摘要：本发明公开了预测甲氨蝶呤疗效及不良反应的探针组和检测试剂，探针组包括：毒性基因探针组包括识别SLC19A1‑rs1131596、GGH‑rs1800909、ATIC‑rs2372536的探针；增强疗效基因探针组包括识别ABCB1 rs1045642、TYMS‑ rs2853542、ATIC‑rs4673993的探针；降低疗效基因探针组包括识别FPGS‑rs1054774、DHFR‑rs408626、MTHFR‑rs1801131的探针。本发明的探针组和试剂盒可在用药前通过基因检测，判断出病人大致的MTX用药类型，在临床中根据检测结果调整剂量或更换药物，在提高疗效的同时尽可能地降低药物的毒性损伤。

摘要：本发明提供了一种用于半导体工艺中的掩模板，所述掩模板具有至少一个掩模板切割道，所述掩模板切割道内具有至少一个污染检测图案区域且所述污染检测图案区域任意一边均不超出所述掩模板切割道的边界，所述污染检测图案区域用于检测所述掩模板上的污染，所述污染检测图案区域具有多根线条，每根所述线条的两端均与所述污染检测图案区域的边界相交。利用本发明的具有污染检测图案区域的掩模板，不仅能够在线且有效地检测出掩模板上的污染，以便及时去除污染，提高半导体器件的良品率，又能降低检测污染的成本和缩短检测所耗费的时间。

摘要：本发明提供一种阴影效应分析结构，包括：测试基底，所述测试基底包括离子注入区和非离子注入区，及位于所述测试基底的非离子注入区表面的至少两个光刻胶柱；其中至少有两个光刻胶柱的高度不相同。本发明还提供一种所述阴影效应分析结构的形成方法和其分析方法，通过本发明的结构及其分析方法，降低阴影效应分析成本，提高阴影效应的分析效率，进一步还可以优化离子注入的光刻胶层高度，改善阴影效应。

摘要：本发明公开了一种制备半导体器件结构的方法，其包括：提供具有栅极结构和栅极间隔区的前端器件层结构，该结构的表面形成有刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层的表面形成聚合物涂层，依次采用第一干法刻蚀和第二干法刻蚀对前端器件层结构进行刻蚀，以获得半导体器件结构，其中第二干法刻蚀的速率小于第一干法刻蚀的速率，且刻蚀方向均垂直于前端器件层结构的表面。上述方法可以有效地控制半导体器件结构中栅极结构的侧壁上的刻蚀阻挡层的厚度，避免了现有技术中的层间介质层出现空洞的现象。

摘要：本发明提供了一种测试光阻胶层对离子注入阻挡能力的方法，该方法包括：提供一测试晶片，在该测试晶片上涂布光阻胶层，所述光阻胶层的厚度从晶片中间区域到边缘区域逐渐减薄，或者从晶片中间区域到边缘区域逐渐增厚；测量所述光阻胶层不同位置上的厚度；以确定能量离子注入所述涂布有光阻胶层的测试晶片；去除所述光阻胶层后，对该测试晶片在测量光阻胶层厚度所对应的位置上进行次级离子质谱法测试，确定该光阻胶层的不同厚度对离子注入的不同阻挡能力。采用本发明的方法能够有效降低测试成本。

摘要：本发明涉及一种嵌入衰减式相位移光罩及其制作方法，该嵌入衰减式相位移光罩包括透明基板，形成于所述透明基板表面上的相位移层、形成于所述相位移层的未设芯片图案区域表面上的遮光层，形成于所述遮光层表面上的隔离层，以及设置在所述相位移层的设芯片图案区域内的芯片图案。本发明的嵌入衰减式相位移光罩及其制作方法能有效防止雾状缺陷的产生，而且工艺步骤少，生产成本低。

摘要：本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括在半导体衬底上的中心区域形成有源区结构；沉积自对准硅化物区域阻挡膜(SAB)，所述SAB覆盖中心区域的有源区结构和边缘区域的半导体衬底；在所述SAB的表面涂布负光阻胶层，然后进行晶片边缘曝光，保留所述晶片边缘的负光阻胶层；涂布正光阻胶层，并进行光刻，在中心区域的SAB的表面形成图案化的正光阻胶层；以所述图案化的正光阻胶层和晶片边缘的负光阻胶层为掩膜对SAB进行刻蚀，形成SAB的图案；在显露出的有源区结构表面形成自对准金属硅化物后，依次沉积具有应力的氮化硅层和层间介质层。本发明在接触孔退火处理时，避免晶片边缘残留的具有应力的氮化硅层的劈裂。

摘要：一种晶圆表面光阻去边的方法，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边方法或/和调节构成光阑的挡光板至形成较大的光阑孔径并利用较大光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：调节构成光阑的挡光板至形成较小的光阑孔径并利用较小光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行表面光阻去边。本发明使用光阑孔径大小可调节的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘光阻，使得所形成的Rainbow缺陷较小，且该方法简单、成本低。

摘要：一种双重光刻胶，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层、第二光刻胶层，所述第一光刻胶层为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第二光刻胶层与第一光刻胶层反性，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层在同一曝光过程中曝光，所述正光刻胶层为含硅的水溶性正光刻胶。本发明还提供了该双重光刻胶的处理方法。采用本发明的技术方案，通过采用含氟的刻蚀气体对含硅的水溶性正光刻胶具有较高的选择比，使得双重光刻胶图案之间的转移更精准，提高了工艺的可控性。

摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供至少具有一个栅极的半导体衬底；在所述衬底上执行第一非晶化步骤以形成第一非晶化区域于所述衬底表面；在所述第一非晶化区域上和所述栅极上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层以定义LDD或源漏极区域；对所述衬底执行掺杂剂离子注入；去除所述光刻胶层；热退火以形成LDD或源漏极。本发明可以在光刻工艺中使用厚度较薄的光刻胶层时，不使用底部抗反射涂层便可以取得减少衬底反射的效果，从而可以避免引起关键尺寸误差的摆线效应和严重的驻波效应。