摘要：本发明公开一种基于弹性计费的协作平台账单调整系统及相关装置，其中系统包括：席位设置模块，用于设定最大编辑席位数，其中，最大编辑席位数为账单周期内购买席位数的第一预设占比；席位审批模块，用于根据购买席位数、最大编辑席位数以及已使用席位数确定是否继续授予成员编辑席位；席位统计模块，用于统计当前账单周期内的席位占比、席位额度、当前使用编辑席位数以及超出编辑席位数；账单提醒模块，用于在席位账单校准期内按照预设时间间隔向管理员发送提醒信息。本发明解决了团队成员需求变化频繁时的成本管理问题，管理员可以根据实际需要调整席位数量，从而在不牺牲协作效率的同时优化成本管理，特别适合预算有限或团队频繁变动的企业。

摘要：本发明公开一种切图轮廓自动识别方法及相关装置，其中方法包括：当鼠标单击处于悬浮状态的图层时，自动识别图层的图层轮廓；其中，图层的类型包括但不限于：文字、形状、图片、实例以及路径类型；判断图层是否超出其所在的容器，若超出则仅匹配位于容器内部的图层部分，得到图层的叠加切图轮廓；以及，判断图层是否具有图层效果，若具有则匹配图层效果的外边缘，得到图层的特效切图轮廓；其中，图层效果包括但不限于描边以及阴影特效；创建并显示叠加切图轮廓和/或特效切图轮廓的切图虚线框，以根据切图虚线框中的图层生成相应的切图文件。本发明通过自动识别切图图层和轮廓，减少人为错误的可能性，大幅提高了设计效率和设计一致性。

摘要：本发明公开了一种水冷式薄膜电容器，其特征在于，包括壳体，壳体内设有冷却腔体及电容芯，电容芯通过设于壳体内的母线与直流输出端连接，直流输出端从冷却腔体开口处后侧的壳体露出；冷却腔体开口处的左右两侧分别设有与冷却腔体连通的液冷接口；壳体的前侧设有直流输入端。本发明在电容壳体上增加了水冷结构，用于连接电容和IGBT的母线内置于电容芯体，即对水冷板、机壳、母线进行了集成，既简化了驱动器的结构，又提高了单元的整体性能。本发明不仅具有电容的储能功能，也兼备绝缘栅双极型晶体管的散热功能，在驱动电路中，其不仅可以对绝缘栅双极型晶体管高频开关提供电流、电压支撑，也可以通过自身水路对绝缘栅双极型晶体管进行水冷散热。

摘要：本发明公开了一种大容量薄膜电容器，包括连接电源正极的正极连接端子、与电容芯正极焊接的正极连接极板、连接电源负极的负极连接端子、电容芯、与电容芯负极焊接的负极连接极板，还包括负极连接铜箔、正极连接铜箔、正负极隔离板、若干左侧极板铜箔隔离件和若干右侧极板铜箔隔离件，电容芯方形排布。正极连接铜箔分别穿过若干左侧极板铜箔隔离件、正负极隔离板、相应的相邻四个电容芯之间的空间后与电容芯正极焊接一体，负极连接铜箔分别穿过若干右侧极板铜箔隔离件、正负极隔离板、相应的相邻四个电容芯之间的空间与电容芯负极焊接一体。本发明提高了电容器的容密，减小了电容体积，且降低了成本。

摘要：本发明公开了一种加速闪存存储器擦除操作的方法和系统，其中，所述方法包括：对所述闪存存储器的存储块或存储区进行擦除操作；将所述擦除操作结束时的所述存储块或存储区的存储单元的基底电压作为第一基底电压存储在与所述存储块或存储区对应设置的永久性存储器中，其中，所述第一基底电压作为对所述存储块或存储区进行下一次擦除操作的初始基底电压。本发明能够提高对闪存存储器的存储块或存储区的擦除能力，减少擦除时间。

摘要：本发明提供一种非易失性存储器的掉电保护方法和装置，以解决在执行擦除操作的过程中发生异常掉电时，重新上电后由于过擦除现象导致对存储单元读取的数据不准确的问题。其中，方法包括：在掉电时，记录擦除信息；在掉电后重新上电时，依据所述擦除信息判断是否在执行擦除操作的过程中发生异常掉电；若发生异常掉电，则依据所述擦除信息执行过擦除校验。本发明可以保证非易失性存储器在执行擦除操作的过程中发生异常掉电，重新上电后对存储单元读取的数据的可靠性。

摘要：本发明提供了一种非易失性存储器的掉电保护方法和装置，以解决在执行擦除操作的过程中发生异常掉电时，重新上电后由于过擦除现象导致对存储单元读取的数据不准确的问题。其中，方法包括：在接收到擦除指令后，记录擦除信息，并开始执行擦除操作；在掉电后重新上电时，依据所述擦除信息判断是否在执行擦除操作的过程中发生异常掉电；若发生异常掉电，则依据所述擦除信息执行过擦除校验。本发明可以保证非易失性存储器在执行擦除操作的过程中发生异常掉电，重新上电后对存储单元读取的数据的可靠性。

摘要：本发明提供一种非易失性存储器的掉电保护方法和装置，以解决在执行擦除操作的过程中发生异常掉电时，重新上电后由于过擦除现象导致对存储单元读取的数据不准确的问题。其中，方法包括：在接收到擦除指令后，从预先设置的掉电保护区域中选定第一掉电保护区域；在第一掉电保护区域中记录擦除信息，并开始执行擦除操作；在掉电后重新上电时，依据掉电保护区域中记录的擦除信息判断是否在执行擦除操作的过程中发生异常掉电；若发生异常掉电，则选定第二掉电保护区域，并依据第二掉电保护区域中记录的擦除信息执行过擦除校验。本发明可以保证非易失性存储器在执行擦除操作的过程中发生异常掉电，重新上电后对存储单元读取的数据的可靠性。

摘要：本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种应对FLASH芯片异常掉电的读取方法；其中所述读取方法包括：读取FLASH芯片中掉电保护单元；掉电保护单元用于FLASH芯片在擦除过程中异常掉电时，记录FLASH芯片存储阵列中当前擦除区域的地址信息；当掉电保护单元存储有地址信息时，读取地址信息；当所述地址信息与预读取区域的地址信息相同时，对地址信息对应的存储阵列中区域进行读取修正；读取修正为调整读取时的读取电流；以及读取修正后，对预读取区域进行读取。本发明提供应对FLASH芯片异常掉电的读取方法，在对异常掉电时未进行过擦除修正的存储单元进行读取修正后对预读取位置进行读取，减少了读取的误读，提升了FLASH芯片的可靠性。

摘要：本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种FLASH芯片及应对FLASH芯片异常掉电的擦除或编程的方法；其中，所述应对FLASH芯片异常掉电的擦除或编程方法包括：读取FLASH芯片中掉电保护单元；当掉电保护单元存储有地址信息时，获取地址信息；地址信息为FLASH芯片在擦除过程中异常掉电时，掉电保护单元记录的当前擦除区域的地址信息；根据地址信息，对地址信息对应的存储阵列中区域进行过擦除修正；以及当过擦除修正完成后，对FLASH芯片进行擦除或编程。本发明提供的方法，利用掉电保护单元记录的地址信息，在FLASH芯片异常掉电后再次进行擦除或编程时，对地址信息所对应区域中存储单元进行过擦除修正，减少了存储阵列中较大漏电流存储单元的数量，提高FLASH芯片的可靠性。