摘要：本发明公开了一种TFT基板的制造方法，该方法包括：在衬底基板设置凹槽；在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层，其中第一金属层作为TFT基板的栅极；在第一金属层和衬底基板上设置绝缘层；在绝缘层上依次设置半导体材料层和第二金属层，其中，第二金属层形成TFT基板的漏极和源极，半导体材料层间隔设置于漏极和栅极之间。本发明还公开一种液晶显示面板和TFT基板。通过上述方式，本发明能够降低TFT基板的厚度，有利于实现超薄化液晶显示面板，且能够提升液晶显示面板的显示品质。

摘要：本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该制备方法包括以下步骤：提供一基板；在基板上依次形成缓冲层、氧化物膜层、栅极绝缘层和第一金属层；采用一道光罩分别对第一金属层、栅极绝缘层、氧化物膜层进行图形化处理，形成栅极、图形化的栅极绝缘层、氧化物有源层。在本发明的制造方法中，对于氧化物有源层和栅极等膜层结构，采用先沉积、后分别刻蚀的方法，仅需使用一道光罩，即可完成对氧化物有源层和栅极等膜层结构的图形化处理过程。由于能够减少使用光罩的数量，因此本发明能够简化工艺制程、节省工艺时间，有效降低生产成本。

摘要：本发明涉及一种共平面型双栅电极氧化物薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上方的底栅电极；形成于底栅电极上方的第一栅极绝缘层；形成于第一栅极绝缘层上方的氧化物半导体层；形成于所述氧化物半导体层两侧的源极接触区和漏极接触区；形成于半导体成上方的第二栅极绝缘层；形成于第二栅极绝缘层上方的顶栅电极；其中，基板上表面朝向自身内部凹陷形成凹槽，底栅电极形成于凹槽中，使底栅电极上表面与基板上表面处于同一水平面。本发明的薄膜晶体管同时兼具双栅电极和共平面结构的特点，可提高薄膜晶体管的稳定性、优化其响应速度、降低驱动电压等性能。

摘要：本发明涉及一种双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括基板；形成于基板上方的底栅电极；形成于底栅电极上方的第一栅极绝缘层；形成于第一栅极绝缘层上方的半导体层；形成于半导体层上方的第二栅极绝缘层；形成于第二栅极绝缘层上方的顶栅电极；双栅电极氧化物薄膜晶体管还包括数据线，数据线与底栅电极或者数据线与顶栅电极处于同一金属层。上述薄膜晶体管的制备方法中，将数据线与底栅(或顶栅)电极共用同一金属层，且一次光刻实现图形化处理，从而减少光罩数量的使用，降低生产成本。另外，由于最终制得薄膜晶体管为双栅电极结构，能够增强薄膜晶体管的稳定性、提高其响应速度。

摘要：本发明公开了一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括：在氧化物半导体材料层形成后，在射频照射下、并在压缩空气中进行退火中形成钝化层或栅极绝缘层。通过上述方式，本发明能够多个调节氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。

摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：提供一基底并在基底上制备形成氧化物半导体有源层；在所述有源层上沉积绝缘介质层；将沉积绝缘介质层后形成的结构件进行退火处理。本发明在氧化物半导体有源层上沉积完成绝缘介质层之后，即对所形成的结构件增加进行退火处理的工艺，降低了在制备绝缘介质层时因不同的成膜工艺所带来的器件性能差异，提高了成膜工艺的可重复性。

摘要：本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板以及制造方法，该阵列基板包括：将数据线层和遮光层设计在同一层，而且，将源极层、漏极层、氧化物半导体材料层以及公共电极层设计在同一层中，且源极层、漏极层以及公共电极层是通过对氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成，提高其导电率的方式来实现源极层、漏极层、公共电极层的材料能够导电。通过上述方式，本发明能够极大地减少制程中的光罩数目，进而使得生产成本大大降低。

摘要：一种有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有薄膜晶体管中自图案化绝缘层形成的过孔较难实现上下电极层互联的问题。有机薄膜晶体管包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层、有机平坦化层和像素电极。方法：形成依次包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层和有机平坦化层在内的多层结构。本发明继承了自图案化绝缘层工艺简单的优点，同时解决了上下电极层互联断线的问题，实现了低成本制备有机薄膜晶体管。

摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管，其从下至上依次包括基板、缓冲层、多晶硅层、半导体层、栅绝缘层、金属栅电极层、互联层和源漏极，源漏极依次穿过互联层和栅绝缘层与半导体层相接，其中，半导体层包括多晶硅区、经离子掺杂分别形成的源漏电极接触区和轻掺杂区，轻掺杂区位于多晶硅层和源漏电极接触区之间，源漏极与源漏电极接触区相接；栅绝缘层在高度方向上具有不同厚度而呈阶梯形，栅绝缘层的高阶梯部与轻掺杂区相对，栅绝缘层的低阶梯部与源漏电极接触区相对。本发明降低了光罩数目，实现了生产成本的降低；减少工艺流程步骤，节省工艺制程的时间，进而真正意义上实现制备低成本的低温多晶硅薄膜晶体管。

摘要：本发明提供了有机薄膜晶体管及制备方法，有机薄膜晶体管包括基板、源漏电极层、有机半导体层、栅极绝缘层、栅电极层、有机平坦层和铟锡氧化物薄膜层。制备方法简单，在基板上形成光阻图案，然后刻蚀未被保护的基板部分，形成凹槽；去除光阻层，在凹槽中形成与基板齐平的源漏电极图案，形成共平面底接触结构；在共平面底接触结构上依次形成有机半导体层、栅极绝缘层、栅电极层和有机平坦层；在有机平坦化层内形成过孔，过孔延伸至漏电极表面；在有机平坦化层上形成铟锡氧化物薄膜层。将源漏电极与基板共平面结构设计的引入，解决传统的交叠结构中因源漏电极凸起所带来的后续有源层薄膜沉积不均的问题，降低器件的接触电阻进而提高其电学性能。