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发明专利:
4701
实用新型:
3237
外观设计:
462
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1:
[发明]
基建施工用爆破管固定装置
申请号:
202310701659.9
公开号:CN116499328A 主分类号:F42D1/22
申请人:
中国港湾工程有限责任公司
申请日:2023.06.14 公开日:2023.07.28
发明人:
裴丽
摘要:本发明公开了一种基建施工用爆破管固定装置,包括:爆破管两端均设有卡槽;前导件,其包括前导板、第一卡头、至少两个连接孔,第一卡头卡接于卡槽上;多个连接件,包括中支座、第二卡头、至少两个限位孔,第二卡头卡接于相邻两个爆破管的卡槽上;后封件,其包括后封板、第三卡头、至少两个定位孔,第三卡头卡接于卡槽上;调节件,其包括至少两个长杆体、连接头、可拆卸固定于多个长杆体后端上的操作板,连接头依次活动穿过定位孔和限位孔,并且活动卡接于连接孔上;其中,中支座和后封板上均设有供导爆索活动穿过的导爆索孔。本发明具有定向安装爆破管,精准调节爆破管的聚能方向的有益效果。
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2:
[发明]
一种半导体器件及其制造方法
申请号:
201610235532.2
公开号:CN106298905A 主分类号:H01L29/778(2006.01)I
申请人:
苏州能讯高能半导体有限公司
申请日:2016.04.15 公开日:2017.01.04
发明人:
裴风丽
;
裴轶
摘要:一种半导体器件及其制造方法,涉及微电子技术领域,该半导体器件包括衬底;位于衬底上的半导体层;位于半导体层上的栅极、源极和漏极,栅极位于源极和漏极之间;以及表面钝化层,表面钝化层包括位于半导体层上的第一部分和第二部分,第一部分位于栅极与漏极之间,第二部分位于栅极与源极之间;栅极面向漏极的第一侧面与半导体层的交界处不直接接触表面钝化层。本发明的栅极靠近漏极的侧面与表面钝化层不直接接触,避免因栅极与表面钝化层直接接触而导致的肖特基性能退化,栅极漏电增大,栅极失效等问题,器件的可靠性好。本发明还涉及该半导体元件的制作方法。
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3:
[发明]
一种多功能医院用椅
申请号:
201310639333.4
公开号:CN104688339A 主分类号:
申请人:
裴丽
娜
申请日:2013.12.04 公开日:2015.06.10
发明人:
裴丽
娜
摘要:一种多功能医院用椅,包括座椅本体,座椅本体的一支椅腿下设有底板,底板上垂直连接有支架,支架的中部设有可沿其上下滑动的支撑板,支架的顶部设有挂钩;所述支架为高度在1.5m以上的杆体,其底端固定连接在底板上。由于测量血压时,血压计的水准0位、病人的右上臂肘部和人体心脏三者应该保持在同一个平面上,本发明设置支架和支撑板,且支撑板的位置可以根据需要进行上下调节,将血压计防止在支撑板上,然后根据患者的坐高调节支撑板的位置,然后进行血压测量,能够快速精准定位,保证了测量结果的准确性。同时由于在支架的顶部设有挂钩,如果患者需要输液时可以将输液瓶挂在挂钩上,可以一椅多用。
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4:
[发明]
半导体芯片、半导体晶圆及制造方法
申请号:
201610442936.9
公开号:CN106252288A 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
申请人:
苏州能讯高能半导体有限公司
申请日:2016.06.20 公开日:2016.12.21
发明人:
裴风丽
摘要:本发明提供了一种半导体芯片、半导体晶圆及制造方法,所述半导体芯片包括基底、基于基底一侧制作的半导体层、以及从基底另一侧开设的至少一应力槽。通过在基底的一侧开设至少一应力槽,在半导体芯片的制造过程中,芯片中产生的应力可以通过应力槽得到减小、缓冲或者释放,避免由于应力的变化导致芯片产生裂纹、崩边、翘曲、变形或者其他缺陷,减少碎片率,提高半导体芯片上器件或电路的良率,节约生产成本。
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5:
[发明]
一种半导体器件及其制备方法
申请号:
201610504238.7
公开号:CN106252303A 主分类号:H01L23/31(2006.01)I
申请人:
苏州能讯高能半导体有限公司
申请日:2016.06.30 公开日:2016.12.21
发明人:
裴风丽
摘要:本发明公开了一种半导体器件及其制备方法,其中,半导体器件包括半导体层;位于所述半导体层上的电极;位于所述半导体层上和所述电极上的介质层,所述电极一部分被所述介质层覆盖;位于所述介质层与所述电极之间的粘附层。本发明在介质层与电极上表面之间形成第一粘附层,提高了电极和介质间交界处的性能,防止介质层出现裂纹或脱落,提高了半导体器件的成品率和可靠性。
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6:
[发明]
氮化镓芯片及其制备方法
申请号:
201610301799.7
公开号:CN106299071A 主分类号:H01L33/38(2010.01)I
申请人:
苏州能讯高能半导体有限公司
申请日:2016.05.09 公开日:2017.01.04
发明人:
裴风丽
摘要:本发明提供了一种氮化镓芯片及其制备方法,所述氮化镓芯片包括氮化物半导体层、散热衬底、保护层,所述氮化物半导体层位于所述散热衬底和所述保护层之间,所述氮化物半导体层与所述保护层之间设置有欧姆电极和肖特基电极。本发明提供的氮化镓芯片及其制备方法通过将高质量的氮化物半导体层转移到热导率较高的散热衬底上,使得氮化镓芯片内部的热量通过散热衬底快速散发出去,保证了氮化镓芯片性能的正常发挥,提高了氮化镓芯片的稳定性和可靠性,以此解决氮化镓芯片自热的问题。同时在转移的过程中,将缺陷与位错较高的部位去除掉,进一步提高了氮化镓芯片的性能,提高了氮化镓芯片的寿命和可靠性。
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7:
[发明]
基于石墨烯微细光纤的光空间超快调制器
申请号:
201611004639.2
公开号:CN106526902A 主分类号:G02F1/01(2006.01)I
申请人:
北京交通大学
申请日:2016.11.15 公开日:2017.03.22
发明人:
裴丽
;
白冰
摘要:本发明公开了一种基于石墨烯微细光纤的光空间超快调制器,涉及全光超快调制器领域。包括:平板基底、石墨烯层、微细光纤和泵浦光源;石墨烯层设置于平板基底上,微细光纤以盘绕形式设置于石墨烯层上,泵浦光源设置于微细光纤的上方;泵浦光源产生的包含有调制信号的空间泵浦光照射在石墨烯层上。将需要加载的超快信号编辑成空间泵浦光,照射在石墨烯层上。通过以较低频率进行短时间长度空间泵浦光与长时间长度满光的切换,可以将超高速调制信号加载到载波上,产生超快调制的效果。通过加载不同的空间泵浦光,可以实现任意超快信号的加载。
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8:
[发明]
基于石墨烯栅层微细光纤的电光任意波形发生器
申请号:
201611014835.8
公开号:CN106483684A 主分类号:G02F1/03
申请人:
北京交通大学
申请日:2016.11.18 公开日:2017.03.08
发明人:
白冰
;
裴丽
摘要:本发明涉及一种基于石墨烯栅层微细光纤的电光任意波形发生器,本发明所述的基于石墨烯栅层微细光纤的电光任意波形发生器,包括:微细光纤、石墨烯栅层、正电极阵列、负电极阵列和平板基底,石墨烯栅层置于平板基底上,微细光纤置于石墨烯栅层上,正电极阵列包括多个正电极,负电极阵列包括多个负电极,正电极阵列的各正电极与负电极阵列的各负电极分别连接于石墨烯栅层各单元的两端。将所需波形编辑成随时间变化的空间电信号阵列,将产生的随时间变化的空间电信号阵列施加在石墨烯栅层各单元的两端。以较低频率改变电极阵列所产生的空间电信号阵列,该发生器可以精确产生任意所需波形。
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9:
[发明]
基于石墨烯微细光纤的超高速光信号发生器
申请号:
201611014815.0
公开号:CN106707562A 主分类号:G02F1/035(2006.01)I
申请人:
北京交通大学
申请日:2016.11.18 公开日:2017.05.24
发明人:
裴丽
;
白冰
摘要:本发明涉及一种基于石墨烯微细光纤的超高速光信号发生器,包括:微细光纤、石墨烯层、平板基底、泵浦光源和掩膜板。具体组合方式为:石墨烯层置于平板基底之上,微细光纤以盘绕的形式置于石墨烯层上,掩膜板位于石墨烯层的上方,泵浦光源设置于掩膜板的上方;泵浦光源产生的泵浦光经过掩膜板产生衍射条纹照射于石墨烯层上,改变泵浦光的强度调节石墨烯层对载波的吸收特性,产生超高速光信号。
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10:
[发明]
基于栅结构石墨烯微细光纤的超高速电光信号发生器
申请号:
201611037653.2
公开号:CN106707563A 主分类号:G02F1/035(2006.01)I
申请人:
北京交通大学
申请日:2016.11.23 公开日:2017.05.24
发明人:
白冰
;
裴丽
摘要:本发明涉及一种基于栅结构石墨烯微细光纤的超高速电光信号发生器。包括:微细光纤(1)、石墨烯栅结构层(2)、正电极(3)、负电极(4)、和平板基底(5);石墨烯栅结构层(2)包括至少两个相互平行的石墨烯条带(21);石墨烯栅结构层(2)设于平板基底(5)之上,微细光纤(1)设于石墨烯栅结构层(2)上,正电极(3)与各石墨烯条带(21)的一端连接,负电极(4)与各石墨烯条带(21)的另一端连接。该基于栅结构石墨烯微细光纤的超高速电光信号发生器相比于已有的单点位置信号发生器,随着石墨烯栅结构层(2)的增长,所加电压的变化速度可以无限减小,实现从极低速电信号到超高速光信号的转化。
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4701
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