摘要：本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、图案化的牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的条状区域，其中在所述条状区域中靠近所述主芯片区域的一端的两侧形成有条状的蚀刻液阻挡层；在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；在所述第二半导体材料层和所述间隙壁形成覆盖层，以覆盖所述第二半导体材料层和所述间隙壁；通过湿法蚀刻去除所述间隙壁和所述主芯片区域下方的所述牺牲层，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。所述方法可以解决条状区域悬空的问题。

摘要：本发明涉及一种化学机械研磨设备及化学机械研磨的方法。所述方法包括：在第一研磨盘上对基片进行第一研磨，其中所述基片划分为五个以上的研磨区域，研磨至所述研磨区域中的任何一个的基片厚度达到第一预定值，并比较所述研磨区域的基片厚度；在第二研磨盘上对所述基片进行第二研磨，根据比较的结果调节对所述研磨区域施加的压力比，直到所述研磨区域的基片厚度相等；以及在所述第二研磨步骤之后在所述第二研磨盘上对所述基片进行第三研磨，在所述第三研磨过程中所述基片往复移动。所述方法可以保证所述晶圆的边缘轮廓的性能，从而使整个晶圆具有更为

摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在半导体衬底上形成第一半导体层；在该第一半导体层上形成第一绝缘物层；在该第一绝缘物层上形成图案化的第二半导体层，其中该第二半导体层的实际厚度大于该第二半导体层的目标厚度，该第二半导体层露出第一绝缘物层的一部分；在该第一绝缘物层的被露出的部分上且在该第二半导体层的侧面上形成用作间隔物的第二绝缘物层；以及对第二半导体层执行刻蚀以将该第二半导体层减薄到目标厚度并去除第二绝缘物层。本发明可以消除在后续去除第一绝缘物层的过程中对间隔物的毛细

摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底以及位于该衬底上的多层膜，其中所述多层膜形成台阶；形成覆盖在台阶上的保护层；在保护层上形成覆盖所述半导体结构的覆盖层；以及去除所述多层膜中的至少一层膜以形成由覆盖层与所述多层膜中剩余的至少一层膜构成的空腔。本发明可以解决现有技术中形成空腔时所使用的刻蚀工艺对覆盖层的台阶造成损害而产生裂缝的问题，从而可以提高器件的可靠性。

摘要：本发明提供了一种MEMS麦克风及其形成方法，包括：在振动膜上形成牺牲层，并在所述牺牲层上形成具有第一开口的导电层；于所述第一开口的侧壁上形成侧墙；在所述导电层上形成绝缘层，所述绝缘层充填位于所述牺牲层上的凹槽以形成阻隔块；去除部分所述牺牲层，使得所述振动膜与导电层之间形成一空腔。在本发明提供的MEMS麦克风的形成方法中，在导电层中开口的侧壁上形成侧墙，通过所述侧墙使需形成阻隔块的凹槽侧壁与导电层的上表面形成一平缓的表面，从而后续所形成的阻隔块不存在有致密性较差的区域，以改善所述阻隔块易被蚀刻剂侵蚀的问题。

摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：在第一电极层上形成牺牲层，所述牺牲层具有凹槽，所述凹槽具有尖的底部；在所述牺牲层上形成第二电极层，所述第二电极层具有露出所述凹槽的第一开口；形成支撑层以填充所述凹槽和所述第一开口并覆盖所述第二电极层，其中所述凹槽中填充的支撑层作为阻挡部；在所述支撑层和所述第二电极层中形成第二开口，所述第二开口使得所述牺牲层露出；去除所述牺牲层的一部分，从而形成空腔。本发明可以改善阻挡部的形貌。

摘要：本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方，所述振膜的边缘部分的厚度大于所述振膜的中心部分的厚度；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间，所述中心部分和部分所述边缘部分暴露在所述空腔中。其中，振动边缘增厚的振膜可以使缺陷点(weak point)处的振膜厚度达到振动中间区域的两倍或者两倍以上，提高耐受的声音强度，增加器件的抗摔能力和最大声音阈值，大大的提高器件的可靠性。

摘要：本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：衬底；振膜，位于所述衬底上；固定脚，位于所述衬底和振膜之间并且设置于所述振膜的边缘位置；阻隔结构，贯穿设置于所述固定脚中并将所述阻隔结构两侧的所述固定脚相互隔离；背腔，形成于所述衬底中并露出所述振膜。本发明在所述MEMS器件中在所述固定脚中通过设置阻隔结构，可以在背腔蚀刻时用于阻隔所述固定脚被蚀刻，对所述固定脚起到保护作用，不仅可以精确控制固定脚(anchor)大小，还可以减少BOE对晶圆边缘氧化硅的侧向刻蚀的偏差，在不牺牲麦克风性能的前提下提高成品率。

摘要：本申请的一些实施例公开了一种单光子雪崩二极管装置、单光子雪崩二极管变焦传感器、可变焦微透镜系统和激光雷达系统，涉及光电探测技术领域，单光子雪崩二极管装置可以智能控制光电探测效率。单光子雪崩二极管装置包括：单光子雪崩二极管和微透镜；单光子雪崩二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；光吸收区位于第一掺杂区远离第二表面一侧，包括中性区和耗尽区，中性区相比耗尽区远离所述第一掺杂区；微透镜设置于单光子雪崩二极管的第一表面一侧，微透镜被配置为在处于第一环境的情况下，将来自第一环境的光线聚焦到中性区；在处于第二环境的情况下，将来自第二环境的光线聚焦到耗尽区；第一环境的光强度大于第二环境的光强度。

摘要：一种墙面喷涂工艺，S1、对需要喷涂的墙面进行预处理；S2、对防腐涂料进行调配灌装；S3、使用喷涂设备对墙面进行景点喷涂；S4、使用烘干装置对墙面进行烘干处理；对墙面粉化严重的地方进行铲除，对松动、起皮、鼓包的进行清除，使用腻子将墙面等基层上的坑凹、缝隙等进行补充，干燥后用砂纸将凸出处磨平，并将浮尘扫净直至基面平整洁净。本发明本发明增强涂层的美观性，预处理还包括对墙面的平滑处理，能够填补细微的裂缝和凹凸，使涂层表面更加光滑，增强整体的美观性；延长涂层使用寿命，通过对墙面的预处理，还能够有效防止涂层在使用过程出现剥落、开裂等问题，从而延长涂层的使用寿命。