当前查询到2981条专利与查询词 "赵正元"相关,搜索用时0.9531802秒!排序方式:
发明专利:1815实用新型: 1122外观设计: 44
1815 条,当前第 1-10 条 下一页 最后一页 返回搜索页
申请号:201910517504.3 公开号:CN110242786A 主分类号:F16K31/06
发明人:赵文元;周正
摘要:本发明公开了一种伺服电磁阀的控制器、用于伺服电磁阀的控制方法及装置。其中,该方法包括:接收预设数值范围内的电流信号,并将电路信号转换为输入控制信号;按线性比例关系计算对应于输入控制信号的驱动电流;通过驱动电流控制伺服电磁阀的开度。本发明解决了相关技术中采用恒压方式对伺服电磁阀进行控制容易产生控制精度下降的技术问题。
详细信息 下载全文

申请号:202410185328.9 公开号:CN117986930A 主分类号:C09D17/00
申请人:广州市宝墨光固化科技有限公司 申请日:2024.02.19 公开日:2024.05.07
发明人:赵宝元;赵正允
摘要:本发明涉及喷墨印刷领域,更具体的,涉及一种应用于光固化墨水的预分散颜料色片及其制备方法,原料至少包括:颜色混料85‑95%、添加剂补充余量。不需要添加多种研磨单体,配方、工艺简单,对环境与人体影响小。制作的颜料色片可以应用于光固化墨水的研发,使墨水功能不会受到液态研磨法含有与特种配方冲突的单体而影响墨水性能的开发,可以更灵活地调整墨水的配方。
详细信息 下载全文

申请号:200610028449.4 公开号:CN101097882 主分类号:H01L21/762(2006.01)I
申请人:上海华虹NEC电子有限公司 申请日:2006.06.30 公开日:2008.01.02
发明人:赵正元;刘艳平
摘要:本发明公开了一种改善STI-CMP面内平坦性的方法,该方法包括:在化学机械研磨前,先刻蚀有源区上的氧化硅,再用研磨液对硅片表面进行研磨,直到硅片表面平坦化。本发明的改善STI-CMP面内平坦性的方法使浅沟槽隔离的化学机械抛光工艺在半导体线宽逐渐缩小的情况下,仍可得到均匀的氧化硅和氮化硅,且保持良好的沟槽的隔离特性。
详细信息 下载全文

申请号:200610116251.1 公开号:CN101148016 主分类号:B24B1/00(2006.01)I
申请人:上海华虹NEC电子有限公司 申请日:2006.09.20 公开日:2008.03.26
发明人:刘艳平;赵正元
摘要:本发明公开了一种修正CMP作业工艺条件的方法,它可以根据不同的研磨速率倾向参数选择不同的CMP作业工艺条件,进而可以控制产品膜厚,提高产品膜厚的均一性。它根据产品的研磨速率倾向参数选择CMP作业工艺条件,其中不同的研磨速率倾向参数对应不同的CMP作业工艺条件,所述研磨速率倾向参数是硅片在中心区域的研磨速率和边缘某个区域研磨速率的比值。
详细信息 下载全文

申请号:200710094445.0 公开号:CN101456156 主分类号:B24B37/04(2006.01)I
申请人:上海华虹NEC电子有限公司 申请日:2007.12.13 公开日:2009.06.17
发明人:赵正元;张震宇
摘要:本发明公开了一种调节化学机械平面化速率的方法,根据配方的要求自动调整研磨液喷嘴的位置;当要求硅片中间的研磨速率快时,调节研磨液喷嘴位置向研磨盘中心移动,当要求硅片周边的研磨速率快时,调节研磨液喷嘴位置向研磨盘周边移动。本发明通过改变研磨液喷嘴的位置来改变研磨速率的面内均匀性。当研磨液喷嘴的位置变化后,研磨液在研磨垫上的分布随之改变,研磨速率的面内分布也随之变化。这样可调节硅片中间和周边位置的研磨速率比,起到调节面内研磨速率倾向的作用。
详细信息 下载全文

6:[发明] 保持装置
申请号:201480074891.3 公开号:CN105980211A 主分类号:B60R7/08
申请人:百乐仕株式会社 申请日:2014.02.06 公开日:2016.09.28
发明人:赵正衡;郑奉元
摘要:在保持装置中,底座部安装于车辆。保持部具有转动轴部及挂载部。主体部将转动轴部支撑为可转动。伸出部设置于主体部,用于固定在底座部的底部。卡止部设置于主体部。被卡止部与卡止部卡止。卡止部及伸出部以隔着转动轴部的方式设置,承受对挂载部施加的载荷。
详细信息 下载全文

申请号:202010609705.9 公开号:CN111664914A 主分类号:G01F23/292
申请人:上海华力微电子有限公司 申请日:2020.06.29 公开日:2020.09.15
发明人:杨钰;赵正元;李虎
摘要:本发明提供了一种液位检测方法、研磨液调和桶以及研磨液调和系统,所述液位检测方法用于检测调和液中的液位信息,所述液位检测方法包括以下步骤:提供一参考物,所述参考物具有上表面;将所述参考物放置于所述调和液中,所述参考物被配置为随所述调和液的液面变化而改变竖向位置,且所述上表面保持高于所述调和液的液面;利用液位传感器检测所述参考物的上表面的位置信息;基于所述上表面的位置信息获取所述调和液的液位信息。如此配置,有效的避免了气泡或者其他变量的影响,从而可以精准的确定调和液的液位高度,准确掌控调和配比,减少了调和液在调和桶中调和时的误差,进而增加了良品率。
详细信息 下载全文

8:[发明] 铜电镀方法
申请号:202110340987.1 公开号:CN113113351A 主分类号:H01L21/768
申请人:上海华力微电子有限公司 申请日:2021.03.30 公开日:2021.07.13
发明人:杨钰;赵正元;李虎
摘要:本发明提供了一种铜电镀方法,包括提供衬底,所述衬底上依次形成有层间介质层和硬掩模层,所述硬掩模层和所述层间介质层内形成有沟槽;在所述沟槽的侧壁和底部及所述硬掩模层的表面形成阻挡层和/或种子层,所述沟槽的开口处的所述阻挡层和/或所述种子层内形成有突起;刻蚀部分厚度的所述阻挡层和/或种子层,以缩小所述突起;进行电化学镀填充工艺,在所述沟槽内形成铜互连层。本发明通过刻蚀部分阻挡层和/或种子层以减小阻挡层和/或种子层在沟槽开口处形成的突起,扩大后续电化学镀工艺的工艺窗口,从而减少甚至避免铜电镀填充时产生空洞。
详细信息 下载全文

9:[发明] 铜电镀方法
申请号:202110354858.8 公开号:CN113113352A 主分类号:H01L21/768
申请人:上海华力微电子有限公司 申请日:2021.03.30 公开日:2021.07.13
发明人:杨钰;赵正元;李虎
摘要:本发明提供了一种铜电镀方法,包括提供衬底,所述衬底上依次形成有层间介质层和硬掩模层,所述硬掩模层和所述层间介质层内形成有沟槽;刻蚀部分厚度的所述硬掩模层以增大所述沟槽的顶部宽度;以及,进行电化学镀工艺,在所述沟槽内形成铜互连层。本发明通过刻蚀部分硬掩模层以增大沟槽的顶部宽度,扩大后续电化学镀工艺的工艺窗口,从而减少甚至避免铜电镀填充时产生空洞。此外,所述铜电镀方法还可以缓解干法刻蚀造成的翘曲效应。
详细信息 下载全文

申请号:202310930581.8 公开号:CN116946919A 主分类号:B66F7/14
申请人:华能青海发电有限公司新能源分公司 申请日:2023.07.27 公开日:2023.10.27
发明人:赵元文;伊正飞
摘要:本发明公开了一种光伏发电用太阳能板承力安装设备,涉及光伏板安装辅助设备技术领域。在升降调节框内滑动连接有升降架,在升价架的内侧设置有翻转板,翻转板上滑动连接有两个移动架,在移动架下端设置有夹紧板,且在夹紧板上滑动连接有若干个滑动杆二,在左右两侧滑动杆二相互靠近的一端设置有接触式压力传感器。通过升降电机实现夹紧板的升降,利用翻转电机实现夹紧板的翻转,从而实现两个夹紧板内侧光伏板的高度以及角度调节,保证光伏板与安装架倾斜角度相适配,本装置采用机械夹取光伏板,并进行光伏板的位置限定辅助施工人员安装,解决现有人力搬运进行安装存在安全隐患的问题,同时降低施工人员的劳动强度,进而提高光伏板安装效率。
详细信息 下载全文

1815 条,当前第 1-10 条 下一页 最后一页 返回搜索页