摘要：本发明公开了一种新的祛病延年抗衰老的中药保健品，它是以制何首乌、桑椹子、旱莲草、女贞子、生地黄、忍冬藤、豨莶草、菟丝子、杜仲、怀牛滕、川芎、赤芍、鸡血藤、山茱萸、黄芪、生谷芽、陈皮、生甘草为原料，根据不同特性，分别采取粉碎成微粉，蒸馏、乙醇回流提取再经水煎煮三次，其提取经处理的半成品，喷雾干燥后制成胶囊剂，本发明配方合理，制作方法科学，保健效果显著。

摘要：本发明公开了一种新的治疗艾滋病的药物，它是以紫花地丁、夏枯草、贯众、蒲公英、金银花、半枝莲、天葵子、蚕休、赤芍、丹皮、生地黄、玄参、丹参、乳香、没药、三七、川 、当归、党参、炒白术、黄芪、陈皮、生甘草、生谷芽、山药、黄精、淫羊藿、白芨为原料，将各组分除杂整理干净，全部粉碎后混合，采用醇水2次提取法有效成分，将将2次提得的药液混合均匀，喷雾干燥后，用干压法制成颗粒剂或冲剂，分装，灭菌。本发明配方科学合理，治疗效果明显，服用方便。适用于HIV病毒感染的各个阶段及具有各种艾滋病指征性疾病的患者，基本无毒副作用，可长期服用。

摘要：一种棚板装载工艺的应用方法，用于石油压裂支撑剂(陶粒)隧道窑烧结领域里，采用棚板拼接作装载容器。由棚板(1)，柱(2)，围板(3)，压缝板(4)组成，棚板(1)为正方形板块；柱(2)为柱状，其横截面为正方形或长方形，每边中部有凹形缺口，在柱(2)的四边上形成四条凹槽；围板(3)为长方形板块，其长边长度比棚板(1)边长窄，其短边长度比柱(2)高度短，其厚度稍小于柱(2)上的凹槽宽度；压缝板(4)为长条形方块，其长度与围板(3)长边相同，其横截面为正方形，正方形边长与围板(3)厚度相同。与现有技术比较，本发明具有生产成本低、生产效率高、能耗低、产品质量稳定等优点，可用于支撑剂生产中也可用于其它陶粒的生产行业。

摘要：本发明公开了一种多功能牙刷，包括牙刷头和手柄，所述手柄上装有播放器。所述播放器包括电源、电源开关、播放器芯片、按键和扬声器；电源与电源开关连接，电源开关与播放器芯片连接，播放器芯片与按键和扬声器连接。本多功能牙刷对现有的牙刷进行改进，增加了播放器的功能，在播放器芯片编入程序，可编入英语单词、英语朗读等内容，在刷牙时，打开电源开关，便可播放，强制使用者进行习惯性的学习。尤其是起床后刷牙时人的精神是比较饱满的，记忆力也是比较好的，这个时候进行学习，记忆效果好，而且刷牙是每天都要做的，每天学习一部分，积少成多。本多功能牙刷的牙刷头与手柄为可分离的结构，可将牙刷头拆卸下来，手柄可随身携带，方便学习。

摘要：本发明提供一种采用ID和密码对用户和试卷进行管理的考试系统，对用户登陆权限和答题权限进行管理；本发明的考试系统，包括数据存储模块，用以存储试卷信息及用户信息；登陆模块，接收用户发送用户ID和用户密码，并与数据存储模块中的用户信息进行匹配判断，判断登陆权限以向用户开放该权限的对应功能；答题模块，接收用户发送的试卷ID和试卷密码，并与数据存储模块中的试卷信息进行匹配判断，如果试卷ID和试卷密码匹配，则以向用户显示该试卷ID对应的试卷；以及判题模块，接收用户发送的试卷答案，并与数据存储模块中存储的试卷信息进行匹配判断，统计用户得分并发送给用户。

摘要：一种优化CMOS图像传感器版图的方法及刻蚀方法，其中刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层；在所述介质层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述介质层，直至去除部分厚度的所述介质层；对所述介质层执行释放电荷工艺；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀剩余所述介质层。本发明的刻蚀方法能够有效的保护被刻蚀介质的边角，本发明的优化CMOS图像传感器版图的方法，能够提高CMOS图像传感器的填充因子，有效地提高CMOS图像传感器的图像质量。

摘要：一种接触孔形成方法，包括：提供形成了一个以上栅极结构的半导体衬底；在所述半导体衬底以及栅极结构上沉积第一氧化硅-氮化硅-第二氧化硅的复合结构；在第一氧化硅-氮化硅-第二氧化硅的复合结构上沉积多晶硅层，所述多晶硅层填充栅极结构之间的空隙并且厚度大于栅极结构的厚度；采用干法刻蚀工艺去除与栅极位置对应的多晶硅，只保留位于栅极结构之间的多晶硅；采用湿法刻蚀工艺去除暴露出的第二氧化硅；在暴露出的氮化硅层上以及多晶硅层上沉积介质层；平坦化所述介质层至暴露出多晶硅层；去除所述多晶硅层，形成接触孔。所述方法去除了干法刻蚀之后第二氧化硅层侧壁的多晶硅的残留。

摘要：本发明公开了一种利用P型离子注入形成双深度隔离沟道的方法，具体是通过对图像传感器像素单元区进行P型离子注入，利用在浅沟道隔离蚀刻过程中掺杂后的衬底硅比不掺杂衬底硅蚀刻速率低的特点，降低像素单元区的沟道深度，从而在器件的不同区域形成不同深度的隔离浅沟道。在保证后续沟道填充工艺不受影响的条件，沟道深度降低后的像素单元区允许像素单元之间的间隔缩小，从而增加像素单元中感光有源区的面积，进而增加了感光有源区所占芯片总面积的比例（即像素填充率），从而提高传感器的成像质量。

摘要：本发明公开了一种利用N型离子注入形成双深度隔离沟道的方法，具体是通过对图像传感器外围电路区进行N型离子注入，利用在浅沟道隔离蚀刻过程中掺杂后的衬底硅比不掺杂衬底硅蚀刻速率高的特点，适当缩短蚀刻时间来降低像素单元区的沟道深度而保证外围电路区隔离沟道的深度不受影响，从而在芯片的不同区域形成不同深度的隔离浅沟道。在保证后续沟道填充工艺不受影响的条件下，隔离沟道深度降低后的像素单元区允许像素单元之间的间隔缩小，从而增加像素单元中感光有源区的面积，进而增加了感光有源区所占芯片总面积的比例（即像素填充率），从而提高传感器的成像质量。

摘要：本发明实施例公开了级联样式表解析方法及解析器、网页展示方法及服务器，所述级联样式表解析方法包括：当用户通过浏览器向服务器提交的网页访问请求对应的级联样式表CSS文件不存在时，CSS解析器接收服务器传递的所述CSS文件的CSS文件地址，获取与所述CSS文件地址一一对应的预先保存的CSS模板文件，将所述CSS模板文件解析成高级语言的可执行文件，并运行所述可执行文件以获得所述CSS文件的目标CSS代码。采用本发明实施例的方法、解析器或者服务器，可以减少CSS编译器的解析次数，也提高CSS编译器的解析效率。进一步的，本发明实施例将业务逻辑代码文件和模板文件进行了分离，不会使CSS代码出现耦合性。