摘要：一种用液相共沉淀合成生长料制备KTP晶体的方法，步骤如下：1)在冰水浴下将TiCl₄溶液加入由KH₂PO₄、K₂CO₃和去离子水组成的澄清溶液中，形成乳状共沉淀化合物；TiCl₄∶KH₂PO₄∶K₂CO₃摩尔比为0.1～0.303∶0.86～1.36∶0.125～0.31；将乳状共沉淀化合物烘干磨成粉末，置入铂坩埚内烧结得烧结体；2)将步骤1)的烧结体在1000℃下熔化、恒温、冷却至饱和温度以上10-20℃得熔体；将籽晶下入熔体回熔后进行晶体生长得KTP晶体。该方法采用液相合成KTP晶体生长原料，再进行烧结，所得晶体光学均匀性良好，无散射颗粒等晶体缺陷。

摘要：本发明涉及的坩埚与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法，为在熔盐法生长非线性光学晶体的生长过程中，籽晶放在熔体之中或表面，籽晶和坩埚按一定的旋转周期同步反向旋转；装置包括晶体生长设备和驱动籽晶和坩埚按一定的旋转周期同步反向旋转的控制器；该同步反向旋转的旋转周期为：在第一方向的依次加速旋转、匀速旋转、减速旋转和停止旋转，之后，再向与第一方向相反的第二方向依次加速旋转、匀速旋转、减速旋转和停止旋转。本发明采用籽晶和坩埚同步反向旋转且旋转速度可调，有利于生长初期籽晶排杂，生长出有规则形貌单晶，降低甚至消除晶体过重导致籽晶所受力矩过大而扭断的风险。

摘要：本发明涉及一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架，包括上横板、下横板、两个侧柱以及籽晶杆，两个侧柱与上、下横板围成“口”字形结构，从侧柱方向看为“工”字形，籽晶杆固定于所述上横板外表面的中间位置。本发明还提供了一种大截面KDP类晶体的生长方法，采用本发明提供的载晶架进行晶体的生长。本发明提供的载晶架，对现有载晶架的结构进行了改进，减少了载晶架旋转时对溶液的扰动作用，使得生长均匀、高质量的晶体成为可能。本发明提供的KDP类晶体生长方法可以提高晶体的利用率，减少了晶体加工环节。与传统生长方法相比，具有利用率高、节约生长原料、周期短、降低成本消耗等优点。

摘要：本发明提供一种钒酸钇多晶原料的制备方法，包括步骤：a）钇的硝酸盐溶解于无水乙醇，制成硝酸钇醇溶液；b）加入去离子水；c）称取钒酸盐加入到步骤b）所制得的溶液中，超声波分散，形成钒酸盐分散体系；d）在搅拌下加热沸腾，蒸发出乙醇和水的恒沸物；e）反应完成后冷却过滤，取过滤得到的沉淀。本发明提出的方法将反应物在水-乙醇的二元体系中充分分散，然后改变体系极性使反应物电离进行反应，解决了旧合成方法中使用的偏钒酸铵等钒源，配成溶液的浓度低则合成YVO4不经济、浓度高则钒酸根离子团聚缩合的问题。无需调节pH，精简了合成过程和操作，产物多晶原料中Y/V的摩尔比达到0.99以上，接近1，纯度高。

摘要：本发明公开了一种基于光子加热的超高速多通道实时荧光PCR循环系统及其检测方法，属于分子生物学检测与光子加热领域，系统包括光子加热模块、光热转换层、反应模块、冷却模块、荧光检测模块和控制模块。所述光热转换层用于吸收光子加热模块的光能并转化为热能；所述反应模块包括通过卡夹固定且水平设置的多根毛细管反应器，毛细管通过卡夹与光热转换层保持接触；所述荧光检测模块对光热转换层所限定的加热区域内的部分体积进行荧光采集。本发明通过光热转换与非接触加热结合水平毛细管阵列，实现了PCR温度循环的超高速运行与多通道并行检测，同时系统结构简单、成本低廉。

摘要：本发明公开了一种低成本便携式高灵敏荧光检测系统及方法，所属领域为荧光检测领域，包括：宽场激发光源、光学分离模块、样品容器、宏成像荧光信号采集模块及像素区域平均信号处理模块的紧凑结构，通过宽场照明与宏尺度成像相结合，并利用大面积像素平均技术有效抑制噪声，在无需复杂光学扫描机构与样本前处理的条件下，实现了高灵敏度、高抗干扰性的荧光定量分析。该系统成本显著低于传统实验室设备，体积小巧便于携带，尤其适用于复杂生物样本的直接检测，例如可在无需提取步骤的情况下对尿液中的循环游离DNA进行快速、准确定量，与标准qPCR方法结果高度相关，为床旁检测和现场即时分析提供了高效解决方案。

摘要：本发明属于路面或桥面的工程施工技术，涉及一种路面结合面的非平整处理工艺及设备。其工艺包括以下步骤：a.以常规的抛丸工艺，使用钢砂对混凝土基础面进行连续均匀的冲击处理；b.对经过常规抛丸工艺处理过的混凝土基础面进行脉冲抛丸处理，所述脉冲抛丸处理，是随着抛丸装置在整段路面均速行走过程中，钢砂以脉冲的方式进行抛射。本发明能够提高处理后的路面结合面与结合层的结合强度、施工效率高、施工质量好。

摘要：本发明涉及的CsLiB₆O₁₀晶体助熔剂生长方法：将CsLiB₆O₁₀与助熔剂按摩尔比配料，进行预处理得熔体；助熔剂为M′X、M″X₂、PbO、Bi₂O₃、M′₃Mo₃O₁₀或M′₄V₂O₇，其中M′为Li、Na或K，M″为Ca、Ba或Pb，X为F或Cl；熔体降至饱和温度以上2～10℃，引入籽晶，经恒温后降至饱和温度；并以此为起始温度，以0.01～1℃/天速率降温；晶体生长至所需尺寸，提升籽晶杆晶体脱离液面，以不大于20℃/h速率降至室温，得CsLiB₆O₁₀晶体。该方法可降低生长温度，减小生长体系挥发性和粘度，利于溶质传输，可长出高光学质量光学晶体。

摘要：BaAlBO₃F₂晶体的助熔剂生长方法包括：将BaAlBO₃F₂∶B₂O₃∶LiF∶NaF按摩尔比1∶0.2～1∶1.5～3∶0.2～0.6均匀混合，经熔化和冷却得晶体生长原料；将原料放入生长炉中升温至熔化；饱和温度以上1～5℃将籽晶引至液面下5～15mm，恒温10～60分钟后，降温到饱和点温度；再以0.2～5℃/天速率降温，同时旋转晶体；待晶体生长到所需尺寸后，提离晶体，降温至室温得BaAlBO₃F₂晶体。本方法使用B₂O₃-LiF-NaF助熔剂体系，可降低晶体生长温度，高温溶液粘度减小，体系挥发度小，可解决晶体生长时底部结晶及生长的晶体易开裂等问题，可稳定获得大尺寸、高质量BABF晶体。

摘要：本发明公开了一种非线性光学晶体Ce₂I₆O₁₈，属单斜晶系，分子量1329.64，空间群P21,单胞参数β=90.81(0)o,Z=2；其制备方法如下：将Ce源与I源材料按摩尔比1:3～4混配得Ce-I混合原料；将227.5～481.0mg的Ce-I混合原料和酸性溶液按20～60%充满度均匀混合，装入石英管中，密封后置高压反应釜中；高压釜置电阻加热晶体生长炉中，380～420℃反应3～7天，经5～10℃每小时降温过程，得微黄色透明毫米级块状晶体。粉末倍频系数约为KDP的2倍，可用于制备非线性光学器件。