摘要： 一种紫萁小茹与天麻种子萌发培养技术，是在适宜条件下，用ＰＤＡ培养基培养一级紫萁小菇菌种→锯末、麦麸二级菌种→壳斗科植物的树叶、锯末、麦麸三级菌种，然后选用三级菌种的叶片，置于培养器中海绵垫上，保持饱和水分，光照强度１００－１５０Ｌｕｘ，２５℃通气条件下，３０天可诱导出子实体。在三级菌种叶片上播上天麻种子，保持叶片湿润，置于２５℃下，２０天后种子即可发芽，试验证明，用紫萁小菇子实体分离的菌丝培养的树叶拌播天麻种子，一个月后发芽率为１９．６５％，而对照组仅为８．９８％，故培养出子实体，是菌种分类和菌种复壮的关键。

摘要：本发明公开了一种具有微弱抗氧化活性的金钗石斛次代谢产物，涉及金钗石斛技术领域。本发明包括原料、二氯甲烷浸膏的制备、Dn‑1、Dn‑2和Dn‑3的制备、制备Dn‑4、Dn‑5和Dn‑6和抗氧化活性测试，原料为金钗石斛干燥茎，金钗石斛干燥茎的重量为10kg。本发明通过在现有的提取技术上修改了乙醇浓度，改为60％，可以提取出更多的成分，修改了萃取剂，本发明是采用二氯甲烷这种中极性的萃取剂，能富集植物中的大极性的抗氧化成分的，运用二氯甲烷‑甲醇体系进粗分，更有效的将相同极性的化合物集中，运用本发明能更高效、更准确的获得目标化合物。

摘要：本发明提供了一种含党参茎叶的食用菌栽培基质及使用方法。所述食用菌栽培基质由以下重量份的组分组成：党参茎叶60‑140份，玉米芯75份，麸皮20份，石膏粉2份，黄豆面1份，过磷酸钙1份，白糖1份。每年秋季党参药材收获后，地上部分茎叶经采集、清洗、晾干、粉碎，与其他组分按比例混合均匀，经过闷料、装袋、灭菌、冷却后即得。本发明对普通的食用菌栽培基质进行科学优化，党参茎叶占比经过严格试验，可以应用于市场常见的食用菌生产，实现了党参农业生产废弃物的资源利用。本发明具有成本低，提高产量，缩短周期，安全环保的特点，具有广阔的市场空间和应用前景。

摘要：本申请实施例提供了一种图像质量评价方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品。该方法可以包括：获取待评价的目标图像和参考图像；以参考图像为基准，分别计算目标图像在多个评价维度中的各评价维度下的单维度评价结果；多个评价维度包括如下至少两项：像素差异维度、结构差异维度、视觉信息差异维度；融合目标图像的各单维度评价结果，得到目标图像的质量评价结果。通过本申请实施例，可以使得目标图像的质量评价结果更接近人眼的视觉感知情况，同时提高目标图像的质量评价结果的准确性和客观性。

摘要：本发明一种焊接接头对正测量装置及对正测量方法，属于铁路技术领域；所述的装置包括：磁铁a，磁铁b，百分表，固定套筒，固定架和连接杆；固定架底部固定磁铁b；且与连接杆一端相连，连接杆另一端焊接固定套筒；固定架与固定套筒一起固定百分表，且在测量头上内嵌磁铁a。所述的对正测量方法包括：首先，将对正测量装置进行校准和调零；然后，将两个磁铁分别吸附在要对正的两支钢轨的两端，对错边量进行测量；并判断错边量是否满足要求，如果不满足，调整焊机动架端至满足要求为止；否则，直接进行焊接。最后，清理对正测量装置并进行校准和调零，以备下次使用。本发明数字化焊接前钢轨的对正情况，提高了对正的稳定性和焊接质量。

摘要：本发明公开了2株能够诱导金线莲种子萌发成苗的真菌。它们对于金线莲的有性繁殖和种苗的规模化生产和资源可持续利用具有重大应用价值。

摘要：本发明提供了一种含黄芪茎叶的食用菌栽培基质及使用方法。所述食用菌栽培基质由以下重量份的组分组成：黄芪茎叶60‑100份，玉米芯75份，麸皮20份，石膏粉2份，黄豆面1份，过磷酸钙1份，白糖1份。秋季黄芪药材收获后，地上部分茎叶经采集、清洗、晾干、粉碎，与其他组分按比例混合均匀，经过闷料、装袋、灭菌、冷却后即得。本发明对普通的食用菌栽培基质进行科学优化，黄芪茎叶占比经过严格试验，可以应用于市场常见的食用菌生产，实现了黄芪农业生产废弃物的资源利用。本发明具有成本低，提高产量，缩短周期，安全环保的特点，具有广阔的市场空间和应用前景。

摘要：本发明公开了一株能够诱导金线莲种子萌发成苗的真菌，它是保藏编号为CGMCC No.16996的亡革菌Thanatephorus sp.，它对于金线莲的有性繁殖和种苗的规模化生产和资源可持续利用具有重大应用价值。

摘要：本发明属于生物工程技术领域，涉及了一种金线莲种质资源的保存和保存后的恢复方法，内容包括种子或原球茎或幼苗的长期保存和恢复生长。应用该项技术保存种质时间长、种质质量稳定，且种质保存工艺简便，技术稳定可靠，可重复性强，适合大规模金线莲种质资源的保存。

摘要：本发明公开了一种基于自旋轨道耦合效应实现相干光的路由分发及装置，其中方法包括以下步骤：S1、在清洗洁净的绝缘层基底上剥离具有高效非线性效应的多层3R堆垛的半导体材料；S2、在多层3R堆垛的半导体材料上旋涂含有纳米波导材料的溶液，并及时真空生长防止纳米波导氧化的保护层；S3、利用近红外圆偏振光在偏离纳米波导中心的一定位置激发半导体材料产生特定圆偏极化的二次谐波，二次谐波定向地与纳米波导中的等离激元耦合；S4、通过改变半导体材料的激发点位置或者近红外圆偏振光的圆偏振方向来调控二次谐波与导波耦合后的传播方向。因此本发明利用等离激元波导在纳米尺度下实现了对二次谐波光信号传输方向的操纵。