摘要：本发明涉及具有安全装置的电子产品与使用方法。其是将一个电子可抹除式可编程只读存储器(EEPROM)晶体管连接至用以接收外来电子讯号的接收装置与用以储存处理电子讯号的数据总成的导线，使得电子可抹除式可编程只读存储器晶体管的漏极电性藕接至导线，而其闸极与源极电性耦接至电位基准点。在接收电子讯号之前，先以紫外线抹除程序等方式使得电子可抹除式可编程只读存储器晶体管呈现不导通状态；而在电子讯号接收完毕后，再以输入高电压讯号至导线的方式使得电子可抹除式可编程只读存储器晶体管呈现可编程的导通状态，以确保接收端随后接收到的任何电子讯号都不会再被数据总成所储存或处理。

摘要：本发明提供一种掩膜(mask)式只读存储器的编码方法，首先，提供一半导体基底，上述半导体基底形成有掩膜式只读存储单元阵列。接着在上述半导体基底上方形成一粗糙粘附层。然后在上述粗糙粘附层表面形成一编码掩膜，上述编码掩膜覆盖欲保护的存储器单元。其次，利用上述编码掩膜为遮蔽物，并且植入离子于上述未被遮蔽部分的半导体基底，以进行编码。

摘要：本发明提供一种具有自动对准漂浮栅极的电子可抹除可编程只读存储器的制造方法，首先，提供一表面形成有长条硬掩膜(mask)的半导体基底，然后利用上述硬掩膜为遮蔽物，以蚀刻上述半导体基底而形成一沟槽。接着在上述沟槽内形成上表面与上述硬掩膜上表面略为等高的氧化物。然后去除上述硬掩膜，使得填入上述沟槽的氧化物之间形成一凹处，其次，全面性沉积第一复晶硅层以填入上述凹处。然后平坦化上述第一复晶硅层，以在第一方向形成上表面与上述氧化物的上表面略为等高的第一复晶硅长条物，然后选择性蚀刻上述第一复晶硅长条物以形成漂浮栅极区块，并且露出部分半导体基底。

摘要：本发明提供一种移动通信装置，其可以向用户通知根据终端的场所或连接时刻而显著变化的通信品质状态及其维持时间。基站中具有：根据来自终端的应用的启动请求，根据从终端接收到的通信品质指标进行数据通信速度的计算的单元；进行发送到终端的流量的统计计算的单元；求出空闲资源块数的统计值的单元；根据通过空闲资源块变换部求出的空闲资源块的统计值，求出通过数据通信速度计算部求出的数据通信速度的预想持续时间的单元；以及将数据通信速度和持续时间发送到终端的单元。终端把从移动通信装置发送来的数据通信速度以及持续时间显示在显示单元上，并根据用户的选择结果来进行应用的连接控制。

摘要：本发明公开一种电子装置，包括电压源以及至少一存储单元，所述电子装置的存储单元通过导线与外部的信号输入设备连接，所述电子装置内的导线上连接有闪存晶体管，所述闪存晶体管的漏极与所述导线连接，源极接地；所述电压源与闪存晶体管的栅极连接。本发明通过在电子装置内的导线上连接有闪存晶体管，在完成写入操作后，启动连接栅极的电压源，使得所述使闪存晶体管的漏极与源极导通，在漏极和源极之间产生电流通过。然后，将栅极电压始终偏置在等于或者高于所述晶体管阈值电压的状态，使得在漏极和源极之间产生电流通过，外部输入的任何信号都会通过导线流经漏极、源极至接地端，保护存储单元内的信息不被修改，确保存储单元内的信息安全。

摘要：本发明公开一种电子装置，包括电源、控制器以及USB单元，所述电源用以为所述电子装置提供能量，所述USB单元包含USB1.1、USB2.0、USB3.0三种传输模式，用以根据所述控制器产生的控制信号，对所述电子装置提供不同的传输模式；所述控制器用以监控所述电源的电源能量，根据电源能量的衰减状态，产生控制信号，控制USB单元按照USB3.0到USB2.0再到USB1.1的顺序进行传输模式的切换。本发明提出的电子装置通过监控电源输出的电源能量，在不同的电源能量下采用不同的传输模式，从而既能满足高速传输的需求，也能延长电池的使用时间。

摘要：本发明提供一种金属层的制造方法，包括步骤：形成金属薄膜层；对该金属薄膜层进行退火；继续生长，形成金属层；对所述金属层进行退火。所述金属层的厚度大于3微米。所述金属层形成的晶粒大于25微米。所述金属层的材质为铝或者铝合金。与现有技术相比，本发明的金属层，通过先形成一比较薄的金属层，然后退火，继而在此基础上继续生长，变厚，最后再次进行退火，形成比较粗大晶粒的金属层，从而降低所述金属层的电阻。而且，由于形成的金属层比较厚，进一步降低了所述金属层的电阻，从而使得采用所述金属层的制作方法形成的器件的互连电阻大大降低，提高了信号的传递速度，提高了芯片的性能。

摘要：本发明提供一种基于SOI的电容，所述电容置于绝缘层上硅上，所述电容包括：第一电极结构，具有第一电极以及由所述第一电极延伸形成的若干彼此平行的第一延伸电极；第二电极结构，具有第二电极以及由所述第二电极延伸形成的若干彼此平行的第二延伸电极；所述第一延伸电极与所述第二延伸电极依次交互穿插。所述绝缘层上硅包括：背衬底；在所述背衬底的表面上形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的半导体层；在所述半导体层内形成的沟槽氧化物等。本发明的电容以绝缘层上硅为衬底，使得所述电容与衬底之间不再含有导电的金属，并去除对应所述电容位置的背衬底，从而降低导电的金属连线或者金属层与电容耦合形成的杂散电容。

摘要：本发明提供一种集成电感及其制造方法，所述集成电感上置于半导体衬底上，包括由一根导电线缠绕而成的多层线圈，所述导电线的宽度相等或者呈等差、等比数列的规律变化，所述多层线圈之间形成的间隙宽度相等或者呈等差、等比数列的规律变化，所述导电线为铝、铜或者导电的硅化物。所述半导体衬底包括：背衬底；在所述背衬底表面上形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的半导体层；在所述半导体层内形成的沟槽氧化物。与现有技术相比，本发明的集成电感以半导体为衬底，使得所述集成电感与衬底之间不再含有导电的金属线，并去除对应所述集成电感位置的背衬底，消除了各种干扰集成电感的因素，从而提高了集成电感的Q值。

摘要：本发明提供一种基于体硅的电容及其制造方法，所述电容置于体硅上，所述电容包括：第一电极结构，具有第一电极以及由所述第一电极延伸形成的若干彼此平行的第一延伸电极；第二电极结构，具有第二电极以及由所述第二电极延伸形成的若干彼此平行的第二延伸电极；所述第一延伸电极与所述第二延伸电极依次交互穿插。本发明的电容以体硅为衬底，使得所述电容与衬底之间不再含有导电的金属，并去除对应所述电容位置的背衬底，从而降低导电的金属连线或者金属层与电容耦合形成的杂散电容。