摘要：本发明属于送料机技术领域，具体涉及一种自冷却性送料结构及其设备，其中机构包括安装座、中空回转油缸、主轴、密封件和封管结构，所述安装座上设置有固定座，所述固定座上设置有输送管；所述中空回转油缸包括安装端和活塞端，所述活塞端与安装端转动连接，所述安装端与固定座固定连接；所述主轴转动设置在所述安装座上，通过驱动件驱动，所述主轴内部中空并套设有夹持管，所述回转油缸活塞端与主轴端部固定连接；所述回转油缸的输出轴与夹持管连接，所述夹持管末端设置有夹具，通过回转油缸驱动夹持管实现夹具夹紧或松开；所述密封件设置在所述输送管与中空回转油缸之间，所述封管用于封闭输送管的进料端。

摘要：本发明公开了一种忆阻器混沌序列提取方法，选定一种忆阻器混沌系统作为信号发生器，首先设置系统状态变量的初值X₀，进行g次迭代，确定为X(0)，再进行一次迭代，将得到的第s‑1个状态变量与s‑2进行取余运算，整数部分作为选取状态变量编号的依据，然后根据经典的门限值法以及给定的运算规则，得到P_x1和P_s1，再将P_x1与P_s1进行异或运算，确定第一个混沌序列值P₁，重复上述操作n次，得到长度为n的混沌序列。本发明公开了一种忆阻器混沌序列提取方法，基于忆阻器混沌系统的多个状态变量设计出独特的提取规则，不仅提高了序列的随机性，而且避免了复杂的数学运算，降低了对物理芯片信号处理速度的要求。

摘要：本发明公开了一种双路输出的混沌信号发生器，包括电源电路、启动开关K0、振荡电路、忆阻器电路、LC电路以及A通道开关K1、A路电压放大电路、输出调节电路A、A输出口、B通道开关K2、B路电压放大电路、输出调节电路B和B输出口构成；所述忆阻器电路、LC电路和振荡电路共同作用可以产生动力学行为复杂的混沌信号；当开关K1闭合，混沌信号从A路经过信号放大电路A以及输出调节电路A，从A输出口输出；当开关K2闭合，混沌信号从B路经过信号放大电路B以及输出调节电路B，从B输出口输出。本发明利用振荡器原理，基于一种新的忆阻器电路设计出了一种双路输出的混沌信号发生器，可以调节幅度，具有稳定性好，抗干扰性强的特点，更适于在保密通信中的应用。

摘要：本发明公开了一种镜像电流源，包括：忆阻器R_M，PNP型三极管T₁，PNP型三极管T₂，PNP型三极管T₃，PNP型三极管T₄，N沟道增强型MOSFET管 N₁，N沟道增强型MOSFET管N₂，电阻R₁，电阻R₂，电阻R₃，电阻R₄，电阻R₅，电阻R₆，放大器U₁，放大器U₂，放大器U₃，恒流源Im，INPUT端口和OUTPUT端口。本发明设计出一种镜像电流源，提高了输出电流质量，具有很好的抗干扰能力。

摘要：本发明公开了一种磁控性忆阻器电路，由输入口、第一磁链控制电路、第二磁链控制电路和第三磁链控制电路组成；第一磁链控制电路包括电容C5、电流反馈型放大器U11、U12、放大器U13、U14、电阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、光耦开关G1、电阻Ra1；第二磁链控制电路包括电容C4、电流反馈型放大器U21、U22、放大器U23、U24、电阻R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、光耦开关G2、电阻Ra2、Rb2；第三磁链控制电路包括电容C3、电流反馈型放大器U31、U32、放大器U33、U34、电阻R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、光耦开关G3、电阻Ra3、Rb3；本发明公开了一种磁控性忆阻器电路，具有独特的V‑I曲线特性，可以减小对经典忆阻器电路的过分依赖。

摘要：本发明公开了一种荷控忆阻器混沌电路，由放大器U1、放大器U2、放大器U3、放大器U4、放大器U5、放大器U6、电流反馈型放大器U7、电流反馈型放大器U8、乘法器U9、电流反馈型放大器U10、放大器U11、放大器U12、电容C1、电容C2、电容Cw1、电容Cw2、电容Cw3以及其外围电阻构成。本发明公开的一种荷控忆阻器混沌电路，忆阻器属于荷控型，具有独特的动力学行为，丰富了忆阻器混沌电路库。

摘要：本发明公开了一种时滞混沌电路，包括放大器U_W1、放大器U_W2、放大器U1、放大器U2、放大器U3、放大器U4、放大器U5、放大器U6、二极管D1、二极管D2、高速开关K1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C_W1、电容C_W2、电容C_W3、电容C_f1、电感L、电感L1、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12以及其外围电阻；本发明公开了一种时滞混沌电路，时滞和混沌电路相互作用，产生了复杂的动力学行为，具有物理可实现性。

摘要：本发明公开了一种磁控忆阻器电路，由输入口、第一磁链控制电路、第二磁链控制电路和第三磁链控制电路组成；第一磁链控制电路包括电容C5、电流反馈型放大器U11、U12、放大器U13、U14、电阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、光耦开关G1、电阻Ra1；第二磁链控制电路包括电容C4、电流反馈型放大器U21、U22、放大器U23、U24、电阻R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、光耦开关G2、电阻Ra2、Rb2；第三磁链控制电路包括电容C3、电流反馈型放大器U31、U32、放大器U33、U34、电阻R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、光耦开关G3、电阻Ra3、Rb3；本发明公开了一种磁控忆阻器电路，具有独特的V‑I曲线特性，可以减小对经典忆阻器电路的过分依赖。

摘要：本发明公布了一种分数阶忆阻混沌电路，由电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容Cf1、放大器U0、放大器U1、放大器U2、放大器U3、放大器U4、放大器U5、放大器U6、二极管D1、二极管D2、高速开关K1以及其外围电阻组成，通过调节电阻R可以产生复杂的混沌动力学行为。本发明电路不含电感，易于硬件实现，拓宽了分数阶忆阻混沌电路的运用范围，丰富了分数阶忆阻混沌电路库。

摘要：本发明公开了一种忆阻器逆变电源，主要包括输入口、输出口、逆变电源忆阻器控制单元1、高频变压器2、反馈单元3、滤波单元4、忆阻器RM1以及忆阻器RM2；所述逆变电源忆阻器控制单元1包括互补三角波发生器、集成运算放大器U1、集成运算放大器U2、锁存器1、锁存器2、PI控制器1和PI控制器2；所述反馈单元3包括独石电容C1、电解电容C2和电感L1；所述滤波单元4包括电感L2和电解电容C3。本发明基于忆阻器进行逆变电源设计，降低了输出信号的谐波分量，减小了输出信号波形的失真度，提高了非线性负载功率因数。