两端复合有Ni‑Mo合金势垒层，Ni‑Mo合金势垒层厚度为3μm～7μm，合金中Mo质量含量为8％～12％。以N‑PbTe温差电单体为基体材料，首先脉冲电镀，选择矩形波形，通断比为1：9，电流调节分别为0.005～0.015A，电镀时间为5～15min；再进行直流电镀，电流调节为0.1～0.2A，电镀时间为2～6min；最后再进行一次脉冲电镀，过程和条件与前次脉冲电镀相同。本发明势垒层中少量金属Mo的引入，可有效抑制界面势垒层高温氧化，同时对提升元件单体的抗高温蠕变性能做出贡献。

摘要：本发明公开了一种电中性掺杂的GeTe基赝三元温差电材料及其制备方法，在GeTe基赝三元温差电材料中掺杂电中性碲化铋Bi₂Te₃。该材料的分子式为(GeTe)_0.8‑y(Mn_0.6Pb_0.4Te)_0.2(Bi₂Te₃)_y，其中y为0.015～0.04，y为原子数。按照分子式进行原材料配制；采用中频熔炼的方法进行合金固溶体熔炼，温度800℃～1000℃，时间40min～60min；对熔炼好的合金固溶体进行粉碎过200目筛；采用热压工艺进行材料成型，压力30MPa～60MPa，温度500℃～650℃，保温保压时间40min～60min；对成型后材料进行热处理，热处理温度400℃～520℃，处理时间360min～720min。本发明掺杂具有“自补偿效应”的电中性Bi₂Te₃，改变相转变温度；同时提高材料的机械强度。

摘要：本发明公开了一种拓扑半金属材料碲化铋的制备方法，使用5N纯度的Bi和Te为初始原料，按照摩尔比Bi：Te＝2:3进行称料，装入超纯水清洗过的石英坩埚，将坩埚抽真空至10^‑3Pa量级并封口；将石英坩埚放入摇摆炉中，温度700℃～1000℃，摇摆速度10圈/分钟～20圈/分钟，摇摆时间15～30分钟；将合成好的Bi₂Te₃源材料放入坩埚下降炉中进行沉积生长，温度750℃～880℃，保温小时3～5小时后开始沉积生长，生长速度为2毫米/天～5毫米/天，生长天数2天～5天。本发明拓扑半金属仅有一薄层导电层，极易通过表面态操纵电子自旋，提高了自旋器件的可能性。

摘要：本发明公开了一种具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体及其制备方法，在GeTe基温差电单体的两端有纳米复合结构界面势垒层。纳米复合结构界面势垒层厚度为1μm～3μm，势垒层为三层材料叠加：Mo—纳米C—Mo，各层材料厚度设计比例为Mo:纳米C:Mo＝2:1:2。所述GeTe温差电单体分子式为GeTe_x(Pb_aMn_1‑aTe)_1‑x，其中x的取值范围为80％～95％，a的取值范围为60％～70％，百分比为原子百分比。分三层溅射，溅射过程实现纳米结构原位生长，溅射顺序为Mo—纳米C—Mo。本发明采用磁控溅射工艺进行微米级势垒层制作，显著减低界面势垒层厚度，提高单体有效高度；界面势垒层引入纳米结构，可有效提高集成界面质量，降低接触电阻。