摘要：本发明公开了一种二比特分栅SONOS闪存存储器的制造方法，包括：形成ONO层和逻辑区栅氧化层；淀积第一多晶硅poly层和氮化硅层，刻蚀氮化硅层形成开口并在开口两侧形成自对准氧化层侧墙；以自对准氧化层侧墙为屏蔽层刻蚀第一多晶硅poly层；形成选择管多晶硅栅和存储管多晶硅栅间的隔离介质层，刻蚀ONO层并形成选择管栅氧化层；淀积第二多晶硅poly层，进行CMP形成选择管多晶硅栅，第二多晶硅poly层顶部氧化形成热氧化层；去除氮化硅层；利用光刻胶和自对准氧化层侧墙分别定义并刻蚀第一多晶硅poly层，同时形成逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅。本发明更好地保证存储管多晶硅栅的形貌，提高器件性能，有效缩小器件尺寸，并使存储管和选择管的尺寸不受光刻限制。

摘要：本发明公开了一种分栅SONOS闪存存储器的制造方法，包括：衬底上生长选择管栅氧化层；淀积第一多晶硅poly层、氧化硅层、氮化硅层，光刻打开并依次刻蚀形成选择管多晶硅栅；刻蚀去除选择管多晶硅栅外的栅氧化层，淀积ONO层；选择性刻蚀去除逻辑区的ONO层，形成逻辑区栅氧化层；淀积第二多晶硅poly层；进行化学机械研磨和刻蚀使存储管多晶硅与选择管多晶硅高度一致；淀积氧化层并刻蚀，在选择管多晶硅上方的氮化硅层两侧形成侧墙；利用光刻胶和侧墙分别定义出逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅，进行自对准干法刻蚀同时形成逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅。本发明可以更好地保证存储管多晶硅栅的形貌，提高器件的性能，而且可以有效缩小器件尺寸。

摘要：本发明公开了一种分栅SONOS的制造方法，形成ONO层后，依次淀积第一多晶硅层、氮化硅层，刻蚀氮化硅层并在其侧面形成氧化层侧墙，刻蚀第一多晶硅层；形成SONOS存储管的源端，淀积第二多晶硅层，该第二多晶硅层直接和硅衬底连接，在第二多晶硅层顶部形成氧化层，湿法去除氮化硅层并再次刻蚀第一多晶硅层，热氧化形成逻辑区晶体管栅氧化层和选择管栅氧化层，同时在第一多晶硅层侧面形成热氧化层侧墙。淀积第三多晶硅层并刻蚀，同时形成SONOS存储管的多晶硅栅和逻辑区多晶硅栅。本发明能节省芯片面积，降低制造成本。

摘要：本发明公开了一种高压LDMOS器件制作工艺方法，包括如下步骤：步骤1、在P型衬底的上端部选择性注入形成NBL层，在P型衬底上端生长形成P型外延层；步骤2、涂敷光刻胶，在形成DNW连接到NBL隔离结构中，通过光刻将DNW注入区完全打开；在利用DNW注入形成漂移区的注入区采用间隔性部分打开的光刻胶形貌；进行DNW注入，在DNW连接到NBL隔离结构中形成深N阱，同时利用DNW注入和间隔性部分打开的光刻胶形貌形成高压LDMOS器件的漂移区，该漂移区的掺杂浓度小于深N型阱的掺杂浓度。本发明还公开了一种高压LDMOS器件。本发明能有效提高LDMOS的击穿电压并降低制造成本。

摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，包括：形成于第一外延层上的漂移区和体区，栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区；还包括共用介质层，覆盖多晶硅栅的第二侧和漏区之间的漂移区表面且共用介质层会延伸到多晶硅栅的表面上，共用介质层还覆盖部分漏区的表面；未被共用介质层所覆盖的多晶硅栅、源区和漏区的表面形成有自对准金属硅化物且共用介质层作为自对准金属硅化物的生长阻挡层；在多晶硅栅的第二侧和漏区之间的共用介质层的表面形成有漏端场板；漏端场板底部的共用介质层作为场板介质层。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能降低工艺难度，提高竞争力。

摘要：本发明公开了一种隔离结构，在P型衬底上具有P型外延，在P型外延中，形成有环形的N型深阱，以及位于环形中心区域的P阱；环形的N型深阱与P阱之间间隔外延层；所述的环形的N型深阱的下方还具有N型埋层，P阱的下方具有P型埋层；N型深阱中还包含有环形的N阱；在P型外延的表面具有场氧层，在场氧层中开有窗口，分别将N阱，以及P阱引出；所述的P型埋层，其正下方的衬底中还具有N型注入区，P型埋层和N型注入区两者互不接触。本发明在P型埋层的正下方形成N型注入区。N型掺杂改变了P型埋层下方的电势分布，拓宽了耗尽区的宽度，从而提高了该隔离结构的击穿电压。本发明工艺方法只调整了注入，无需增加额外的工艺步骤。

摘要：本发明公开了一种1.5T SONOS闪存的工艺方法：第一步，在硅衬底上形成选择管栅氧化层；第二步，刻蚀去除衬底表面剩余的栅氧化层，再形成ONO层；刻蚀去除逻辑区的ONO层，热氧化在逻辑区形成栅氧化层；再通过光刻胶定义，在选择管的多晶硅栅之间进行选择管的源区注入，再刻蚀去除选择管多晶硅栅之间的ONO层；第三步，淀积第二多晶硅层；第四步，刻蚀第二多晶硅层，形成逻辑区的多晶硅栅、存储管的多晶硅栅以及连接选择管的源区的多晶硅；第五步，淀积氮化硅层并刻蚀；进行选择管以及逻辑区晶体管的源漏注入。本发明利用多晶硅将连接

摘要：本发明公开了一种1.5‑T SONOS器件制作工艺方法，选择管多晶硅栅的尺寸由第二多晶硅层淀积厚度决定，刻蚀后形成侧墙多晶硅层；选择管源端接触通过第三多晶硅层自对准形成连接并引出，存储管SONOS多晶硅栅由第一氮化硅侧墙淀积厚度决定，存储管源漏接触孔刻蚀是以第一氮化硅侧墙和第二氮化硅侧墙为硬掩膜层，自对准刻蚀形成。本发明能够进一步缩小器件尺寸，减小芯片的面积。

摘要：本发明公开了一种二比特分栅SONOS器件制造工艺方法，在选择管栅上半部分两侧形成第一氮化硅侧墙，以第一氮化硅侧墙和选择管多晶硅栅顶部的氧化层为屏蔽层，同时逻辑区的以光刻胶作为屏蔽层，干法刻蚀第一多晶硅层，同时形成了存储管SONOS的多晶硅栅和逻辑区多晶硅栅；存储管两侧的源漏为自对准形成的接触孔，存储管的大小由第一氮化硅侧墙厚度决定，不再受限于光刻及逻辑区多晶硅层的厚度；此外，存储管源漏的自对准接触孔也有利于减小存储单元面积。本发明能更好的保证存储管多晶硅栅的形貌，提高器件的性能，减小芯片面积。

摘要：本发明公开了一种自对准SONOS器件制作工艺方法，选择管多晶硅栅采用自对准刻蚀，使得选择管的尺寸不受限于光刻，有利于缩小选择管；存储单元源漏接触孔采用自对准刻蚀，有利于缩小存储单元的面积。本发明能够减小存储单元面积。