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1:
[发明]
水泥窑协同处理有机废盐、高盐有机废水的方法及系统
申请号:
201711472370.5
公开号:CN107990320A 主分类号:F23G5/04(2006.01)I
申请人:
长沙中硅水泥技术开发有限公司
;
湘潭大学
申请日:2017.12.29 公开日:2018.05.04
发明人:
肖喜才
;
刘恩辉
摘要:本发明提供一种水泥窑协同处理有机废盐、高盐有机废水的方法及系统,通过利用水泥窑废弃烟气余热对高盐有机废水进行低温蒸发脱水浓缩制成含水率低的浓缩液,再用水泥窑高温烟气对浓缩液中的有机物或有机废盐中的有机物进行两次焚烧产生干净的工业盐,这一过程中产生的废气进入水泥窑系统进行高温强碱化处理,实现彻底消除有机废盐、高盐有机废水的二次污染,实现有机废盐、高盐有机废水的无害化、资源化、能源化、低成本处理,确保环境友好,安全生产。
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2:
[发明]
水泥窑协同处置电解铝废渣联产双快水泥的系统及方法
申请号:
201810777022.7
公开号:CN108585564A 主分类号:C04B7/345(2006.01)I
申请人:
长沙中硅水泥技术开发有限公司
;
湘潭大学
申请日:2018.07.16 公开日:2018.09.28
发明人:
肖喜才
;
刘恩辉
摘要:本发明提供一种水泥窑协同处置电解铝工业废渣联产双快水泥的系统和方法,其中系统包括:依次连接的废渣预处理系统、转化反应系统、碱金属盐提取系统以及水泥窑并联生产双快水泥系统;系统内的所有设备均为密封连接,并设置抽吸机用于形成微负压。方法包括废渣预处理;转化反应;碱金属盐的提取及水泥窑并联生产双快水泥四个步骤。本发明可一次将电解铝工业废渣集中统一处理,消除其毒性危害,实现电解铝废渣无害化、资源化和终极化处置。本发明还低能耗、低成本生产特种双快水泥,且无三废排放,不产生二次污染。
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3:
[发明]
一种水泥窑协同处置废弃锂离子电池的系统和方法
申请号:
201810648369.1
公开号:CN108772407A 主分类号:B09B3/00(2006.01)I
申请人:
长沙中硅水泥技术开发有限公司
;
湘潭大学
申请日:2018.06.22 公开日:2018.11.09
发明人:
肖喜才
;
刘恩辉
摘要:本发明提供一种水泥窑协同处置废弃锂离子电池的系统和方法,其根据废弃锂离子电池中所含物质的特性并针对现有技术中存在的难题提出。其中处置系统包括:废弃锂离子电池储存装置,无水无氧双轴破碎机,立式热解炉,中和塔,有价元素提炼系统和水泥窑系统;处置方法具体为:通过对废弃锂离子电池的分类预处理、无水无氧破碎解体、立式热解炉蒸发分解烧结成固态混合渣、从固态混合渣中提取有价元素;再通过采用廉价的碱性水泥原料中和含氟、含磷化合物气体、水泥窑高温焚烧可燃废气并处理所有废渣,实现清洁生产和环境保护。本发明系统设备结构简单,能
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4:
[发明]
一种利用钡渣制备硫酸钡的方法和系统
申请号:
201910418619.7
公开号:CN109970089A 主分类号:C01F11/46
申请人:
长沙中硅水泥技术开发有限公司
;
湘潭大学
申请日:2019.05.20 公开日:2019.07.05
发明人:
肖喜才
;
刘恩辉
摘要:本发明公开了一种利用钡渣制备硫酸钡的方法和系统,其中方法包括磨浸转化、重力浮选、溶液除杂与循环使用等步骤;系统包括依次连接的钡渣进料系统、磨浸转化系统、重力浮选系统、溶液沉淀除杂与循环使用系统和建材原料化使用系统。本发明采取廉价的转化剂磨浸转化,将钡渣中的可溶性钡转化为不溶物,使钡渣解除毒性成为无毒的建成原料,并且可以大量回收BaSO
4
产品。该工艺系统流程短,操作简单,经济环保,清洁高效,适合于钡渣解毒的工业生产,符合资源循环利用。
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5:
[发明]
一种废渣磨浸解毒与脱气集成处理系统及其处理方法
申请号:
201910426503.8
公开号:CN110026415A 主分类号:B09B3/00
申请人:
长沙中硅水泥技术开发有限公司
;
湘潭大学
申请日:2019.05.22 公开日:2019.07.19
发明人:
肖喜才
;
刘恩辉
摘要:本发明公开了一种废渣磨浸解毒与脱气集成处理系统及其处理方法,包括依次连接的废渣预处理系统、助剂调配系统、磨浸转化系统、料浆固液分离系统和气体收集系统,将预处理后的废渣和助剂送入磨浸转化机内进行研磨和转化,将反应产生的气体进行收集后进行洗涤吸收,然后进行高温燃烧或无害排放,生成的料浆进行固液分离处理,固体渣进一步用于化工原料或建筑材料使用。本发明针对于含有氟、氯、硫、磷、氨氮、氧化物、有机物等有害成分的废渣进行处理,通过磨浸转化,将产生的气体进行资源化利用或者无害化处理,实现清洁生产。
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6:
[发明]
半导体薄膜制造机台及半导体薄膜制备方法
申请号:
202410320741.1
公开号:CN120683455A 主分类号:C23C14/22
申请人:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请日:2024.03.20 公开日:2025.09.23
发明人:
肖恩才
;
魏晓平
摘要:本发明提供一种半导体薄膜制造机台及半导体薄膜制备方法,通过将清洗腔室、冷却腔室、PVD钛腔室及类ALD氮化钛腔室集成在同一机台中,将CT结构的黏附层及阻挡层集成在一台机台中实现,大大缩减制程之间的闲歇时间,使产能得到有效保证;另外,采用类ALD氮化钛腔室制备氮化钛材料的阻挡层,可有效保证阻挡层的阶梯覆盖均匀性;最后,采用原位等离子体处理腔室对采用类ALD工艺制备的氮化钛阻挡层进行原位等离子体处理,可将氮化钛阻挡层中的杂质元素,例如碳、氢杂质元素,尤其是碳杂质元素排出,有效提高膜层的纯度,从而提高氮化钛阻挡层的阻挡能力,有效抑制“火山效应”。
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7:
[发明]
接地组件及导电接触件分布方法、改善薄膜均匀性的方法
申请号:
202610113754.0
公开号:CN121939155A 主分类号:H01R4/66
申请人:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请日:2026.01.27 公开日:2026.04.28
发明人:
肖恩才
;
邢怀源
摘要:本申请提供一种接地组件及导电接触件分布方法、改善薄膜均匀性的方法,所述分布方法包括:将接地组件的中心作为原点O;确定滤波盒和匹配电极、挡盘以及齿轮箱在所述接地组件所在平面上的投影,获得第一方向线OA、第二方向线OB以及第三方向线OC;平分∠AOB,获得第四方向线OD;获得第五方向线OE;接地组件在第五方向线OE指向一侧的导电接触件的密度大于另一侧的导电接触件的密度。本申请通过设置接地组件上不同区域的导电接触件的密度,优化腔室接地效果,使得腔室内溅射粒子分布均匀,从而改善腔室工艺均匀性;还可以避免因接地异常导致腔室内的部件遭受的不可逆损伤,节省了成本。
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8:
[发明]
高拉伸性和高粘度尼龙6的制备方法
申请号:
00129200.5
公开号:CN1348973 主分类号:C08L77/00
申请人:
靳柱山
;
胡所才
;
肖玉恩
申请日:2000.10.13 公开日:2002.05.15
发明人:
靳柱山
;
胡所才
;
肖玉恩
摘要:本发明公开了一种具有拉伸性和高粘度尼龙6树脂的制备方法,它先将以普通尼龙6树脂为主体的混合物加入真空干燥聚合机中,在真空度为0.096-0.1MPa,温度为150-210℃下进行固相聚合,恒温1-30小时,冷却降温至120-140℃,并继续抽真空20-40分钟,抽提出低分子物,制得具有可拉伸性和高粘度的尼龙6树脂。其断裂伸长率和缺口冲击强度可分别达到300%和29KJ/m
2
以上,相对粘度达3.2-4.0以上,是一种制造双向拉伸薄膜及高韧性管胚的佳品。
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9:
[发明]
一种金属硅化物的制备方法
申请号:
202211630360.0
公开号:CN118222978A 主分类号:C23C14/18
申请人:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请日:2022.12.19 公开日:2024.06.21
发明人:
魏晓平
;
肖恩才
;
孟昭生
摘要:本发明提供一种金属硅化物的制备方法,首先利用TiAl合金作为靶材,同时采用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方式,在硅衬底表面沉积形成TiAl膜层,最后采用快速退火工艺在硅衬底表面生成金属硅化物TiAlSi。金属硅化物TiAlSi具有更小的接触电阻,有助于减小器件的功耗;且在退火形成金属硅化物TiAlSi的过程中,由于Ti和Al容易结合,并且可在晶界处相互阻挡,因此,通过控制退火温度能够有效改善Al/Ti的扩散导致的漏电问题。另外,同时采用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方式进行镀膜,能够得到更加致密、均匀的膜层,有利于提高器件的性能。
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10:
[发明]
基于高速闭环控制的自适应光学畸变补偿装置与补偿方法
申请号:
202511129354.0
公开号:CN121028364A 主分类号:G02B26/06
申请人:
杭州汇萃智能科技有限公司
申请日:2025.08.13 公开日:2025.11.28
发明人:
周柔刚
;
周才健
;
肖恩靖
摘要:本发明公开的一种基于高速闭环控制的自适应光学畸变补偿装置与补偿方法,其中装置包括:光路前端接口,用于接入耦合风洞或激光发射系统;波前传感器,用于采用分布式阵列测量局部波前斜率;FPGA控制器,包括波前重建处理器和闭环逻辑控制器,用于重建波前和生成控制指令;MEMS变形镜阵列,包括若干MEMS驱动器,用于校正波前相位;反馈监测模块,用于通过形变电容测量和CCD图像反馈进行双重验证;成像/激光输出端,用于将校正后的光信号转换为图像进行输出。本发明可广泛应用于高速飞行器风洞测试、激光通信、红外成像引导头标定与高能激光束整形等领域,引入可编程硬件平台、高速并行运算结构与预测型控制算法,实现了前所未有的亚微秒级闭环补偿。
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