摘要：在本发明的第一方面，提供了一种可编程转移装置，用于将导电零件转移至目标衬底的电极垫。该可编程转移装置包括：(1)转移衬底；以及(2)形成在所述转移衬底上的多个独立的可寻址电极。每个电极均适于在向目标衬底的电极垫转移所述导电零件期间选择性地吸引并保持所述导电零件。还提供了其他数个方面。

摘要：本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化铷、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷。

摘要：本发明涉及一种包括碳化硅的半导体处理部件及其化学处理方法。该方法包括至少两个液体化学处理步骤，其中一个处理步骤将碳化硅转化成二氧化硅，另一个处理步骤去除二氧化硅。所述液体化学处理步骤通常在低于约100℃温度时进行。进行所述方法所需要的时间段通常小于约100小时。

摘要：本发明描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。

摘要：本发明的实施例与适用于等离子体处理腔室中的设备的部件结构相关。使用含氟氧化物的釉料、玻璃陶瓷及其组合物将该部件结构的部分接合在一起。该接合材料抗含卤素的等离子体并且显现所需求的机械特性。

摘要：本发明的实施方式涉及含金属氧氟化物的釉料或含金属氟化物的釉料组合物、玻璃陶瓷组合物及其组合，其可用作抗等离子体固体基板或在其它基板上的抗等离子体保护涂层。本发明还描述制造各种结构的方法，所述方法包括掺入上述组合物，所述结构包括固体基板及在基板表面上的涂层，所述基板具有高于约1600℃的熔点，诸如为铝氧化物、铝氮化物、石英、硅碳化物、硅氮化物。

摘要：本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。

摘要：本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述物质的组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化钇形成的陶瓷。

摘要：等离子体反应器包括具有提供等离子体腔室的内部空间并且具有顶板的腔室主体、用于将处理气体输送至等离子体腔室的气体分配器、耦接至等离子体腔室以抽空腔室的泵、保持工件面向顶板的工件支撑件、包括绝缘框架和在顶板与工件支撑件之间横向延伸穿过等离子体腔室的线状物的腔室内电极组件(线状物包括至少部分地由从绝缘框架延伸的绝缘外壳围绕的导体)和向腔室内电极组件的导体供应第一RF功率的第一RF功率源。

摘要：一种等离子体处理腔室，包括一个或多个侧壁。位在该一个或多个侧壁内的支撑表面保持住工件。沿着该一个或多个侧壁设置的第一气体注射器在第一方向上注入第一气流，该第一方向大致与该工件的表面平行并横跨该工件的该表面。沿着该一个或多个侧壁与该第一气体注射器大致相对地设置的第一泵口抽出该第一气流。沿着该一个或多个侧壁设置的第二气体注射器在第二方向上注入第二气流，该第二方向大致与该工件的该表面平行并横跨该工件的该表面。沿着该一个或多个侧壁与该第二气体注射器大致相对地设置的第二泵口抽出该第二气流。传导性控制环调变所述泵口的传导性，并位在所述泵口的顶部处的等离子体屏附近。