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发明专利:373实用新型: 268外观设计: 5
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申请号:02148709.X 公开号:CN1501468 主分类号:H01L21/76
申请人:上海宏力半导体制造有限公司 申请日:2002.11.15 公开日:2004.06.02
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明公开一种减少半导体组件产生浅沟渠隔离凹陷效应的方法,其是在一半导体基底表面形成一垫氧化层与氮化硅层后,利用蚀刻技术形成浅沟渠,再于浅沟渠两侧的基底内形成一离子掺杂区,接着该基底上形成氧化层,使其填满该浅沟渠,以形成浅沟渠隔离结构。本发明利用该离子掺杂区防止扭曲效应的发生,以保持组件特性,并提升产品合格率。
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申请号:200410018463.7 公开号:CN1700409 主分类号:H01L21/00
申请人:上海宏力半导体制造有限公司 申请日:2004.05.19 公开日:2005.11.23
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明提供一种形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法,它利用对多晶硅薄膜同时掺杂N型离子与P型离子,使对多晶硅薄膜进行退火工艺时N型离子与P型离子分别偏析于晶界与晶粒,导致电子传导时必须克服N-P型离子所建立的势垒才能够迁移,进而获得具有较高电阻值的多晶硅薄膜。
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申请号:200410011861.6 公开号:CN1753159 主分类号:H01L21/60(2006.01)I
申请人:日月光半导体制造股份有限公司 申请日:2004.09.22 公开日:2006.03.29
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明涉及一种整合打线及倒装封装的芯片制程,其包含下列步骤:首先,提供一芯片,该芯片上具有一保护层及多个露出保护层的芯片焊垫;接着,形成一依序由铝/镍-钒/铜金属所组成的球底金属层于每一该等芯片焊垫上;之后,将部分芯片焊垫上的球底金属层中的铜层及镍-钒层移除,以使部分芯片焊垫上的球底金属层只由铝层所组成;接着,以光阻定义出多个开口,以暴露出含有铝/镍-钒/铜金属的球底金属层,并填入焊料于开口中;最后,进行一回焊步骤,以形成多个焊球于含有铝/镍-钒/铜金属的球底金属层上。此外,本发明另提供通过上述的整合打线及倒装封装的芯片制程所制造的整合打线及倒装封装的芯片结构。
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申请号:200410074582.4 公开号:CN1747169 主分类号:H01L27/00(2006.01)I
申请人:日月光半导体制造股份有限公司 申请日:2004.09.07 公开日:2006.03.15
发明人:蔡孟锦
摘要:一种覆晶连接埋入式被动元件的集成电路装置及其制造方法,提供一具有运算功能的覆晶芯片及一虚芯片,其中该集成电路装置包含有至少一埋入式被动元件、复数个重分配线路以及复数个覆晶接垫,该覆晶芯片较小于该虚芯片,且该覆晶芯片接合于在该虚芯片的表面上的覆晶接垫,该埋入式被动元件经由重分配线路与覆晶接垫而电性连接至该覆晶芯片,并在该虚芯片的该表面周边设置有复数个焊球。本发明通过具有埋入式被动元件的虚芯片与该覆晶芯片能被以不同的晶圆处理过程加以分别制作,达到高产出率与低制造成本,此外,由该覆晶芯片与该虚芯片所组成的集成电路装置具有传输快且不干扰的电性功能。
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申请号:201010576297.8 公开号:CN102264021A 主分类号:H04R19/04(2006.01)I
申请人:歌尔声学股份有限公司 申请日:2010.12.07 公开日:2011.11.30
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明公开了一种MEMS麦克风芯片,包括中部设置有孔洞的基底、振膜以及与所述振膜相对设置的固定极板,所述振膜被悬空设置的悬梁结构支撑,所述悬梁结构上设置有加强结构;这种设计的MEMS麦克风芯片,其振膜应力小、灵敏度高,并且产品可靠性好、不会因外力作用而导致振膜的支撑部分损坏。?
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申请号:201010134334.X 公开号:CN102209287A 主分类号:H04R19/04(2006.01)I
申请人:歌尔声学股份有限公司 申请日:2010.03.29 公开日:2011.10.05
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明提供一种MEMS麦克风芯片及其制造方法,其中的MEMS麦克风芯片包括基底以及设置在基底上的平行板电容器,平行板电容器的一侧相对于基底,另一侧外部设置有保护装置,用于保护MEMS麦克风芯片的主体结构。本发明通过对振动膜设置保护装置,将平行板电容器中较为脆弱的振动膜等结构与MEMS麦克风芯片的外部空间分隔开,不仅能够避免了MEMS麦克风芯片在切割过程中受到污染,有效提高制作过程的效率,降低生产成本、提高生产成品率;而且在MEMS麦克风芯片后续的安装使用过程中也能够对芯片提供足够的保护。
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申请号:201210460227.5 公开号:CN102932724A 主分类号:H04R19/04(2006.01)I
申请人:歌尔声学股份有限公司 申请日:2012.11.15 公开日:2013.02.13
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明公开了一种微机电传声器芯片及其制作方法。该微机电传声器芯片中:基底上表面为阻挡层,阻挡层之上为支撑层,支撑层之上为背极板;基底、阻挡层和支撑层的中心有一贯通孔,为背腔;背极板由绝缘层和导电层构成,绝缘层在上,导电层在下;其中导电层分为两部分,一部分在绝缘层下并在背腔中分形成悬臂,振膜悬设在该悬臂上,铆钉设置在振膜下对应于悬臂的位置,导电层的另一部分设置在绝缘层下的与振膜振动区域所对应的位置以及与第一金属电极和第二金属电极对应的位置。本发明的技术方案能够解决振膜的应力不能最大程度释放、灵敏度低和工艺复杂的问题,并且增强了悬设的振膜的耐震跌落的强度。
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8:[发明] MEMS麦克风
申请号:201310099654.X 公开号:CN103200508A 主分类号:H04R19/04(2006.01)I
申请人:歌尔声学股份有限公司 申请日:2013.03.26 公开日:2013.07.10
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明提供一种MEMS麦克风,包括线路板和MEMS声电芯片,MEMS声电芯片包括基底,其中,还包括声孔单元和通道,声孔单元包括进声孔和至少至少两个MEMS声电芯片上的振膜背洞声孔;进声孔和振膜背洞声孔之间通过通道连通;通道设置在基底上;MEMS声电芯片为由至少两个以上的芯片组成的芯片整体。本发明提供的MEMS麦克风能够解决声阻大、声压不均匀的问题。
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申请号:201310320229.9 公开号:CN103402163A 主分类号:H04R19/04(2006.01)I
申请人:歌尔声学股份有限公司 申请日:2013.07.26 公开日:2013.11.20
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明提供一种抗冲击硅基MEMS麦克风及其制造方法,所述麦克风包括:硅基底,在该硅基底中形成有背孔;振膜,该振膜支撑在所述硅基底上并设置在所述硅基底中的背孔的上方;穿孔背板,该穿孔背板设置在所述振膜的上方;空气间隙,该空气间隙形成在所述振膜和所述穿孔背板之间;以及限幅机构,该限幅机构形成在所述硅基底的背孔中,并支撑在所述背孔的侧壁上,在该限幅机构与所述振膜之间形成有预定间隔。所述麦克风通过限幅机构限制该麦克风中的振膜的振动幅度从而可以防止振膜在外部冲击下受到损坏。
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申请号:201310256506.4 公开号:CN103369450A 主分类号:H04R31/00(2006.01)I
申请人:歌尔声学股份有限公司 申请日:2013.06.25 公开日:2013.10.23
发明人:蔡孟锦
摘要:本发明提供一种麦克风中使用的防水薄片的制造方法,该方法包括:a)准备普通厚度的硅片;b)在所述硅片的一面形成多个水不浸深槽;c)从所述硅片的与形成有多个水不浸深槽的一面相对的另一面进行减薄,直到所述多个水不浸深槽变为多个水不浸通孔。所述方法可以确保麦克风中使用的防水薄片制造方便、结构完整性好、防水性能好、声效好、厚度薄、耐高温回流且批量生产性好。
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