摘要：在蓝宝石（Al₂O₃）衬底11的（0001）晶面上形成GaN膜12后，通过湿腐蚀而留下岛状GaN膜12。该岛状的GaN膜12的上部由单晶体层构成。通过进行外延生长而留下岛状的GaN膜12，就可以获得几乎没有晶体缺陷的GaN膜12。

摘要：一种III－V族化合物半导体外延层，其上部区具有倾斜角至多为100秒并且/或者其扭转角至多为100秒的晶体结构。用掩模外延生长该层，其中该掩模满足如下等式(1)：h≥(w/2)tan θ ……(1)其中“θ”是在外延生长时的III－V族化合物半导体层刻面结构的基角；“h”是掩模的厚度；“w”是掩模下层的开口宽度，并且该开口宽度被限定在与基底层表面和刻面结构的侧面垂直的平面所包含的方向上。

摘要：本发明涉及用于生长半导体等、特别是III族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平均开口部直径小于与第一多孔层相比更靠近于基板侧的第二多孔层的空隙的平均直径，第一以及第二多孔层具有10～90％的体积空隙率，且第一多孔层的空隙的50％以上从第一多孔层表面向第一多孔层与第二多孔层的界面贯通。根据本发明的多孔基板，即使采用以往的结晶生长方法，也能容易地在该多孔基板上生长低缺陷密度的外延结晶。

摘要：本发明的无机材料的制造方法(S10)包括：玻璃化工序(S12)，使用环球式磨机机构(70)对混合了多种无机化合物的粉体而成的混合粉(MP)作用剪切应力和压缩应力，由此使混合粉(MP)的至少一部分玻璃化；以及分散工序(S13)，在玻璃化工序(S12)之后，使玻璃化后的混合粉(MP)分散，使由玻璃化工序(S12)和分散工序(S13)组合而成的工序进行多次，从混合粉(MP)得到玻璃化后的无机材料的粉体。

摘要：本发明的粉碎装置，包括：容器，与排出管连接；磨机机构，位于所述容器的内部，粉碎对象物；气体送入机构，向所述容器内送入气体；以及翼机构，控制从所述排出管排出的气体的排出量。所述翼机构具有在圆周上配置的多个翼，通过相邻的所述翼彼此之间的间隙的变化来控制所述排出量。