摘要：本发明公开了电流检测方法及电路，以提高检测精度，所述方法包括步骤：获取检测电流；生成基准电流；根据所述检测电流及基准电流，判断检测电流是否达到预定值；该电路包括：检测电流获取模块，用于获取检测电流；基准电流生成模块，用于生成基准电流；检测模块，用于基于检测电流获取模块获取的检测电流及基于基准电流生成模块生成的基准电流，检测出检测电流是否达到预定值。

摘要：本发明公开了高阶补偿带隙基准电压源，包括用于输出基准电压的输出支路，其特征在于，还包括用于充当电阻作用的接地电阻结构和高阶补偿电路，所述高阶补偿电路和输出支路并联，且均连接至接地电阻结构的电流输入端，接地电阻结构的电流输出端接地，以及所述高阶补偿电路用于在温度升高导致输出支路中电流减小时向接地电阻的电流输入端输入电流，这种结构无需依赖精确的工艺，适用很多种工艺，应用范围广泛，此外不会大幅度增加电路面积，另外本发明提供的高阶补偿带隙基准电压源的温度系数远远优于现有高阶补偿带隙基准电压源的温度系数。

摘要：本发明提供了LED驱动芯片及LED电路，以防止现有LED驱动芯片过温会停止工作，导致安全事故等问题。所述LED驱动芯片包括误差放大器，还包括过温识别模块，用于识别出LED驱动芯片过温；电压控制模块，用于在过温识别模块识别出过温的情况下，将所述误差放大器同向输入端连接的原参考电压更换为新参考电压，所述新参考电压的电压值低于原参考电压的电压值。

摘要：本发明涉及一种基于全桥电测法的微型电阻式位移计，属于地质力学模型试验技术领域；该位移计主要包括薄铜片，测试螺栓，保护壳，4个应变片及其导线，带孔底座；其中，测试螺栓固定在薄铜片的上端，薄铜片的中部和下端置于保护壳中，薄铜片的中部两侧表面的相对位置粘接四个应变片，薄铜片的下部与底座固定；4个应变片分别与导线相连接组成全桥电路。本发明可以测量坝体表面或岩体内部的位移，而且具有微型、轻质、灵敏度高、稳定性好的特点，特别适用于地质力学模型试验。

摘要：本发明涉及重晶石粉胶结岩土相似材料及其制作模拟岩体的方法，属于地质力学模型试验中岩土材料的模拟技术领域，该相似材料由重晶石粉为骨料，膨润土为辅助材料，以及107胶和水混合的稀释胶水构成混合料；该方法包括：采用相似材料制作水胶比—抗剪强度f曲线、计算不同批次的相似材料湿密度及采用各批次混合料制作模拟岩体的小块体试件：本相似材料具有成本低、无毒，易于加工制作小块体的特点，很好的满足地质力学模式试验对相似材料的要求；同时，用本相似材料制作模拟岩体不影响模型砌筑过程，制作迅速，可以大大加快模型试验的进度。尤其适用于小块体砌筑的模型试验领域。

摘要：本发明涉及一种地质力学模型试验中不连续构造面模拟结构及其方法，属于地质力学模型试验技术领域，该结构由脱水石膏片试件、在脱水石膏片试件两个表面各紧贴一层或多层纸张组成。该方法包括脱水石膏片试件的制作，纸张摩擦系数f值的确定，脱水石膏片与纸张结合制作完成不连续构造面模拟结构三部分；本发明能更加精确的模拟岩体的不连续构造面，使地质力学模型试验的结果更加准确。

摘要：本发明涉及模拟岩体结构的小块体模型压制设备，属于地质力学模型试验技术领域,该设备包括框架式底座，固定在框架式底座上的小块体模具、模具上顶块、推拉盖板、压力杠杆和限程拉杆；其中，小块体模具和推拉盖板安装在框架式底座上表面，模具上顶块设置在小块体模具下部，其上端面插入模拟岩体的小块体模具的腔体中，限程拉杆置于压力杠杆一端。本发明可以大大加快小块体模型的制作速度，提高小块体模型的质量，节省大量的人力、物力；同时可以根据需要调节小块体的尺寸、形状与高度；为地质力学模型试验的顺利进行提供保障。

摘要：本发明公开了一种触控显示装置及其控制方法、电路。在触控阶段，控制电路使触控显示装置的薄膜晶体管截止的同时，数据线和公共电极提供相同的控制信号。数据线和公共电极在触控阶段始终等电位，即由数据线和公共电极构成的寄生电容无法被充电。本发明有效避免了上述寄生电容对检测触控信号的影响，提高了触控检测的精度。

摘要：本发明公开一种异质纳米线复合固态电解质及其制备方法与应用，其包括一维无机填料和聚合物基质，一维无机填料交织于聚合物基质内部形成三维骨架，一维无机填料为表面具有氧空位的镉离子掺杂氧化铋‑磷钼酸异质纳米线，聚合物基质包括聚氧化乙烯及锂盐，电化学性能好、力学性能优、稳定性强。

摘要：本发明公开了一种三代微光像增强器分辨率调节装置及调节方法。分辨率调节装置是用管体定位夹具和阴极组件夹具将被调节的三代微光像增强器固定在一个框架体内的工作平台上，由施压手柄、压力传递杆、刚性压力头构成的加压机构安装在被调像增强器的轴向上方，压力传感器放置在加压机构与阴极组件夹具之间，两台精密尺寸监测仪的探头分别放在刚性压力头和像增强器铟封盘上。实施分辨率调节时，通过加压机构对像增强器施压，并实时监测刚性压力头和像增强器铟封盘在压力作用下的位置变化量，当两者的差值等于像增强器前近贴距离的实际值与设计值的差值时，即停止加压。本发明不仅可简化三代微光像增强器的制管工艺，同时也可降低其成本费用。