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1:
[发明]
提高直流偏置特性的材料制备方法及磁粉芯的制备方法
申请号:
201711342994.5
公开号:CN108242309A 主分类号:H01F1/147(2006.01)I
申请人:
东睦新材料集团股份有限公司
申请日:2017.12.14 公开日:2018.07.03
发明人:
聂军武
摘要:提高直流偏置特性的材料制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)用140目的筛网对铁硅铝磁粉进行过筛,得到第一种铁硅铝磁粉;用300目的筛网对铁硅铝磁粉进行过筛,得到第二种铁硅铝磁粉;(2)以质量比为第一种铁硅铝磁粉:第二种铁硅铝磁粉=1.5~4将两种磁粉混合得到混合粉料,将混合粉料放入球磨机,球磨0.25~2.0h;(3)绝缘包覆后得到包覆磁粉。该种磁粉材料制备工艺简单、绿色环保,且能提高所制备的磁粉芯的直流偏置性能。
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2:
[发明]
显卡防伪方法、系统及存储介质
申请号:
202311816467.9
公开号:CN117786173A 主分类号:G06F16/903
申请人:
深圳市恒珲科技有限公司
申请日:2023.12.26 公开日:2024.03.29
发明人:
聂小辉
;
武宁军
摘要:本发明实施例公开了一种显卡防伪方法、系统及存储介质。其中,所述方法包括:数据写入端若接收到SN文件选择确定指令,则从导入的SN文件中读取待写入的SN码;所述数据写入端将所述待写入SN码及获取到的待写入P‑Code码进行加密后烧录至显卡的EPROM存储区域内以得到烧录结果,并将所述烧录结果进行展示;所述数据读出端若接收到读取指令,则从所述EPROM存储区域内读取SN码密文和P‑Code码密文,并对所述SN码密文和P‑Code码密文进行解密得到SN码明文及P‑Code码明文,以使用户根据所述SN码明文、所述P‑Code码明文以及所述显卡上的SN码判断所述显卡的真伪。本申请的防伪性能较好,防伪可靠性较高。
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3:
[发明]
血糖仪数据处理方法、电子设备及存储介质
申请号:
202410817775.1
公开号:CN118392967A 主分类号:G01N27/416
申请人:
北京华益精点生物技术有限公司
申请日:2024.06.24 公开日:2024.07.26
发明人:
聂水军
;
田明军
;
张武军
摘要:本申请提供一种血糖仪数据处理方法、电子设备及存储介质,该方法包括当确定目标血糖仪执行开机指令时,先获取目标血糖仪的各个检测通道的测量电学参数;然后获取当前环境温度以及各个检测通道对应的输出电学参数;接着根据输出电学参数与当前环境温度确定各个检测通道对应的标准电学参数;并根据标准电学参数对测量电学参数进行校准,得到各个检测通道的校准电学参数;之后获取各个检测通道在目标血糖仪完成血糖检测后的目标电学参数;将校准电学参数和目标电学参数发送到服务器中,并接收服务器通过训练获得的血糖检测模型输出的血糖检测结果,从在每次血糖仪启动时,均对测量电学参数进行校准,保证了血糖仪检测结果的准确性。
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4:
[发明]
一种确定原子钟非理想特性引起用户测距误差的方法
申请号:
201210453820.7
公开号:CN102937710A 主分类号:G01S19/01(2010.01)I
申请人:
北京空间飞行器总体设计部
申请日:2012.11.13 公开日:2013.02.20
发明人:
聂欣
;
谢军
;
武向军
;
崔小准
摘要:本发明提出了一种确定原子钟非理想特性引起用户测距误差的方法。在获得原子钟输出信号相位的测量值后,通过线性拟合获得星载原子钟的相位偏差、频率偏差和频率漂移,计算频率漂移造成的频率稳定性增量。在相位测量值中扣除频率漂移后,计算由相位跳变引起的频率稳定度增量。获得频率漂移和相位跳变共同造成的频率稳定性增量后,通过换算得出原子钟非理想特性引起的用户测距误差。本发明给出了用户测距误差与原子钟的频率漂移、相位跳变两种特性之间的量化关系,能准确全面地评估原子钟特性对用户测距误差的影响。
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5:
[发明]
一种优选导航卫星扩频码的方法
申请号:
201210453838.7
公开号:CN102937717A 主分类号:G01S19/37(2010.01)I
申请人:
北京空间飞行器总体设计部
申请日:2012.11.13 公开日:2013.02.20
发明人:
聂欣
;
武向军
;
王劼
;
谢军
摘要:本发明针对卫星导航系统提出了一种优选导航卫星扩频码的方法。本方法计算获得扩频码组中各个扩频码的码平衡性、最大自相关旁峰值、最大互相关峰值、功率谱最大值,并依据这四个指标对扩频码进行排序和加权计算值的计算,根据加权计算值选取扩频码组中抗干扰性能较好的扩频码。采用本方法可在不改变系统软硬件设计方案和不增加系统建设成本的条件下,通过扩频码的优选有效提高了卫星导航系统的抗干扰性能性能。
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6:
[发明]
身体指标检测装置及方法
申请号:
202210683115.X
公开号:CN114778631A 主分类号:G01N27/26
申请人:
北京华益精点生物技术有限公司
申请日:2022.06.17 公开日:2022.07.22
发明人:
张武军
;
聂水军
;
姜飞飞
摘要:本申请涉及身体指标测量技术的领域,尤其是涉及一种身体指标检测装置及方法,包括试纸条识别模块、电流采集模块、控制器U1以及提示件LCD1;所述试纸条识别模块用于识别外部试纸条的类型以得到识别结果;所述电流采集模块用于检测外部试纸条的测试电极的电流值以得到电流采集结果;所述控制器U1用于基于所述识别结果以及所述电流采集结果,根据预设的算法计算对应的身体指标值;所述提示件LCD1用于输出所述身体指标值。本申请使得使用者可以利用一台身体指标检测装置来检测多项身体指标,有效在使用者需要测量多项身体指标的情况下,降低使用者的使用成本;同时能够减少因试纸条接触不良而发生的检测错乱,从而提高检测结果的准确率。
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7:
[发明]
一种取暖器的摇头结构
申请号:
201010105970.X
公开号:CN101776307A 主分类号:F24D19/00(2006.01)I
申请人:
美的集团有限公司
申请日:2010.01.29 公开日:2010.07.14
发明人:
武文超
;
张军
;
聂勇
;
杜文波
摘要:本发明是一种取暖器的摇头结构。包括有取暖器底座及旋转部分、驱动凸轮、驱动电机,其中驱动凸轮置于取暖器底座与旋转部分之间,驱动电机置于旋转部分的顶部,驱动电机的输出轴穿过旋转部分插装在驱动凸轮的安装孔上,驱动凸轮的驱动轴放在底座所设的滑道内,底座上设有的滑动定位柱安装在旋转部分所设的旋转滑道内,旋转部分上设有的旋转中心轴套装在底座所设的旋转中心套上。本发明由于采用凸轮驱动旋转部分运动的结构,节约了产品的空间尺寸,增加了外观的小巧性、提高了稳定性,确保通过75万次摇头测试。此外,凸轮与旋转部分之间及旋转部分与底座滑道之间都不用螺钉固定,提高了装配效率,降低了成本。
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8:
[发明]
一种富稀土纳米晶双相复合磁粉的制备方法
申请号:
201110060488.3
公开号:CN102114537A 主分类号:B22F1/00(2006.01)I
申请人:
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日:2011.03.14 公开日:2011.07.06
发明人:
闫阿儒
;
聂军武
;
杜娟
;
李东
摘要:本发明公开了一种富稀土纳米晶双相复合磁粉的制备方法,该方法采用pH值为2.0~4.5的弱酸性溶液对富稀土纳米晶磁粉主相Re2Fe14B内稀土元素进行去除,使磁粉表面析出软磁性颗粒,如α-Fe颗粒或Fe3B颗粒,从而得到硬磁相/软磁相双相复合的富稀土纳米晶磁粉。作为进一步优化,本发明通过高能球磨改善该软磁相的分布,达到硬磁相/软磁相的两相最大耦合作用,进一步提高原磁粉的性能;或者通过热压成型使软磁性颗粒成相,再经过热挤压使硬磁相取向,获得高致密性、高磁能积、各向异性双相复合富稀土纳米晶磁体。与现有技术相比,本发明成本低,简单易行,适于大规模工业化生产,为实现具有理想显微结构的富稀土纳米晶双相复合磁体的制备提供了一条新的有效方法。
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9:
[发明]
一种高频软磁复合材料及其采用该材料制备导磁体构件的方法
申请号:
201510943665.0
公开号:CN105427996A 主分类号:
申请人:
东睦新材料集团股份有限公司
申请日:2015.12.16 公开日:2016.03.23
发明人:
聂军武
;
包崇玺
;
孙华苗
摘要:一种软磁复合材料,包括以下重量百分比的组分:改性纯铁粉91.6-97.9%;绝缘剂0.5-2.5%;坯体增强剂0.5-2.5%;分散剂1%-3%;润滑剂0.1-0.4%。改性纯铁粉是采用硅烷偶联剂包覆的粉状铁粉,铁粉含铁量为98.5%以上,颗粒分布为5~45μm,由上述软磁复合材料制造导磁体的生产工艺,包括下述步骤:混合、成型、固化、加工处理。本发明的原材料铁粉使用国产细粉,降低了成本,制得的导磁体,材料来源广,含铁量高,涡流损耗小,饱和磁感应强度低,导磁率及电阻率很高,具有较高的磁性能和力学性能,能耐250℃左右的高温,能使用切割机加工成任意形状,加工成本低,满足不同型号规格的感应线圈需求,并且耐热冲击性好,使用寿命长。
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10:
[发明]
一种高磁导率的铁硅磁芯及其制备方法
申请号:
201810897449.0
公开号:CN109065316A 主分类号:H01F1/147(2006.01)I
申请人:
德清鑫晨粉末科技有限公司
申请日:2018.08.08 公开日:2018.12.21
发明人:
沈晨懂
;
聂军武
;
姚国忠
摘要:本发明提供一种高磁导率的铁硅磁芯及其制备方法,该铁硅合金软磁材料由铁硅粉末组成,其中Si的重量含量为2%‑6%,余量为Fe。本发明的铁硅磁芯具有较高的磁导率,较高的品质因数,较低的功率损耗值,高能量贮存能力,高直流偏置能力,高饱和磁感应强度。
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