摘要：本发明涉及协议识别方法及装置，其中方法包括：将接收到的数据包与根据分层协议树所确定的匹配条件进行匹配，该匹配为一次匹配过程；根据匹配结果分层查找对应的协议。装置包括：识别核心模块，匹配条件提取模块和检测引擎模块。通过本发明，可通过查找引擎加快识别过程，检测效率高；能够实现在线动态扩展协议；识别出的协议有层次关系，识别效果更好。

摘要：本发明公开了一种会话检测方法，对接收到的需要进行检测的报文执行深度检测，当检测出任一未处理特征时，识别其是否能够存在于报文所在会话的已识别协议层次上，是则识别所述未处理特征，当未处理特征匹配一预识协议时，为会话生成相应的已识别协议信息；当所述未处理特征匹配一预识特征且对所述会话后续报文生效时，在所述预识特征中为所述会话生成相应的已识别特征插件挂接点，并将生成的已识别协议信息和已识别特征插件挂接点输出到会话的识别结果记录中；否则丢弃该未处理特征。本发明还公开了一种会话检测系统。通过本发明公开的方法和系统，提高了会话检测的准确度和灵活性以及会话检测的系统性能。

摘要：本发明提供了一种管理应用配置信息的方法、应用系统和存储设备，应用于预先创建了逻辑资源应用扩展区，并存储了逻辑资源应用扩展区与对应物理资源之间的映射关系的存储设备；其中，方法包括：应用系统执行应用程序时，访问存储设备的逻辑资源应用扩展区；存储设备根据逻辑资源应用扩展区与对应物理资源之间的映射关系，将应用系统生成的应用配置信息存储在逻辑资源应用扩展区对应的物理资源上。本发明能够有效地避免应用系统或者存储设备发生故障并恢复后，原有应用程序的操作无法恢复的问题。

摘要：本发明公开了一种实现数据快照的首写拷贝装置及控制方法。本发明在I/O缓存中存放刚刚从数据卷读取和向数据卷写入的数据块，并待数据卷中的该数据块在拍照时间段内被第一次写操作之前，直接将I/O缓存中存放的对应数据块作为第一次改变之前的数据卷中的该数据块写入至快照卷，因而能够在很大程度上减少对数据卷的一次读操作，从而从根本上减少首写拷贝所需的I/O操作，进而能够减少首写拷贝对数据卷写性能的影响。而且，通过减少I/O操作还能够减少物理磁盘的磁头往复运动、以保护磁盘性能并延长磁盘寿命。同时，本发明也不需要额外增加非易失性的缓冲区或其它存储介质。

摘要：本发明提供了一种微波元件的自校准高精度微波测量夹具及校准方法，该测量夹具有一个基座单元，所述基座单元上安装有连接单元、固定单元、测量单元、压紧单元；所述的连接单元和测量单元可以在基座单元上移动；所述的固定单元包括固定座、同轴连接器，所述的固定单元固定于所述的基座单元的安装座的左凸台上，所述的测量单元包括测量单元座、微带电路板、载片以及锁孔，所述的连接单元包括连接单元座、同轴连接器、丝杆、旋转手柄。本发明的测量夹具操作方便，适用性广，采用压接的方式固定被测微波元件，不需要另外的固定或者焊接，保证了被测微波元件固定良好，一方面是对被测微波元件的无损伤测量，另一方面适用于大批量产品的测量。

摘要：本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种Webp图像压缩异构系统、方法以及可读存储介质。其中系统包括：处理器单元和与该处理器单元通信连接的多个加速功能单元，该多个加速功能单元并行连接；处理器单元用于对待压缩图像进行分析，判断该待压缩图像是否满足预设的加速处理条件，若是则调用当前处理空闲状态的加速功能单元；加速功能单元用于对该待压缩图像进行格式处理，得到Webp图像。本申请将图像处理过程中的绝大多数计算部分都放在FPGA中进行并行处理，这样可以同时并行执行大量的任务指令，FPGA可以同时执行大量的数据吞吐操作，可极大地降低单任务处理时长，提高了Webp格式处理的效率，且图像处理的实时性更好。

摘要：本发明公开了一种在边缘光刻胶去除(EBR，Edge?Bead?Removal)过程中减少晶圆缺陷的方法及晶圆结构，该方法包括：在晶圆衬底上涂敷底部防反射涂层后进行EBR；涂敷含硅的底部防反射涂层后进行EBR；涂敷光刻胶涂层后进行EBR；涂敷顶部涂层后进行EBR，所述涂敷含硅的底部防反射涂层后进行EBR得到的覆盖面积，大于涂敷底部防反射涂层后进行EBR得到的覆盖面积。本发明提供的方法及晶圆结构可以在边缘光刻胶去除过程中减少晶圆缺陷进而提高成品率。

摘要：一种双重光刻胶结构，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层反性，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间形成有中间层，所述中间层用于防止正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散。此外，本发明还提供了该双重光刻胶结构的处理方法。采用本发明的技术方案，可以避免正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散，影响双重光刻胶上的图案的精细程度，同时由于蚀刻选择比的提高，上层光刻胶图形转移到下层光刻胶的保真度得以提高。

摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底；步骤S102：在所述半导体衬底拟进行离子注入的区域与待形成离子注入遮蔽层的区域的交界处形成抗反射层；步骤S103：利用光刻胶在所述半导体衬底上形成离子注入遮蔽层。本发明的半导体器件的制造方法，由于增加了在拟进行离子注入的区域与待形成离子注入遮蔽层的区域的交界处形成抗反射层的步骤，在对光刻胶薄膜进行曝光以形成离子注入遮蔽层的过程中，可以减弱或阻止来自半导体衬底的反射光进入光刻胶薄膜，避免了反射光易造成离子注入遮蔽层尺寸缩小的问题，保证了离子注入遮蔽层的关键尺寸，提高了半导体器件的性能。

摘要：一种冲切装置与弯曲金属长条多个孔或缺口的冲切方法，通过设置纵向可自由活动的C型块，C型块的一端用作凹模块，油缸安装在C型块的另一端，使得凹模块能在冲头冲切前自动贴紧工件，从而消除现有技术因凹模块固定不动变形冲孔所造成的孔位置偏移等缺陷，大大提升产品合格率；尤其适合用于门框上条多个安装孔的冲切。