摘要：本发明公开了插接式母线槽载波通讯系统，属于母线槽技术领域。插接式母线槽载波通讯系统，包括壳体和设置于壳体上的多个母线模块，壳体上还设置有绝缘模块，还包括：连接模块，用于母线连接的模块；智能模块，安装在连接模块中，用于检测电气参数；采集模块，用于采集母线模块传输数字信号和媒体信号；智能监控主机模块，用于接收采集模块采集的信号；本发明通过采用母线模块对监测数据进行传输，不需要额外铺设专用的电线电缆，有效的利用母线槽进行载波方式的信号传输，减少额外的财力、人力投入，更便于施工，通过利用母线模块进行传输信号，能够有效解决外界信号干扰和损坏的问题，避免信号传输中断的可能性，提高了系统运行的可靠性能。

摘要：本发明涉及配电技术领域，特别是涉及一种配电装置及更换断路器的方法，其配电装置包括母排组件和断路器组件，所述母排组件包括沿第一方向延伸设置的母排主体，所述母排主体包括间隔设置第一相排、第二相排和第三相排；所述断路器组件，设于所述母排组件沿第二方向的一侧，所述断路器组件包括断路器本体和三个夹连器，三个所述夹连器沿竖直方向依次设于所述断路器本体，三个所述夹连器分别对应夹持所述第一相排、第二相排和第三相排；综上，本发明的配电装置在更换断路器组件的过程中不需要关闭隔离开关以及执行其他断电作业，不会影响其他断路器组件以及与这些断路器组件相连的设备正常运行，工作连续性强，而且更换方便，更换效率高。

摘要：一种配电装置，包括：母排装置和断路器组件，母排装置包括从上至下依次设置的多个绝缘组件，绝缘组件沿第一方向延伸设置，绝缘组件包括绝缘排和相排，绝缘排内设有第一容纳腔，绝缘排相对于第二方向的侧面设有贯穿于第一容纳腔的第一开口；断路器组件对应第一开口设于母排装置沿第二方向的一侧，断路器组件包括断路器本体和多个连接组件，断路器本体上设有多个连接端，连接端、连接组件和绝缘组件一一对应，连接组件包括连接件和绝缘套，绝缘套套设于连接件的外侧，连接件的两端分别设为第一端和第二端，第一端连接于连接端，第二端穿过第一开口并伸入第一容纳腔内并连接于相排；综上，本发明配电装置发生短路和漏电等安全事故的概率低。

摘要：本发明公开了运单处理的方法、装置、电子设备和存储介质，涉及计算机技术领域。该方法的一具体实施方式包括：接收运单的处理指令，获取对应的运单信息，以确定运单对应各物流节点的物流信息，基于物流信息生成各物流节点对应的监控事件集合；响应于运单的状态变化，获取运单的当前状态信息，以与监控事件集合匹配，根据匹配结果确定运单的配送异常信息，以生成异常消息；基于当前状态信息确定当前物流节点，以将异常信息发送至物流节点关联的监控端。该实施方式能够解决在运单量较大时大量任务下发，业务人员很难及时查看和监控运单配送情况，无法有效的避免运单配送异常的问题。

摘要：一种高介电常数Ta₂O₅基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta₂O₅基陶瓷坯体，以190～350w/cm²的低功率密度在30～185s时间内对Ta₂O₅基陶瓷坯体进行激光辐照预热；预热结束后，调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850～1405w/cm²，进行烧结；经过25～95s的烧结后，激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta₂O₅基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。

摘要：一种Ta₂O₅基透明陶瓷制品及其激光快速制备方法，属于陶瓷材料制备领域。该陶瓷由以下方法制备：将Ta₂O₅粉料或按化学计量配比92∶8混合的Ta₂O₅和TiO₂粉料，在1200℃～1350℃预烧4.8～5.6小时，然后压成Ta₂O₅基陶瓷坯材；在50～90s时间内，采用功率密度800～1250w/cm²的激光辐照上述Ta₂O₅基陶瓷坯材，进行预热；上述预热结束后，采用功率密度4800～5700w/cm²的激光烧结30～50s后，试样冷却至室温。该Ta₂O₅基透明陶瓷(如图所示)密度高，最低相对密度大于97％，平均相对密度近似理论密度；所用原料粉可以为普通工业用粉料，工艺简化，能耗低、时耗小，大大节约制备成本。

摘要：一种高介电常数Ta₂O₅基陶瓷的连续调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta₂O₅基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm²连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm²，开始烧结；经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta₂O₅基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。

摘要：本发明公开了一种沉淀型复合物二次包覆的Cu‑Bi催化剂及其制备方法，属于催化材料、新型煤化工和精细化工领域，具体涉及Cu‑Bi催化剂制备领域，本发明以铜盐溶液、铋盐溶液、碱金属盐溶液、硅酸、有机高分子聚合物等为原料，采用沉淀—包覆法制备了耐磨性能好、催化活性高的复合物二次包覆的球形Cu‑Bi催化剂，本发明的催化剂耐磨性能好、催化活性高、寿命长、易生产和重复性好，可广泛用于Reppe法催化合成1,4‑丁炔二醇。

摘要：本发明涉及基于区块链的GPU计算方法、装置及计算机设备，该方法包括获取运算任务；根据运算任务计算运算所需费用；根据运算所需费用从运算任务发起者的账号中扣除对应虚拟货币；获取在线的候选GPU以进行分布式运算；判断分布式运算是否完成；若是，则获取在线的候选GPU的运算量；根据运算量分配对应虚拟货币至在线的候选GPU的拥有者账户中。本发明通过在GPU进行分布式运算的过程中，加入EOS的区块链技术，对参与分布式运算的候选GPU按照运算量进行对应货币的奖励，以实现在分布式计算过程中采用激励机制激励GPU拥有者积极参与，以提高计算的效率。

摘要：本发明涉及一种基于温度补偿的压力检测方法、系统和存储介质，所述方法包括：S1、获取当前环境的温度值，以及获取压力传感器在所述当前环境中采集的当前压力值；S2、基于所述当前环境的温度值获取目标补偿压力值；S3、根据所述当前压力值和所述补偿压力值得到实际压力值。本发明的技术方案通过上述方法克服了环境温度对于压力值的影响，采用温度补偿的方式得到了精准的压力值，从而给用户带来了更加便捷的使用体验。