摘要：本发明公开了一种用于防治苹果斑点落叶病的45％己唑醇·多菌灵悬浮剂，它包含己唑醇、多菌灵、十二烷基苯磺酸钙、乙二醇、山梨酸钾、羟乙基纤维素和有机硅氧烷，其中己唑醇的重量百分含量为1％～10％，多菌灵为35％～44％。并提供了具体的制备方法，同时还介绍了它的田间试验效果，证明它是一种防治苹果斑点落叶病的新农药。

摘要：本发明提出一种便携式折叠收纳的柔性屏设备，包括主体、两个动力支撑臂、柔性屏组件，主体内设有收卷装置和动力装置，两个动力支撑臂分别转动连接于动力装置两端，柔性屏组件一端两侧分别与两个动力支撑臂活动连接，柔性屏组件另一端固定缠绕于收卷装置上，动力装置转动带动两个动力支撑臂相向转动并向外张开后，两个动力支撑臂同时带动柔性屏组件向上升起以将柔性屏组件张开；本发明采用自动折叠收纳的方式对动力支撑臂进行收纳以节省对外占用空间；两个动力支撑臂既充当动力，有利于柔性屏组件的伸展固定使用；采用一个驱动装置同时带动两个动力支撑臂进行转动；采用了防护布对柔性屏的背面进行保护，有利于对柔性屏进行保护。

摘要：本发明提出一种高稳定性柔性屏升降机构，包括主体、两个支撑臂、柔性屏组件，支撑臂包括壳体组件、驱动装置、升降件、保护盖，壳体组件内设有收纳槽，驱动装置固定收容于收纳槽内并与主体电连接，升降件与壳体组件滑动连接，驱动装置的转轴上设有丝杆，丝杆一端与壳体组件转动连接，丝杆贯穿升降件并与升降件螺纹连接，保护盖与壳体组件固定连接并遮挡收纳槽，柔性屏组件贯穿保护盖并与升降件转动连接；本高稳定性柔性屏升降机构采用丝杆传动进行升降的方式带动柔性屏进行升降，减小了外部因素容易对柔性屏的升降带来负面效果使其不平衡的情况发生，有利于电子设备中的柔性屏的稳定升降。

摘要：本发明提出一种便于折叠收纳的柔性屏展开支撑机构，包括主体、柔性屏组件、两个弹性支撑机构，两个弹性支撑机构分别活动连接于主体两侧，柔性屏组件一端的两侧均活动连接于两个弹性支撑机构之间，柔性屏组件另一端收卷于主体内，弹性支撑机构包括支撑臂、第一弹性件；本便于折叠收纳的柔性屏展开支撑机构在未配置电机的情况下能够快速展开为柔性屏进行支撑，方便实用，同时也能够折叠收纳，有利于用户收纳或外出携带随时使用。

摘要：本发明公开了一种交流电力电子模块端口阻抗特性的获取装置及方法，所述装置包括被测对象、等效负载、阻抗分析仪(频率响应分析仪)以及连接它们的电路，其特征在于，在被测对象和阻抗分析仪(频率响应分析仪)之间的电路上还依次设有平衡点相位检测装置和扰动相位控制装置。本发明区分了交、直流电力电子模块的工作点类型，解释并解决了扰动频率较高时出现的计算或测量结果随机变化现象，给出了交流模块端口阻抗的计算和测量方法。通过本发明可获得交流电力电子模块端口在不同扰动频率点(特别是在扰动频率接近或超过周期平衡点频率时)正确的阻抗特性。

摘要：本发明公开了一种冲压模具，通过在上模座和下模座之间设置有下脱板，下脱板能够藉以上模座的运动相对下模座做向下运动，同时下脱板和下模座之间还设有能驱动下脱板复位的复位机构；另在下模座的上侧面并偏离上模座的位置处还定位设置有第一挡块和第二挡块，第一挡块的上侧面上自由设置有一与下脱板相配合的翘翘板块，翘翘板块朝向下脱板的一侧延伸出第一挡块外，并能够在上模座和下脱板的作用下做上下摆动，翘翘板块一侧的上下摆动恰能够相应的带动翘翘板块的另一侧抵顶和脱离于第二挡块；该冲压模具不仅可以防止产品外侧表面被刮伤、擦伤，而且可以减少折弯回弹、避免过长的折边在急速转折过程中出现翘曲变形现象，很好的提高了产品良率。

摘要：本发明涉及一种具有屏蔽层的屏蔽栅MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术难以在不牺牲器件电学性能的情况下大幅减少器件转移电容的问题。该屏蔽栅MOSFET器件的导通区包括多个周期性排列的原胞，每个所述原胞的栅极结构均包括沟槽、主屏蔽电极、两个副屏蔽电极和沟槽栅电极；其中，沟槽设置于半导体衬底上的第一导电类型的外延层中；主屏蔽电极、两个副屏蔽电极和沟槽栅电极均设置于所述沟槽内；沟槽栅电极设置于沟槽顶部，主、副屏蔽电极设置于沟槽栅电极下方，且两个副屏蔽电极对称设置于主屏蔽电极顶部两侧位置；主屏蔽电极、两个副屏蔽电极、沟槽栅电极均采用第二导电类型材料，彼此之间通过介质层隔离。

摘要：本发明涉及一种双分裂栅功率MOSFET器件及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术无法实现在不增加导通电阻的情况下提高击穿电压的问题。一种双分裂栅功率MOSFET器件，所述MOSFET器件的导通区包括若干个周期性排列的原胞，每个所述原胞均包括沟槽、屏蔽电极、浮空电极、沟槽栅电极和源极；其中，所述沟槽，设置于半导体衬底上的第一导电类型的外延层中；所述屏蔽电极、浮空电极和沟槽栅电极由下至上依次平行设置于所述沟槽中，彼此之间通过介质层隔离；所述屏蔽电极、浮空电极和沟槽栅电极均采用第二导电类型材料；所述屏蔽电极与所述源极电位连接。本发明中的MOSFET器件能够在不增加导通电阻的情况下提高击穿电压。

摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术难以在不牺牲器件电学性能的情况下大幅减少器件转移电容的问题。该器件的导通区包括若干个周期性排列的原胞，每个所述原胞的栅极结构均包括沟槽、上屏蔽电极、下屏蔽电极和沟槽栅电极。其中，沟槽设置于半导体衬底上的第一导电类型的外延层中；下屏蔽电极、上屏蔽电极由下至上依次设置于所述沟槽中；沟槽栅电极设置于所述沟槽的顶部，下屏蔽电极、上屏蔽电极、沟槽栅电极均采用第二导电类型材料，彼此之间通过介质层隔离。

摘要：本发明涉及一种具有高掺杂层的分裂栅功率MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件领域，解决了现有技术无法在提高击穿电压的同时进一步降低器件通态电阻的问题。MOSFET器件导通区包括若干个周期性排列的原胞，每个原胞均包括沟槽、屏蔽电极和沟槽栅电极；沟槽设于半导体衬底的外延层中；屏蔽电极设于沟槽中，沟槽栅电极设置于沟槽顶部；屏蔽电极、沟槽栅电极均采用第二导电类型材料；外延层采用第一导电类型材料，包括依次层叠于半导体衬底上的、掺杂类型相同的第一外延层、第二外延层和第三外延层；第一外延层与第三外延层的掺杂浓度相同且均低于第二外延层的掺杂浓度。该MOSFET器件在提高击穿电压的同时进一步降低了器件的导通电阻，提高了器件的FOM值。