摘要：本发明揭露一种形成阻障薄膜的方法。首先提供化学气相沉积(CVD)反应容器，其内设置有进气莲蓬头，其与气体源连结，以及支撑座，其与加热器连接，其中所述的进气莲蓬头更与无线电频率功率产生器相连结；将基材放入所述的化学气相沉积反应容器的支撑座上；藉由所述的加热器加热基材；将含钽的有机金属前体经由所述的进气莲蓬头导入化学气相沉积反应容器中，此时，无线电频率功率产生器为关闭状态，并开始在基材表面上沉积阻障薄膜；接着，开启无线电频率功率产生器，产生预定的无线电频率功率；将惰性气体导入所述的化学气相沉积反应容器中，并藉由无线电频率功率形成等离子体；进行阻障薄膜的原位等离子体处理。最后，将基材移出化学气相沉积反应容器。

摘要：本发明提供一种半导体制造设备，包括罩体、半导体加工装置、装载埠、机械手臂或传送装置、通气口、及化学过滤装置以去除空气中的化学物质。可进一步具有HEPA或ULPA过滤装置以滤除颗粒。装载埠可具有标准机械接口(SMIF)，并适用SMIF晶片盒。当半导体加工装置为铜制程机台时，更显示出本发明去除空气中化学物质以防止铜腐蚀的优点。

摘要：本发明提供一种制作铜双镶嵌结构的方法。首先提供一半导体衬底，其上包含有一双镶嵌孔洞设于一介电层中，且部分半导体衬底暴露于该孔洞底部，接着进行一物理气相沉积工艺于双镶嵌孔洞内形成一衬底保护层，再进行一原子化学气相沉积于衬底保护层上形成一氮化钽层，作为一阻障层，最后于双镶嵌孔洞中形成一铜金属层。

摘要：本发明提供一种用于加热一晶片的加热器，该加热器应用于一制作工艺反应室中，并具有一上表面，用来设置该晶片以进行加热，而该上表面与该晶片的接触面积小于该晶片的面积。

摘要：本发明涉及桥梁施工技术领域，具体地指一种大跨径变截面预制节段梁拼装施工结构及施工方法。包括支架；所述的支架包括固定在桥面上的固定部和延伸至桥面以外的悬挑部；所述的悬挑部上设有两组沿横桥向方向间隔布置的张拉结构；所述的张拉结构上穿设有与待拼装预制节段连接的锚绳，其特征在于：所述的锚绳下端设置有可调节待拼装预制节段纵向坡度的调偏装置。本发明确保施工质量控制符合相关技术规范的要求，与现有预制安装质量与施工规范相比可提高安装的精度，节省工期，降低经济效益显著。

摘要：本发明涉及织物性能检测装置技术领域，尤其涉及一种透气性转盘用气动夹持装置，气腔包括腔室和气管，气管与腔室底部连通，上导向套空套于气管下端的内壁上，上气动顶推单元的第一气缸和第二气缸分别相对固定于气管的外壁上，第一气缸和第二气缸的伸缩杆均与上推板固定，上推板与上导向套固定联接套设置于气管的正下方，下导向套空套于联接套上端的内壁上，下气动顶推单元的第三气缸和第四气缸分别相对设置于联接套的外壁上，第三气缸和第四气缸的伸缩杆均与下推板固定，下推板与下导向套固定，转盘设置于上导向套和下导向套之间。在本方案中测试时的密封效果好，转盘受力更为均匀，不易发生损坏，测试数据稳定可靠，透气性结论准确性高。

摘要：本发明提供了一种韧性可粘附湿态组织水凝胶敷料盒，它包括分开存放的两个组分：组分A为由海藻酸钠和丙烯酰胺交联形成的水凝胶，组分B为由偶联剂、链接剂、缓冲液作为原料制备而成的连接液。该水凝胶敷料盒使用方便，通过增加组分B，显著提高了该水凝胶敷料的粘附性能，对皮肤表面和体内湿润组织表面均具有很高的粘附强度，不易脱落，满足临床需求。同时，其具有优异的机械性能和生物相容性，可降解。此外，该敷料中含水量高达86％，可负载大量药物，可为组织愈复提供良好的环境，促进组织愈合。本发明水凝胶敷料盒既克服了传统敷料创面治疗效果差、不能降解等问题；又克服了新型敷料粘附性能差的问题，还能应用于体内组织，具有广阔的应用前景。

摘要：本发明公开了一种具有较好的预测精度和泛化能力的基于机器学习的边坡失稳时空概率的评估方法，包括以下步骤：Step100，基于Bootstrap算法、GRU算法和Kriging算法，建立BGK边坡位移时空不确定性预测模型，输出边坡位移时空不确定性预测结果；Step200，基于可靠度理论挖掘边坡位移时空不确定性预测结果，建立边坡失稳时空概率评估模型，输出边坡失稳时空概率区间；Step300，基于最不利原则构建边坡全断面位移‑失稳概率二元耦合分析指标DP，根据DP的数值大小判定边坡整体的安全性高低。

摘要：本发明公开了一种基于虚拟种子点的机载LiDAR地面点云滤波方法，属于机载LiDAR点云数据分类领域。本发明的步骤为：首先，将机载LiDAR点云格网化，利用格网内点云的分布维度和高程分布直方图构建地面虚拟种子点；其次，使用多尺度形态学对虚拟种子点评估，剔除不属于地面的虚拟种子点，并且对点云进行初步滤波；最后，利用评估后的虚拟种子点构建初始TIN网，迭代加密TIN网完成LiDAR数据的地面点云滤波。本发明既降低了滤波算法的时间耗费，又保证了滤波算法的滤波精度，并且适用范围广。

摘要：一种制造浅沟槽隔离(STI)结构的方法包括以下步骤。在介于0.5托至1.5托的第一压力下并且在介于30摄氏度到105摄氏度的第一温度下引入并且混合具有500sccm至750sccm的体积流量的硅烷基前体和具有300sccm至600sccm的体积流量的氮基前体，以在衬底的沟槽中沉积可流动介电层。然后，在介于300托至650托的范围内的第二压力下和在介于50摄氏度到250摄氏度的范围内的第二温度下引入并混合臭氧气体和氧气，以处理可流动介电层，其中，臭氧气体和氧气的体积流量比率介于从1:1至3:1范围内。提供了用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及用于制造鳍式场效应晶体管和浅沟槽隔离件的方法。