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发明专利:42实用新型: 0外观设计: 1
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申请号:201680004070.1 公开号:CN108377656A 主分类号:G06F17/30(2006.01)I
申请人:谷歌有限责任公司 申请日:2016.12.15 公开日:2018.08.07
摘要:一种数字内容加速系统,包括:用于存储有键数据的有键数据库;数据检索引擎,其响应于接收到有键数据项而检索下述之一:i)搜索数据,其指示与所述有键数据项相关联的搜索历史,ii)web历史数据,其指示由与有键数据项相关联的终端设备访问的一个或多个web页面,或iii)i)和ii)两者;解析引擎,其从搜索数据和web历史数据中提取一个或多个属性;终端设备网络访问引擎,其基于所述一个或多个属性来生成地理位置的概率分布;内容选择引擎,其从数字内容提供者检索与所述地理位置中的特定地理位置相关联的数字内容;以及,预组装数
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申请号:201180067151.3 公开号:CN103348443A 主分类号:H01L21/02(2006.01)I
申请人:德塞拉股份有限公司 申请日:2011.12.09 公开日:2013.10.09
摘要:元器件(10)包括基板(20)和电容器(40)。基板(20)可具有第一表面(21)、第二表面(22)和从第一表面延伸的开口(30)。电容器(40)可包括第一导电板(61)、第二导电板(62)、第三导电板(71)和第四导电板(72),每个板都沿开口(30)的内表面(31)延伸。电容器(40)可包括分别在间隔开的第一位置和第二位置暴露的第一电极(163)和第二电极(164)、分别在间隔开的第三位置和第四位置暴露的第三电极(173)和第四电极(174)。第三板(71)可覆盖第一板(61),且通过第一介电层(81)使二者分隔开。第二板(62)可覆盖第三板(71),且通过第二介电层(82)使二者分隔开。第四板(72)可覆盖第二板(62),且通过第三介电层(83)使二者分隔开。
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申请号:201710096957.4 公开号:CN107045972A 主分类号:H01L21/02(2006.01)I
申请人:德塞拉股份有限公司 申请日:2011.12.09 公开日:2017.08.15
摘要:本发明公开了一种高密度三维集成电容器,包括基板,具有第一表面、远离所述第一表面的第二表面、及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的贯通开口;第一金属元件,在所述第一表面暴露,并延伸至所述贯通开口内;第二金属元件,在所述第二表面暴露,并延伸至所述贯通开口内,所述第一金属元件和所述第二金属元件可与第一电位和第二电位电连接;电容器介电层,至少在所述贯通开口内使所述第一金属元件与所述第二金属元件相互分隔开并绝缘,所述电容器介电层具有起伏的形状。
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申请号:202380016671.4 公开号:CN118541555A 主分类号:F16H48/24
申请人:伊顿智能动力有限公司 申请日:2023.01.10 公开日:2024.08.23
摘要:本公开涉及一种电子锁定差速齿轮机构,具有用于感测和指示锁定机构的锁定状态和解锁状态的锁定检测机构。电子锁定差速齿轮机构包括电气定子,该电气定子在启动时使斜面轴环围绕该机构的轴线旋转。斜面轴环的斜面使多个推杆轴向移位,该多个推杆使锁定轴环移位并使该锁定轴环与锁定齿轮接合,从而使机构处于锁定状态。传感器组件检测与推杆的位移一起进行的感测板的位移,从而感测该机构是处于锁定状态还是解锁状态。防旋转凸耳与传感器组件的突出部相互作用,以阻止感测板相对于其他部件旋转。
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申请号:202080083035.X 公开号:CN115135434A 主分类号:B22F3/10
申请人:莫特公司 申请日:2020.11.24 公开日:2022.09.30
摘要:本发明公开了一种双密度圆盘,包括:一个致密外管,包含纯度高于99%的氧化铝;以及一个多孔芯体,包含密度低于致密外管密度的氧化铝;其中,所述多孔芯体的氧化铝纯度高于99%。本发明还公开了一种方法,包括:向致密外管中填充浆料,所述浆料包含氧化铝粉末和造孔剂;将填充浆料的致密外管加热到300‑600℃,使造孔剂活化;在致密外管中形成多孔芯体;以及在800‑2000℃下一次或分段烧结致密外管及多孔芯体。
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申请号:201080015692.7 公开号:CN102387790A 主分类号:A61K9/19(2006.01)I
申请人:赛福伦公司;法国赛福伦公司 申请日:2010.04.01 公开日:2012.03.21
摘要:在此说明了蛋白酶体抑制剂的冻干饼,连同用于其生产的方法及用途。
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申请号:201080069192.1 公开号:CN103109349A 主分类号:H01L21/00(2006.01)I
申请人:德塞拉股份有限公司 申请日:2010.10.13 公开日:2013.05.15
摘要:微电子单元包括微电子元件,例如具有单晶形式的半导体区域的集成电路芯片。半导体区域具有以第一方向延伸的正面、邻近正面的有源电路元件、远离正面的背面、及向背面延伸的导电通路。导电通路可通过无机介电层与半导体区域绝缘。开口可从背面延伸,穿过半导体区域的部分厚度,沿第一方向,开口和导电通路具有各自的宽度。在开口与导电通路相交处,开口的宽度可比导电通路的宽度更大。后触点可与导电通路电连接,并在背面暴露,用于与如另一类似微电子单元、微电子封装或电路板等外部电路元件电连接。??
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申请号:201080069190.2 公开号:CN103222353A 主分类号:H05K5/00(2006.01)I
申请人:德塞拉股份有限公司 申请日:2010.10.15 公开日:2013.07.24
摘要:微电子单元包括具有正面、远离正面的背面、及具有在正面的开口及位于载体结构正面下方的内表面的凹陷的载体结构。微电子单元可包括具有邻近内表面的底面、远离底面的顶面、及在顶面上的复数个触点的微电子元件。微电子元件可包括与微电子元件的触点电连接的端子。微电子单元可包括介电区域,至少与微电子元件的顶面接触。介电区域可具有平坦表面,与载体结构的正面共面,或高于载体结构的正面。端子可暴露在介电区域的表面,以与外部元件互连。
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申请号:201180066039.8 公开号:CN103339717A 主分类号:H01L21/60(2006.01)I
申请人:德塞拉股份有限公司 申请日:2011.03.22 公开日:2013.10.02
摘要:提供的微电子组件(100)包括,基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成的第一元件(110),第一元件(110)具有面对且与微电子元件(102)的主表面(104)附接的表面(103),复数个导电垫(106)在主表面(104)暴露,微电子元件(102)内具有有源半导体器件。第一开口(111)从第一元件(110)的暴露表面(118)朝着与微电子元件(102)附接的表面(103)延伸,第二开口(113)从第一开口(111)延伸至第一个导电垫(106),其中在第一开口与第二开口相交处,第一开口的内表面(121)和第二开口的内表面(123)相对于微电子元件(102)的主表面(104)以不同角度延伸。导电元件(114)在第一开口(111)及第二开口(113)内延伸,且可与至少一个导电垫(106)接触。
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申请号:201180066989.0 公开号:CN103339725A 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
申请人:德塞拉股份有限公司 申请日:2011.12.07 公开日:2013.10.02
摘要:微电子单元(12)包括基板(20)和导电元件(40)。基板(20)可具有小于10ppm/℃的热膨胀系数,主表面(21)具有未贯穿基板而延伸的凹陷(30),弹性模量小于10GPa的材料(50)沉积在凹陷内。导电元件(40)可包括覆盖凹陷(30)并从被基板(20)支撑的锚部分(41)延伸的接合部分(42)。接合部分(42)可至少部分地在主表面(21)暴露,用于与微电子单元(12)外部的元器件(14)连接。
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