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发明专利:
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1:
[发明]
一种基于模型仿真的堆叠型晶体管优化栅偏压设置方法
申请号:
201910002654.0
公开号:CN109800489A 主分类号:G06F17/50
申请人:
广东工业大学
申请日:2019.01.02 公开日:2019.05.24
发明人:
彭林
;
章国豪
摘要:本发明涉及射频集成电路技术领域,具体涉及一种基于模型仿真的堆叠型晶体管优化栅偏压设置方法,本发明将所有共栅管的漏源电压设成VDS,max,兼顾效率的考虑,输入共源管的漏源电压则由末级饱和输出及各级共栅管的增益共同确定。而要使得各个管子达到所期望的漏源电压值,就要对它们的栅极偏置电压进行优化设置。本发明的目的是使得M1管在给定VG1的前提下,与末级共栅管Mn同时进入输出饱和状态。本发明综合考虑了各种寄生效应,将VTH定义为在特定频率下,使晶体管的最大增益为0时的栅偏压。本方法具有很好的操作性,且避免了用电流
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2:
[发明]
一种具有高谐波抑制功能的输出阻抗匹配网络设计方法
申请号:
201910351890.3
公开号:CN110222366A 主分类号:G06F17/50
申请人:
广东工业大学
申请日:2019.04.28 公开日:2019.09.10
发明人:
彭林
;
章国豪
摘要:本发明公开了一种具有高谐波抑制功能的输出阻抗匹配网络设计方法,通过利用多级T形网络进行设计,在不增加电路复杂度的前提下,给工程人员提供更多的设计自由度,在限定的带内增益平坦度范围内以达到更优的谐波抑制能力,实现功放效率提升的目的。
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3:
[发明]
一种用于功率放大器的偏置电路及功率放大器
申请号:
201910492199.7
公开号:CN110120788A 主分类号:H03F1/30
申请人:
广东工业大学
申请日:2019.06.06 公开日:2019.08.13
发明人:
彭林
;
章国豪
摘要:本发明公开了一种用于功率放大器的偏置电路,相比现有技术的偏置电路中温度补偿效果、线性化效果与信号完整性之间产生矛盾的问题,通过镇流电阻、第一晶体管、第二电阻、第三电阻、电流镜和第二晶体管构成了电流负反馈电路,以降低流过镇流电阻的电流的方式进行补偿,达成了自适应温度负反馈效果,因此在增大镇流电阻的阻值以增强温度补偿效果的同时,不会对射频功率管的线性度造成影响,消除了温度补偿与线性补偿之间的矛盾,进而避免了线性补偿与信号完整性之间的矛盾,使功率放大器实现了热稳定性和线性度的双提升。本发明还公开一种功率放大器,具有上述有益效果。
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4:
[发明]
一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路
申请号:
201910508998.9
公开号:CN110311632A 主分类号:H03F1/30
申请人:
广东工业大学
申请日:2019.06.13 公开日:2019.10.08
发明人:
彭林
;
章国豪
摘要:本发明公开了一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路,包括偏置电路和放大电路;放大电路包括匹配电路、隔直电容C1、射频功率管QRF、电感L1;匹配电路连接于射频输入端与隔直电容C1之间,隔直电容C1的另一端与射频功率管QRF的基极连接;电感L1连接于射频功率管QRF的集电极与Vcc端之间,射频输出端分别与射频功率管QRF和电感L1连接;偏置电路包括温度补偿模块、线性化电容C2、晶体管Q3;线性化电容C2一端接地,另一端分别与温度补偿模块和晶体管Q3连接;晶体管Q3的一端与隔直电容C1和射频功率管QRF之间的电路连接。本发明优于传统偏置电路对参考电压波动的敏感性且具有高温漂抑制能力。
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5:
[发明]
一种测风速风向的毫米波多普勒雷达阵列
申请号:
202210089409.X
公开号:CN114720986A 主分类号:G01S13/95
申请人:
河源广工大协同创新研究院
申请日:2022.01.25 公开日:2022.07.08
发明人:
杨畅
;
章国豪
摘要:一种测风速风向的毫米波多普勒雷达阵列,包括收发机单元TRX、数字信号处理单元DSP、存储器SRAM和模数/数模转换电路AD/DA;所述数字信号处理单元DSP、存储器SRAM和模数/数模转换电路AD/DA依次串联形成控制总线;若干所述收发机单元TRX并联后接入所述控制总线,以通过操控所述控制总线在任意时刻开启或关闭任一所述收发机单元TRX。相比传统的超声波雷达,探测距离更远,探测精度更高。相比于激光多普勒雷达,成本低体积小,受天气状况影响小,具有显著的成本优势,技术优势和可行性。
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6:
[发明]
共源共栅级联型高压大电流氮化镓功率器件及其制造方法
申请号:
202510287027.1
公开号:CN119812139A 主分类号:H01L23/367
申请人:
广东工业大学
申请日:2025.03.12 公开日:2025.04.11
发明人:
王祥
;
章国豪
摘要:本申请涉及一种共源共栅级联型高压大电流氮化镓功率器件及其制造方法,该氮化镓功率器件包括导热基板、硅基开关管和氮化镓器件;氮化镓器件与硅基开关管连接,氮化镓器件的结构背面蚀刻有通孔,通孔与氮化镓器件的结构正面的漏极连接,通孔内填充有用于降低氮化镓器件热阻以提升氮化镓器件工作电流的高导热金属。该氮化镓功率器件通过在氮化镓器件的蚀刻通孔并在通孔内填充高导热金属,高导热金属与氮化镓器件的漏极连接,在保证氮化镓器件正常电气工作条件的同时有效降低了氮化镓器件的热阻,能有效提升900V及以上耐压等级的氮化镓器件的工作电流,也提升了氮化镓器件的散热能力,从而降低氮化镓器件的面积以提升氮化镓器件制造良率。
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7:
[发明]
一种Cascode级联型GaN HEMT器件老化测试方法及系统
申请号:
202510776142.5
公开号:CN120352750A 主分类号:G01R31/26
申请人:
广东工业大学
申请日:2025.06.11 公开日:2025.07.22
发明人:
王祥
;
章国豪
摘要:本申请公开了一种Cascode级联型GaN HEMT器件老化测试方法及系统,本申请提供的方案通过在FT电性测试与反偏老化流程之前,加入高温老化处理,通过该处理过程模拟了器件在高温条件下器件的高速带载开关过程,通过短时间施加略超过器件额定值的瞬态电压,将器件内部的缺陷完全激活,从而能更好的挑选出早期失效的产品。
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8:
[发明]
功率器件的动态电流预测方法及装置
申请号:
202511443942.1
公开号:CN120893480A 主分类号:G06N3/0464
申请人:
北京智芯微电子科技有限公司
;
广东工业大学
申请日:2025.10.10 公开日:2025.11.04
发明人:
王祥
;
章国豪
摘要:本申请涉及集成电路设计技术领域,特别涉及一种功率器件的动态电流预测方法及装置,其中,方法包括:基于脉冲I‑V与双脉冲平台进行同步多通道采集并进行数据预处理;通过一维卷积提取局部瞬态与振荡特征,双层LSTM建模时序依赖与记忆关系,端到端回归输出开关电流序列;以回归误差最小化为目标,结合优化与学习率调度进行训练,并采用早停等策略抑制过拟合;以均方根误差、平均绝对误差、决定系数为核心指标进行预测性能评估,并通过波形叠图检视上升沿、下降沿、过冲、拖尾等片段的一致性,从而从全局与局部两个层面客观反映拟合质量,支撑对关键瞬态的工程判断,增强了对不同工况下动态行为的适配性与稳定性,提高了预测的一致性。
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9:
[发明]
一种应用于SOICMOS射频开关的控制电路
申请号:
201510131104.0
公开号:CN104796171A 主分类号:
申请人:
广州钧衡微电子科技有限公司
申请日:2015.03.25 公开日:2015.07.22
发明人:
刘斌
;
陶亮
;
章国豪
摘要:本发明公开了一种应用于SOI CMOS射频开关的控制电路,包括带隙基准电路,低压差线性稳压器,环形振荡器,电压反相器,非交叠时钟电路、电荷泵及电平转换电路,其中该控制电路的核心单元为一个产生负电压的电荷泵电路。在本发明中,带隙基准电路与低压差线性稳压器相连,低压差线性稳压器的输出端与电荷泵相连,所述环形振荡器的输出端经反相器I1与反相器I2的输入端相连,反相器I1和反相器I2的输出端与非交叠时钟产生电路的输入端相连,非交叠时钟产生电路的四个输出端与电荷泵的输入端相连,电荷泵的输出端OUTCP经过电平转换电路为SOI CMOS射频开关提供控制。本发明的能产生负电压的电荷泵能快速启动且具有低稳态电流,可以保证在大射频信号条件下射频开关管能处于很好的关闭状态,从而改善射频开关的线性和隔离度。
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10:
[发明]
一体化智能微波负载牵引谐波自动调配器
申请号:
201710230499.9
公开号:CN107015934A 主分类号:G06F13/38(2006.01)I
申请人:
东莞赛唯莱特电子技术有限公司
申请日:2017.04.05 公开日:2017.08.04
发明人:
曾瑞枫
;
章国豪
摘要:一种一体化智能微波负载牵引(Load Pull)谐波(Harmonic)自动调配器。在说明书附图1中,一体化智能微波负载牵引(Load Pull)谐波自动调配器由平板电脑(U0)、接口(J)、接口连接件(L)、谐波调配器(Harmonic Tuner)组成。本发明将计算机、控制器、谐波调配器全部集成在一起,形成一体化智能微波负载牵引(Load Pull)谐波自动调配器,实现了微波负载牵引谐波调配器的一体化、智能化、小型化、轻便、无连线、用户无需做任何安装和设定工作、使用很方便的目的。
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