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1:
[发明]
一种全覆盖实时自我诊断的电压检测电路、电子设备及汽车
申请号:
201310504823.3
公开号:CN103529281A 主分类号:G01R19/165(2006.01)I
申请人:
郑鲲鲲
申请日:2013.10.24 公开日:2014.01.22
发明人:
郑鲲鲲
;
李明
摘要:本发明公开了一种故障全覆盖并实时自我诊断的电压检测电路,以及包括该电压检测电路的电子设备和汽车,该电压检测电路包括电压反馈模块、二选一开关切换器、电压检测模块和逻辑运算模块,二选一开关切换器包括开关S1和S2。该检测电路不论是被检测电压还是检测电路出现任何可能的故障的情况下,中央控制器都能够实时得到故障信号,该电路可以将单点故障和残余故障变成了可检测故障,大大提高了电路的安全等级。
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2:
[发明]
传输门电路
申请号:
201210596220.6
公开号:CN103916115A 主分类号:
申请人:
意法半导体研发(上海)有限公司
申请日:2012.12.31 公开日:2014.07.09
发明人:
王飞
;
郑鲲鲲
摘要:本发明揭示了一种传输门电路。该电路包括耦接在用于接收输入信号的输入节点和用于输出输出信号的输出节点之间的第一晶体管;第二晶体管,用于在其第二栅极和第二源极之间产生压差,以响应流经第二晶体管的偏置电流,并将该压差施加在所述第一晶体管的第一栅极和所述输出节点之间;以及放大器,用于比较所述输出信号与参考电压,并根据所述比较结果,将所述偏置电流供应给所述第二晶体管。
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3:
[发明]
传输门电路
申请号:
201710953638.0
公开号:CN107733405A 主分类号:H03K17/10(2006.01)I
申请人:
意法半导体研发(上海)有限公司
申请日:2012.12.31 公开日:2018.02.23
发明人:
王飞
;
郑鲲鲲
摘要:本发明揭示了一种传输门电路。该电路包括耦接在用于接收输入信号的输入节点和用于输出输出信号的输出节点之间的第一晶体管;第二晶体管,用于在其第二栅极和第二源极之间产生压差,以响应流经第二晶体管的偏置电流,并将该压差施加在所述第一晶体管的第一栅极和所述输出节点之间;以及放大器,用于比较所述输出信号与参考电压,并根据所述比较结果,将所述偏置电流供应给所述第二晶体管。
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4:
[发明]
一种可变磁阻速度传感器的接口电路
申请号:
202011378844.1
公开号:CN112305255A 主分类号:G01P3/46
申请人:
广东澳鸿科技有限公司
申请日:2020.12.01 公开日:2021.02.02
发明人:
李强
;
郑鲲鲲
摘要:本发明公开了一种可变磁阻速度传感器的接口电路,其包括分别通过源电阻RSP和RSN从传感器输出端引出的VRSP输入线路和VRSN输入线路,VRSP输入线路和VRSN输入线路分别连接至比较器COMP的同相和反相输入端,并且在两线路之间并接有峰值处理电路,CLAMP电路和输入共模电平控制电路,所述峰值处理电路的输出端依次连接模数转换模块ADC和数模转换模块DAC,所述比较器COMP的输出端分别连接自适应滤波时间控制模块和自适应滤波模块,自适应滤波时间控制模块同时与自适应滤波模块相连接,自适应滤波模块的输出端连接至MCU。本发明能自适应迟滞阈值和自适应滤波时间,通过跟随线圈所输出交流感应电压的幅值和频率变化而改变迟滞阈值和滤波时间,进而达到自适应的目的。
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5:
[发明]
一种用于精准采集侧信道攻击过程中能量迹的D触发器
申请号:
202011378847.5
公开号:CN112468120A 主分类号:H03K3/3562
申请人:
广东澳鸿科技有限公司
申请日:2020.12.01 公开日:2021.03.09
发明人:
刘博
;
郑鲲鲲
摘要:本发明公开了一种用于精准采集侧信道攻击过程中能量迹的D触发器,其包括在D触发器的Q端加入由电阻R1和多个MOS管组成的用于功耗放大的电流通路,多个MOS管包括MOS管NM14,MOS管NM7和MOS管PM7,所述MOS管NM14的栅极分别与MOS管NM7和MOS管PM7的源极相连后作为D触发器的Q输出端,MOS管NM14的漏级通过电阻R1连接电源VDD,MOS管NM14的源极连接MOS管NM7的漏级,所述MOS管NM7的栅极与所述MOS管PM7的栅极相连,MOS管PM7的漏级连接电源VDD。本发明相比于其他现有D触发器,极大的增强了寄存器翻转时的功耗,使得有用的加密数据得以浮现。
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6:
[发明]
一种低边NMOS的驱动电路
申请号:
202110925821.6
公开号:CN113691108A 主分类号:H02M1/08
申请人:
广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日:2021.08.12 公开日:2021.11.23
发明人:
王飞
;
郑鲲鲲
摘要:本发明提供一种低边NMOS的驱动电路,驱动放电模块和驱动充电模块结合,低边NMOS的开关控制信号和低边NMOS的开关阶段,动态调节低边NMOS的栅极电流,以使在低边NMOS处于非米勒平台阶段时,以预设电流进行充电或放电;进而实现低边NMOS为低阻驱动,减小了开关延迟,以及提高了该低边NMOS的抗干扰性。
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7:
[发明]
一种宽输入共模范围的LDO电路
申请号:
202210309532.8
公开号:CN114625196A 主分类号:G05F1/56
申请人:
广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司
申请日:2022.03.28 公开日:2022.06.14
发明人:
王飞
;
郑鲲鲲
摘要:本发明公开了一种宽输入共模范围的LDO电路,包括误差放大器电路模块、驱动电路模块和环路补偿电路模块,所述驱动电路模块包括M0,M1,MP11,MN12和MN13,MN12和MN13的源极接MN9的漏极,MN12的栅极接MN13的栅极,且MN12的栅极与漏极短接,MN12的漏极接MP11的漏极,MP11的栅极接D0的输入端,MP11的源极和MN13的漏极接M1的漏极,且M1的漏极与栅极短接,M0与M1的源极接D0的输出端,M0的栅极接M1的栅极,M0的源极接VB,M0的漏极接VOUT,M0的漏极连接有环路补偿电路模块;本发明所设计的误差放大器采用折叠级联放大器结构,输入共模电平范围为1V到电源电压,同时本发明无需设计附加电路,减小了电路的复杂度,具有输入共模电平范围广,结构简单的优点。
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8:
[发明]
一种高边N型功率MOS的驱动电路及方法
申请号:
202210153028.3
公开号:CN114553204A 主分类号:H03K17/687
申请人:
广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司
申请日:2022.02.18 公开日:2022.05.27
发明人:
王飞
;
郑鲲鲲
摘要:本发明公开了一种高边N型功率MOS的驱动电路及方法,属于电力电子技术领域,包括电流偏置单元生成浮动电压生成单元和功率管充电电流调整单元所需的偏置电流;浮动电压生成单元生成功率管充电单元和功率管充电电流调整单元所需的偏置电压;功率管充电电流调整单元判断高边N型MOS管的栅极电压是否超过米勒平台的电压若是则驱动功率管充电单元对高边N型MOS管栅极的电流进行放大,否则按预设电流驱动功率管充电单元对高边N型MOS管栅极进行充电;功率管充电单元对高边N型MOS管的栅极进行充电;功率管放电单元对高边N型MOS管的栅极进行放电;实现高边N型MOS管为低阻驱动,减小了开关损耗,提高该高边NMOS的抗干扰性。
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9:
[发明]
功率管的驱动电路与电子设备
申请号:
202210355295.9
公开号:CN114866077A 主分类号:H03K17/082
申请人:
广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司
申请日:2022.04.02 公开日:2022.08.05
发明人:
王飞
;
郑鲲鲲
摘要:本发明提供了一种功率管的驱动电路与电子设备,所述功率管为NMOS管,所述功率管的漏极连接电源,所述功率管的源极经负载接地;所述驱动电路,包括:监测管、监测模块、限流控制模块;所述监测管与所述功率管类型相同;所述监测管与所述监测模块串联后并联于所述功率管的源极与漏极之间;所述监测模块用于:在经过所述监测管的待测电流大于预设的电流阈值时,触发所述限流控制模块;所述待测电流适配于所述功率管的电流而变化;所述限流控制模块用于:响应于所述触发,降低所述功率管的电流。
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10:
[发明]
一种LDO电路、电子系统以及电子设备
申请号:
202210943847.8
公开号:CN115097895A 主分类号:G05F3/26
申请人:
广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司
申请日:2022.08.04 公开日:2022.09.23
发明人:
王飞
;
郑鲲鲲
摘要:发明提供了一种LDO电路、电子系统以及电子设备,其中LDO电路包括偏置电路单元、误差放大器电路单元、驱动电路单元、电路补偿单元、分压负反馈环路单元以及功率管;所述偏置电路单元用于向所述误差放大器电路单元以及所述驱动电路单元提供偏置电流;所述误差放大器电路单元用于产生第一驱动电压至所述驱动电路单元;所述驱动电路单元用于驱动所述功率管,并在所述功率管的栅极处形成低阻点将所述栅极处的极点推出环路带宽之外;所述电路补偿单元包括第一电路补偿单元和第二电路补偿单元,用于对所述LDO电路的整个环路进行补偿以及对所述误差放大器电路单元进行频率补偿;所述驱动电路单元及所述电路补偿单元用于共同维持所述LDO电路的环路稳定性。
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