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1:
[发明]
一种户内真空断路器
申请号:
201810699440.9
公开号:CN110660609A 主分类号:H01H33/662
申请人:
上海索菱电力科技有限公司
申请日:2018.06.29 公开日:2020.01.07
发明人:
吴勇
;
缪猛
摘要:一种户内真空断路器,箱体为台阶状结构,台阶状结构的低端内设置有永磁体,台阶状结构的高端内设置有操动机构拉杆;永磁体包括静铁芯,静铁芯为竖置的圆柱形筒体,圆柱形筒体的顶部和底部设置有封盖,静铁芯的中心设置有动铁芯,静铁芯与动铁芯的连接处从上到下依次设置有分闸线圈、永久磁铁、合闸线圈;动铁芯的顶部设置有顶部杆,动铁芯的底部设置有底部杆,顶部杆与绝缘拉杆连接,底部杆通过拐臂与右侧的输入拐臂的一端连接,输入拐臂的另一端通过连杆与传动臂连接。本发明结构合理,降低了断路器分闸速度,行程中止时运动速度低,冲击小,延长了永磁操动机构的使用寿命,在遇到突发事件时能手动操作,减少了处置时间,降低了损失。
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2:
[发明]
一种具有智能监控系统的侧装式真空断路器
申请号:
201911007126.0
公开号:CN112701012A 主分类号:H01H71/04
申请人:
上海索菱电力科技有限公司
申请日:2019.10.22 公开日:2021.04.23
发明人:
缪猛
;
吴勇
摘要:本发明涉及侧装式真空断路器,具体涉及一种具有智能监控系统的侧装式真空断路器,包括侧装式真空断路器和智能监控系统,智能监控系统包括安装在真空断路器上的控制器,安装在真空断路器三相触头处的温度传感器,安装在真空断路器上用于检测真空断路器电流电压的电流检测模块、电压检测模块,安装在真空断路器闸刀处用于检测闸刀位置的第一接近开关、第二接近开关,安装在真空断路器上用于识别二维码的二维码识别模块,与二维码识别模块相连用于解码二维码图像信息并获取相关技术参数的解码模块;本发明所提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的不能有效监控真空断路器工作运行状态的缺陷。
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3:
[发明]
一种三维介入器械电磁装置及系统
申请号:
202410577177.1
公开号:CN118141520A 主分类号:A61B34/20
申请人:
梅奥心磁(杭州)医疗科技有限公司
申请日:2024.05.10 公开日:2024.06.07
发明人:
陈越猛
;
缪晓辉
摘要:本申请公开了一种三维介入器械电磁装置及系统,涉及医疗设备技术,包括:第一电磁线圈模块、第二电磁线圈模块以及第三电磁线圈模块,分别与第一双极程控电源、第二双极程控电源以及第三双极程控电源相连,并受控于控制指令产生指令大小的电流,以根据通入的电流分别在三维空间产生相应维度的磁场,所述第一电磁线圈模块,其线圈结构为跑道型中空线圈;所述第二电磁线圈模块,设置于所述第一电磁线圈模块线圈结构的中空部分;所述第三电磁线圈模块,采用圆角中空线圈,正对于手术床垂直方向上、朝向患者胸部心脏位置设置。本申请通过双极可编程电源控制模块,实现对正交三维磁场的控制,实现将介入器械导航到心腔内预定位置。
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4:
[发明]
查询操作指令优化方法、装置、电子设备及存储介质
申请号:
201911204591.3
公开号:CN112883059A 主分类号:G06F16/2453
申请人:
阿里巴巴集团控股有限公司
申请日:2019.11.29 公开日:2021.06.01
发明人:
缪哲语
;
李猛
;
吴迪
;
乔智
摘要:本发明实施例公开了一种查询操作指令优化方法、装置、电子设备及存储介质,所述方法包括:获取查询操作指令,并根据所述查询操作指令获取对应的查询操作对象数据,其中,所述查询操作对象数据为压缩数据,携带有对应的属性信息;根据所述查询操作对象数据确定与其对应的查询可操作压缩数据,并获取所述查询可操作压缩数据的属性信息;根据所述查询可操作压缩数据的属性信息对于所述查询操作指令进行分级优化,得到优化后的查询操作指令。该技术方案适用性强,避免了繁琐的数据解压过程,在很大程度上节省了被解压数据的存储空间,简化了数据操作流程,提高了数据操作性能。
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5:
[发明]
查询语句的处理方法、装置、设备及介质
申请号:
202010076254.7
公开号:CN113157720A 主分类号:G06F16/242
申请人:
阿里巴巴集团控股有限公司
申请日:2020.01.23 公开日:2021.07.23
发明人:
李猛
;
缪哲语
;
吴迪
;
乔智
摘要:本发明公开了一种查询语句的处理方法、装置、设备及介质。其中,查询语句的处理方法包括:获取查询语句中的第一计算表达式;其中,第一计算表达式包括多个第一计算单元;根据运算优先级由高到低的顺序,生成多个第一计算单元对应的第一计算单元序列;按照第一计算单元序列的序列顺序,对每个第一计算单元的输入数据执行该第一计算单元对应的运算处理,得到查询语句对应的运算处理结果。根据本发明实施例,能够提高查询语句对应的运算处理速度。
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6:
[发明]
一种基于磁体排布优化的磁场生成方法
申请号:
202410096467.4
公开号:CN117912793A 主分类号:H01F7/06
申请人:
绍兴梅奥心磁医疗科技有限公司
申请日:2024.01.24 公开日:2024.04.19
发明人:
缪晓辉
;
皇甫江涛
;
陈越猛
摘要:本发明提出了一种基于磁体排布优化的磁场生成方法,包括:获取目标磁场点位以及目标磁场方向;在同一弧面的不同方向配置多个线圈阵列,其中,每个线圈阵列的中心点的磁场方向与目标磁场方向相对中心点与目标磁场点位的连线对称;基于每个线圈阵列的中心点的磁场方向,确定当前线圈阵列中,各组线圈单元需要产生单元磁场的对应方向。本发明通过将构成单元磁场方向设计成与目标单元磁场方向关于构成单元中心和目标单元中心连线对称,以此提高构成单元磁场在目标单元中心点的目标磁场方向的磁场强度,实现在相同能耗下达成目标方向上最高磁场强度,并且节省能源消耗。
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7:
[发明]
SOI晶圆及其制造方法
申请号:
202411940440.5
公开号:CN119812097A 主分类号:H01L21/762
申请人:
上海新傲芯翼科技有限公司
申请日:2024.12.25 公开日:2025.04.11
发明人:
陈猛
;
缪远
;
魏星
;
李炜
摘要:本发明提供SOI晶圆及其制造方法,通过执行热氧化工艺,在支撑衬底的正面和/或器件衬底的正面上形成埋氧层,且在支撑衬底的背面形成第一厚度的氧化层,在键合工艺之后,执行加固热处理工艺,以固化SOI晶圆,接着执行机械研磨工艺,以减薄SOI晶圆的厚度,其中,调整支撑衬底与器件衬底之间的埋氧层和支撑衬底背面的氧化层的厚度差和/或机械研磨工艺中的研磨应力,以使SOI晶圆的弯曲度满足预设值。本发明通过调节SOI晶圆中支撑衬底的背面氧化层和支撑衬底与器件衬底之间的埋氧层厚度差,匹配机械研磨工艺中的研磨应力,以使SOI晶圆的弯曲度满足预设值,减小了SOI晶圆的整体弯曲度,使后续的双面化学机械抛光工艺中的SOI晶圆更加均匀可控。
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8:
[发明]
一种洋葱育性恢复的cDNA分子标记及其应用
申请号:
201110129226.8
公开号:CN102212519A 主分类号:C12N15/11(2006.01)I
申请人:
山东省农业科学院蔬菜研究所
申请日:2011.05.18 公开日:2011.10.12
发明人:
吴雄
;
霍雨猛
;
刘冰江
;
缪军
;
杨妍妍
;
张一卉
摘要:本发明涉及一种洋葱育性恢复的cDNA分子标记及其应用,属于生物技术技术领域。本发明提供一种洋葱育性恢复的cDNA分子标记,核苷酸序列如SEQ?ID?NO.1所示;鉴别上述cDNA分子标记的特异引物,上游引物F240核苷酸序列如SEQ?ID?NO.2所示,下游引物R240核苷酸序列如SEQ?ID?NO.3所示;以及上述cDNA分子标记及特异引物在鉴别洋葱质核互作雄性不育育性恢复系及保持系材料中的应用。本发明所述的cDNA分子标记稳定;辅助选择操作简便,节约成本。
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9:
[发明]
一种洋葱雄性不育基因Ms位点共分离的SSR共显性分子标记及其应用
申请号:
201210042457.X
公开号:CN102586239A 主分类号:C12N15/11(2006.01)I
申请人:
山东省农业科学院蔬菜研究所
申请日:2012.02.23 公开日:2012.07.18
发明人:
吴雄
;
霍雨猛
;
杨妍妍
;
刘冰江
;
缪军
摘要:本发明公开了一种洋葱雄性不育基因Ms位点共分离的SSR共显性分子标记WH-SSR-1,开发此标记所用的核苷酸引物序列如SEQ?ID?NO.3和SEQ?ID?NO.4所示,应用此标记检测洋葱样本的引物核苷酸序列如SEQ?ID?NO.1和SEQ?ID?NO.2所示。本发明的洋葱雄性不育基因Ms位点共分离的SSR共显性分子标记及引物可以用于鉴别洋葱雄性不育基因Ms位点基因型:提取待检测洋葱样本的叶片总DNA,经引物PCR扩增后,检测扩增产物的大小。本发明的分子标记不仅克服了以往分子标记的不足,而且避免了常规方法繁琐的筛选过程,还可以节省4-6年杂交测交时间以及此过程中大量人力、物力消耗,从而使得其操作过程更简单、有效。
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10:
[发明]
一类喹啉-8-甲酰胺类化合物、其制备方法及其医药用途
申请号:
201110164858.8
公开号:CN102827142A 主分类号:C07D401/04(2006.01)I
申请人:
中国科学院上海药物研究所
申请日:2011.06.17 公开日:2012.12.19
发明人:
王猛
;
贺茜
;
杨春皓
;
李晓华
;
陈奕
;
缪泽鸿
摘要:本发明涉及一种通式I所示的喹啉-8-甲酰胺类化合物,其制备方法以及在制备抗肿瘤药物中的用途。
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