摘要：本发明涉及一种多晶硅刻蚀工艺，其步骤如下：(1)刻蚀硬掩膜；(2)去胶；(3)多晶硅刻蚀；(4)过刻蚀：反应气体中溴化氢的流量为100-500sccm，氮气的流量为1-50sccm，氦/氧气的流量为0-100sccm，上下电极功率分别为400-1500w、0-200w，压力为10-50mTorr。本发明针对新型的硬掩模层(Hardmask)的结构，使用四氟化碳刻蚀RCHX+硅的氧化物组成的硬掩膜层，氟与碳可以形成少量的(CF₂)_n的聚合物，从而保护硬掩膜层的侧壁，氧气的加入可以产生更多的F原子，加速硬掩膜层的刻蚀，减少微沟道的产生。

摘要：本发明提供了一种硅片卸载工艺，其步骤包括吹扫和卸载，其中吹扫步中工艺气体为O₂和He的混合气体，卸载步中工艺气体为O₂。本发明的硅片卸载工艺既可以有效的释放硅片上残留的电荷，还可以去除聚合物，降低颗粒和缺陷的数量，提高了产品的良率和产率。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性，还可以避免系统升级、节约大笔开支。

摘要：本发明提供了一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺，该工艺包括点火步和清洗步，其中工艺气体为单纯的O₂，它对阳极氧化的腔室表面没有任何伤害，同时又可以保证腔室的工艺条件对于每一片进来的晶圆都是相同的。该工艺既能够维持工艺的稳定性，又降低了颗粒的产生，延长了零件的使用寿命。

摘要：本发明提供一种刻蚀方法，包括：初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，所述初刻蚀采用氟基气体和氯基气体的混合气体形成等离子体。所述氟基气体包括CF4、CH2F2、CHF3中的一种或至少两种的组合，所述氯基气体包括Cl2、CH2Cl2、CH3Cl中的一种或至少两种的组合。本发明所述的刻蚀方法，在初刻蚀步骤中增加氯基气体如Cl2作为刻蚀气体，使得Dense区图案中线条线宽的缩小量比Iso区图案中线条线宽的缩小量更大，这一趋势与PR-loading效应导致的Dense区图案中线条线宽比Iso区更大刚好相反，从而最终补偿PR-loading效应对线宽均匀性的影响，进而在半导体晶片各处获得均匀的AEI线宽。

摘要：本发明提供一种干法清洗时间的确定方法，其包括：步骤100，借助于清洗气体对等离子体工艺腔室内壁上的附着物进行清洁处理，并利用红外光谱仪实时测定所述腔室内壁上的附着物的红外吸收光谱；步骤300，根据所述附着物的红外吸收光谱确定所述清洗气体进行清洁处理的终点时刻。本发明还提供一种工艺腔室的干法清洗方法以及应用上述方法的等离子体处理设备。此外，本发明还提供一种干法清洗时间的确定装置，以及应用该装置的离子体处理设备。本发明提供的上述方法/装置及设备能够较为精确地确定对工艺腔室进行干法清洗时的终点，从而提高工艺生产效率，并延长工艺腔室及其内部的部件的使用寿命。

摘要：一种硅栅极的刻蚀方法，用于对包括硅栅的硬掩膜图案层和硅栅层的膜层进行刻蚀形成硅栅极；包括初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀的步骤，其特征在于，在所述的初刻蚀步骤中的刻蚀剂中添加有硬掩膜图案层刻蚀抑制剂。一种提高硅栅极线宽腔室匹配的方法；本发明的方法可以提高对硅栅极线宽的控制和调节能力，可以提高硅栅极线宽腔室匹配度。

摘要：本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池及制备方法，涉及太阳能开发技术领域，为提高光电转换效率而发明。所述非晶硅薄膜太阳能电池包括玻璃基板，在玻璃基板上设有至少一个立体电池单元；其中立体电池单元包括：沉积在玻璃基板上、且设为立体凸起状的透明导电膜，以及在透明导电膜上依次沉积的非晶硅层及金属背电极。所述非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，包括：在玻璃基板上沉积透明导电膜；通过光刻和刻蚀，使透明导电膜形成立体凸起状；在立体凸起状的透明导电膜上沉积非晶硅层；在非晶硅层上沉积金属背电极。本发明可用于太阳能发电技术中。

摘要：本发明提供了一种降低薄膜电池漏电流的方法，该方法是：在PIN层上开设凹槽，该凹槽用于沉积与透明导电极层相电连接的背电极层，所述PIN层包括沉积的P型掺杂Si层；在凹槽的侧壁上沉积用于防止隧道电流从背电极层直接流入所述PIN层的P掺杂Si层的绝缘层。本发明还提供一种薄膜电池，包括：透明导电极层、PIN层、凹槽、第一背电极层和第二背电极层；在所述凹槽的侧壁上还依次沉积有绝缘层。本发明通过在PIN层的凹槽的侧壁上沉积绝缘层(优选采用SiN和SiO2复合的绝缘层)作为保护层，能够有效地避免背电极到P型掺杂Si层的隧道电流，从而提高短路电流和转化效率。

摘要：本发明公开了一种用于等离子体加工设备的电极板和清除工艺沉积物的方法，涉及等离子体加工技术领域，为易于清除附着于电极板板面的沉积物，避免使用干法清洗造成的成本上升及可能造成温室效应等副作用而发明。本发明的电极板由导电材料制成，所述电极板的一侧板面为凸起和凹槽形成的曲面。本发明的清除沉积物的方法，包括：采用高频等离子体轰击一侧板面为凸起和凹槽形成的曲面的上电极。本发明可用于等离子体加工工艺中。

摘要：本发明公开了一种太阳能电池结构及其制备方法，涉及太阳能技术领域，为优化表面减反射钝化层的光学性能和钝化性能，提高电池的光电转换效率而发明。所述太阳能电池结构，包括电池基片，所述电池基片的迎光面上设置有包括m(m为整数且m≥3)层膜结构的SiNx减发射钝化层；第一层膜结构设置在所述电池基片上，第二层膜结构设置在所述第一层膜结构上...第m层膜结构设置在第m-1层膜结构上；所述第一层膜结构的折射率大于所述第二层膜结构...所述第m层膜结构的折射率大于所述第m-1层膜结构。本发明可用于晶硅太阳能电池工艺中。