摘要：本发明公开了一种FFS模式显示装置的阵列基板及阵列基板，涉及显示器技术，为增强像素的透过率而发明。阵列基板包括：基板、公共电极、栅线及数据扫描线、栅极绝缘层、薄膜晶体管、钝化层、像素电极，其中薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极、漏电极，栅极与栅线连接，源电极与数据扫描线连接，漏电极与像素电极连接，钝化层位于源漏电极及数据扫描线之上，漏电极的钝化层上形成有钝化层过孔，像素电极为∧形像素电极，形成在钝化层之上，并通过钝化层过孔与漏电极相连，其特征在于，数据扫描线位于，∧形像素电极中“/”形部分与“\”形部分像素电极交界处所对应的位置的下方。本发明能够增强像素的透过率，提高显示质量。

摘要：本发明的实施例公开了一种像素结构及其制备方法，涉及液晶显示领域，解决了现有像素结构的漏极电极和像素电极接触电阻较大的问题。本发明实施例，在像素结构漏极电极上方的钝化薄膜形成过孔，该过孔同时穿过钝化薄膜和低电阻金属薄膜，使得该过孔的底部为抗腐蚀金属薄膜，并且在过孔内设有像素电极。本发明实施例主要在液晶显示器中。

摘要：本发明公开了一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用的靶材，其中靶材为Al-RE的合金、Al-Ni的合金或者Al-Ni-RE合金，靶材中合金元素的含量在1at％-10at％。本发明同时公开了TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用靶材的制备方法和TFT LCD有源矩阵电极薄膜的制备方法。本发明用资源丰富Ni以及RE替代资源稀缺高价格的Nd，制备二元合金靶材，能够降低靶材及电极薄膜的制造成本。本发明电极薄膜的制备方法中通过磁控溅射方法使合金元素能够固溶其中，能够提高Al合金薄膜的热稳定性。本发明电极薄膜的制备方法中，在退火过程将使全部或者部分固溶态的合金元素以金属间化合物的形式沉淀于晶粒之间，能够降低合金薄膜的电阻率和提高其热稳定性。

摘要：本发明公开一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法。阵列基板包括衬底基板，衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和有源层；薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；漏电极形成于像素电极之上，并与所述像素电极连接。本发明技术方案可以通过一次构图形成数据线、源电极、漏电极和像素电极，减少了构图次数，提高了生产效率。

摘要：本发明的实施例提供一种集成彩膜的阵列基板及其制造方法和液晶显示器。其中，集成彩膜的阵列基板包括：包括阵列基板主板，形成于所述阵列基板主板上的黑矩阵以及彩色滤光膜，所述集成彩膜的阵列基板还包括形成于所述彩色滤光膜之间的反光层，所述反光层位于所述黑矩阵之上。采用该集成彩膜的阵列基板的液晶显示器，在高光强的环境下仍具有较佳的可视性。

摘要：本发明提供一种TFT阵列基板，其包括：基板(1)和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极(2)、半导体层(5)、源电极(8)和漏电极(9)，所述半导体层(5)相邻的图层采用复合层结构，所述复合层结构包括由能够避免半导体层(5)失氧的绝缘材料制成的与半导体层(5)接触的保护层和由易刻蚀的绝缘材料制成的绝缘层。本发明TFT阵列基板既能提高TFT的稳定性，又适合TFT阵列基板的大批量生产。

摘要：本发明公开了一种TFT阵列基板的制造方法，所述方法包括：A、在玻璃基板上沉积透明导电薄膜层和源漏金属层，并通过构图工艺形成包含有源电极、漏电极、数据扫描线以及透明像素电极的图形；B、在步骤A所得到的基板上沉积半导体层，并通过构图工艺形成包含有半导体层图案的图形；C、在步骤B所得到的基板上，连续沉积栅极绝缘层，并依次沉积栅金属膜，并通过构图工艺形成包含有栅电极和栅极扫描线的图形，完成TFT阵列基板的制造。本发明还公开了一种TFT阵列基板结构，采用本发明能避免形成源漏电极对半导体层造成破坏，可通过一次构图工艺同时形成源漏金属电极和透明像素电极，制作工艺简单、良品率高，且能节约设备投资，提升生产效率。

摘要：本发明的实施例公开了一种液晶显示面板及其驱动方法，涉及液晶显示技术领域，用以消除设计半透半反式液晶显示面板过程中出现的光程差问题。在阵列基板上形成有多条栅线、多条数据线和多个像素单元，所述像素单元包括至少三个子像素单元；所述子像素单元包括一透射亚像素单元和一反射亚像素单元，所述透射亚像素单元包括有透射薄膜晶体管及与所述透射薄膜晶体管的漏极连接的透射像素电极，所述反射像素单元包括反射层、反射薄膜晶体管及与所述反射薄膜晶体管的漏极连接的反射像素电极，所述透射薄膜晶体管的栅极和所述反射薄膜晶体管的栅极均与所述栅线连接，所述透射薄膜晶体管的源极和所述反射薄膜晶体管的源极与不同数据线连接；所述彩膜基板包括有多个彩膜单元，所述彩膜单元包括有不同颜色的至少三个彩色子单元；每一彩色子单元与所述阵列基板上的一子像素单元对应。

摘要：本发明涉及液晶显示器领域，提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。本发明的阵列基板包括：形成在钝化层表面上的至少一个反射区；其中，反射区包括形成在钝化层表面上的反射层以及形成在反射层表面上的反射面。与现有技术相比，本发明最大的特点是在不增加构图工艺的条件下，在显示区域表面形成了可漫反射外界光线的反射区，使得显示器件在工作时可以充分利用外界的光线，为显示区域增加了额外的光照，从而提升了显示器件在阳光下的显示效果。

摘要：本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶面板制造领域，在防止半导体有源层受到污染的同时，减少了构图工序，提高了生产效率，降低了生产成本。TFT阵列基板包括：基板，基板上形成的栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层，具有金属氧化物区域的金属阻挡层，金属阻挡层上形成有源极和漏极，金属阻挡层的金属氧化物区域位于所述源极、漏极之间，基板和所述源极、漏极上形成有保护层和与所述漏极连接的像素电极。本发明实施例用于制造TFT阵列基板。