摘要：一种进气装置和包括该进气装置的腔室，该进气装置包括：喷嘴，喷嘴为中空柱状，喷嘴的第一端的外周壁上设有凸出的第一轴肩，第二端的外周壁上设有凸出的第二轴肩；固定件，固定件为中空结构，在内壁上设有台阶，当喷嘴套置于固定件内时，台阶的台阶面与第一轴肩的端面相接合，固定件用于将进气装置固定至待安装件；第一密封圈，第一密封圈用于设置于第二轴肩的端面与待安装件之间；观察窗，观察窗设置于喷嘴的第一端的端面上；第二密封圈，第二密封圈设置在喷嘴的第一端的端面上的密封槽内。本发明的进气装置密封性强，安装便利。

摘要：本发明实施例公开了一种升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备，其中，升降针系统包括：聚焦环、静电卡盘、聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置；聚焦环起升装置包括：聚焦环顶针和第一升降驱动装置，第一升降驱动装置驱动聚焦环顶针升起或下降，用以将聚焦环顶起或降下；晶圆升针顶升装置包括：晶圆顶针和第二升降驱动装置，第二升降驱动装置驱动晶圆顶针升起或下降，用以将放置在聚焦环上的晶圆顶起或降下。本发明的系统、真空反应腔室以及设备，能够提高异常维护效率；通过在预定工艺时间后精确提升聚焦环的高度，使聚焦环的使用寿命提高一倍；可实现在不破化反应腔真空的情况下更换聚焦环，提高更换易耗件的效率。

摘要：本发明提供一种介质窗的温控装置及应用其的反应腔室，该介质窗的温控装置包括：腔体，其与介质窗形成封闭空腔，且该腔体包括进气口和出气口；气体循环机构，用于将热交换气体通过进气口输送至封闭空腔内，同时通过出气口抽取封闭空腔内的热交换气体。本发明提供的介质窗的温控装置，其可以控制介质窗的温度，以使介质窗的温度保持稳定，从而可以保证产品的一致性和设备的稳定性。同时，由于热交换气体仅在封闭空腔中流动，即使其处于高温状态，也不会对介质窗附近的其他零部件造成高温影响。

摘要：本发明涉及一种半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备，该晶片升降结构包括：安装盘，固定设置在半导体设备工艺腔室中的基座下端；导向轴，竖直设置于安装盘的下方且与安装盘连接；晶片升降机构，套设在导向轴上，包括：晶片驱动架，套设在导向轴上且可沿着导向轴升降；多个晶片支撑结构，设置于晶片驱动架上；第一驱动源，与晶片驱动架连接；聚焦环升降机构，套设在导向轴上，包括：聚焦环驱动架，套设在导向轴上且可沿着导向轴升降；多个聚焦环支撑结构，套设置于聚焦环驱动架上；第二驱动源，与聚焦环驱动架连接。本发明可以保证晶片升降机构及聚焦环升降机构的运动平稳性及升针的一致性，降低其由于颤针引起的晶片或聚焦环倾斜的风险。

摘要：本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、供电线、电源、屏蔽盒和位于工艺腔室内的下电极，屏蔽盒设置在工艺腔室的腔室壁外侧，供电线的第一端与下电极电连接，供电线的第二端依次穿过工艺腔室的侧壁和屏蔽盒并与电源电连接。该半导体工艺设备还包括绝缘件，绝缘件设置在屏蔽盒与工艺腔室的侧壁之间，绝缘件上形成有走线孔，供电线穿过该走线孔。在本发明提供的半导体工艺设备中，绝缘件阻断了电流通过工艺腔室的侧壁流向屏蔽盒的通路，仅允许射频电流通过下电极下方的供电线流向电源，从而提高了流回供电线的射频电流沿各个方向分布的均匀性，进而提高了半导体工艺的均匀性。

摘要：本发明公开一种承载装置及半导体反应腔室，承载装置用于半导体反应腔室承载待加工件，承载装置包括静电卡盘、聚焦环组件、聚焦环顶针和驱动装置；静电卡盘设置于半导体反应腔室内，且用于承载待加工件；聚焦环组件包括：上聚焦环和下聚焦环，下聚焦环环设于静电卡盘的外侧；下聚焦环的上表面设有凹槽；下聚焦环的上表面靠近静电卡盘的一端为支撑面；上聚焦环的上表面位置高于支撑面；上聚焦环的下表面设有限位槽，限位槽对应凹槽设置；聚焦环顶针贯穿凹槽的底壁并与限位槽配合，在垂直于聚焦环顶针的移动方向上，聚焦环顶针与限位槽实现限位；驱动装置用于驱动聚焦环顶针升降上聚焦环。上述方案能够解决半导体反应腔室的安全性能较差的问题。

摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括：基座组件和支撑结构；基座组件包括有承载盘，承载盘的厚度方向贯穿有多个升降孔；支撑结构包括顶针及限位组件，顶针可活动地穿设于升降孔内；限位组件包括转接件，转接件的顶端与顶针活动连接，并且顶针能沿转接件的径向摆动，转接件的底端用于与一动力源连接，以带动顶针在升降孔内移动，使顶针相对于承载盘的顶面升降。本申请实施例不仅能降低故障率，而且还能大幅提高工艺良率。

摘要：本发明提供一种半导体工艺设备中用于产生等离子体的线圈装置及半导体工艺设备，该装置包括线圈结构和用于固定和冷却线圈结构的固定冷却组件，其中，固定冷却组件包括采用绝缘材料制作的固定本体，且在固定本体中形成有冷却空间，线圈结构固定设置在冷却空间中；固定本体上设置有与冷却空间相连通的进气口和出气口，进气口用于向冷却空间中输送冷却气体；出气口用于排出冷却空间中的冷却气体；在冷却空间中还设置有扰流结构，用以改变冷却空间中的气体流动方向，以提高冷却空间中的气体分布均匀性。本发明提供的上述线圈装置及半导体工艺设备，可以提高对线圈的冷却效率和冷却均匀性，降低线圈的氧化速度，从而可以延长线圈的使用寿命。

摘要：本发明提供一种半导体工艺设备，包括管路组件、静电卡盘、工艺腔室和用于向管路组件发送控制信号的控制单元，管路组件用于将冷却源中的冷却液传输至静电卡盘。冷却源包括第一冷却部和第二冷却部，管路组件至少包括第一分管路和第二分管路，第一分管路的一端与第一冷却部连接，另一端连接静电卡盘；第二分管路的一端与第二冷却部连接，另一端连接静电卡盘；管路组件用于在未接收到控制信号时，使第一冷却部经第一分管路与静电卡盘连通，并使第二冷却部与静电卡盘断开；管路组件还用于在接收到控制信号时，使第二冷却部经第二分管路与静电卡盘连通，并使第一冷却部与静电卡盘断开。本发明提供的半导体工艺设备安全性高且温控能力强。

摘要：本发明提供一种半导体反应腔室，包括腔室本体、进气部件、承载部件、上射频组件、多个紫外光发生装置和设置在腔室本体顶部的介质窗，承载部件设置在腔室本体内，并对应设置于介质窗下方；进气部件贯穿于介质窗中心；上射频组件设置于腔室本体的上方，用于对通入腔室本体内的工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光；多个紫外光发生装置设置在介质窗和承载部件之间，并环绕在进气部件的周围，且沿腔室本体的周向均匀间隔分布；紫外光发生装置与介质窗之间具有预设夹角，用于产生朝向承载部件照射的第二紫外光。本发明提供的半导体反应腔室能够提高单一待加工晶片刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片之间的刻蚀一致性，从而提高工艺效果。