摘要：本发明涉及衬底处理装置、衬底处理方法、半导体器件的制造方法、清洁方法及记录介质。本发明的课题在于提供能降低形成于衬底载置台的不希望的膜的影响的技术。在配置于处理室的衬底载置台的衬底载置面有衬底的状态下，向所述处理室供给处理气体，在所述衬底载置面无所述衬底的状态下，向所述衬底载置台的侧面供给清洁气体及清洁辅助气体。

摘要：一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高在衬底上形成的膜的衬底面内均匀性，包括如下工序：通过将以不同时的方式进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、除去处理室内的原料气体的工序、对处理室内的衬底供给化学结构不同于原料气体的反应气体的工序、以及除去处理室内的反应气体的工序作为一循环，进行规定次数的所述循环，由此在衬底上形成膜，在除去反应气体的工序中，交替重复进行将处理室内减压排气的工序和用惰性气体吹扫处理室内的工序。

摘要：本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置。提高具有氧化膜和氮化膜的层合构造的绝缘膜的膜厚均匀性等。实施如下工序：通过对于处于小于大气压的压力下的处理容器内的被加热到第一温度的衬底实施规定次数的包括供给第一原料气体的工序和供给氧化气体及还原气体的工序的循环，由此在衬底上形成氧化膜的工序；通过对于处理容器内的被加热到第一温度以上第二温度以下的温度的衬底供给氮化气体，由此在氧化膜的表面上形成种晶层的工序；通过对于处理容器内的被加热到第二温度的衬底实施规定次数的包括供给第二原料气体的工序和供给氮化气体的工序的循环，由此在形成在氧化膜的表面上的种晶层上形成氮化膜的工序。

摘要：提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。

摘要：本发明具有通过将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素、氧及氮的膜的工序，所述循环包括：(a)向衬底供给包含规定元素的第1原料的工序；(b)向衬底供给分子结构与第1原料不同、且包含规定元素及氧的第2原料的工序；(c)向衬底供给氧化剂的工序；和(d)向衬底供给氮化剂的工序。

摘要：进行(a)向在表面设置有凹状结构的衬底供给第一原料气体而在所述凹状结构的内面形成具有规定的附着力的第一膜的工序；和(b)向所述衬底供给第二原料气体而在所述第一膜上形成具有比所述第一膜的附着力小的附着力的第二膜的工序。

摘要：本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

摘要：本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

摘要：具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，对衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和对衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序；在供给氮化气体的工序中，从第一喷嘴及第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给氧化气体的工序中，从第二喷嘴以比第一流量大的第二流量供给非活性气体。