当前查询到82条专利与查询词 "金志熏"相关,搜索用时0.7499734秒!排序方式:
发明专利:78实用新型: 1外观设计: 3
78 条,当前第 1-10 条 下一页 最后一页 返回搜索页
申请号:201980049463.8 公开号:CN112513624A 主分类号:G01N27/06
申请人:株式会社POSCO;浦项产业科学研究院 申请日:2019.01.14 公开日:2021.03.16
发明人:金志熏;崔相教
摘要:本发明涉及一种用于测定金属酸洗用混合酸溶液中含有的强酸、游离氢氟酸、金属离子的浓度的装置。本发明的金属酸洗用混合酸溶液的成分浓度测定装置,可以实现容易有效地测定强酸、游离氢氟酸、金属离子的浓度。
详细信息 下载全文

申请号:202211119197.1 公开号:CN116521057A 主分类号:G06F3/06
申请人:爱思开海力士有限公司 申请日:2022.09.13 公开日:2023.08.01
发明人:崔志熏;金正贤
摘要:本申请涉及一种数据处理系统。该数据处理系统可以包括:存储装置,被配置为向外部传输针对每种功率模式的预测信息,并且通过响应于在存储装置的空闲状态下接收到的功率模式控制信号而切换到相应的功率模式,在空闲状态下执行后台操作,该预测信息指示执行用于管理存储器装置的后台操作的预测时间;以及控制装置,被配置为基于预测信息来确定存储装置的功率模式和在期间执行后台操作的空闲状态的空闲时间,将功率模式控制信号传输到存储装置,并且在空闲时间期间暂停执行传输到存储装置的命令处理请求。
详细信息 下载全文

申请号:202211396943.1 公开号:CN116932429A 主分类号:G06F12/1081
申请人:爱思开海力士有限公司 申请日:2022.11.09 公开日:2023.10.24
发明人:金正贤;崔志熏
摘要:根据本公开的实施例,可以提供一种存储器系统和存储器系统的操作方法,包括:可直接从外部设备访问的主机可访问区域;将关于主机可访问区域的信息传输到外部存储器;根据紧急事件从外部设备接收基于关于主机可访问区域的信息生成的直接存储器访问请求;以及响应于直接存储器访问请求向外部设备提供对主机可访问区域的直接存储器访问。
详细信息 下载全文

申请号:201380041130.3 公开号:CN104520473A 主分类号:
申请人:POSCO公司 申请日:2013.07.31 公开日:2015.04.15
摘要:本发明涉及在制造要求表面质量的奥氏体不锈冷轧钢板时高速酸洗钢板的表面的方法,并且,更具体而言,涉及用于酸洗含有至少16wt%的铬的奥氏体不锈冷轧钢板的高铬奥氏体不锈冷轧钢板酸洗方法,其中,高铬奥氏体不锈冷轧钢板酸洗方法通过使冷轧钢板浸入初始组成含有110-150g/l硫酸、15-25g/l游离氢氟酸、和过氧化氢,并且基本不含铁离子的混合酸溶液中,能够从冷轧钢板去除硅氧化物。根据本发明,通过当酸洗奥氏体不锈冷轧钢板时不包括氮,可以降低用于安装NOx去除设备和脱氮设备的花费,本发明的易控制特点使高速生产成为可能,因为根据过氧化氢浓度和氢氟酸浓度可以调节酸洗,并且酸洗后可提高钢板的质量。
详细信息 下载全文

申请号:201480043240.8 公开号:CN105431574A 主分类号:
申请人:POSCO公司 申请日:2014.07.25 公开日:2016.03.23
摘要:本发明涉及酸洗高铬铁素体不锈钢的方法,更具体而言,提供酸洗高铬铁素体不锈钢冷轧板的方法,该方法包括:电解酸洗步骤,使包含17-26wt%铬的高铬铁素体不锈钢冷轧板经历中性盐电解酸洗和硫酸电解酸洗;以及混合酸浸步骤,将经历电解酸洗步骤的冷轧板浸入包含硫酸和氢氟酸的混合酸溶液中;其中,在电解酸洗步骤中,根据退火温度控制所应用的电流的量,在混合酸浸步骤中,根据钢组分控制包含于混合酸溶液中的游离HF的含量和氧化还原电位(ORP)。
详细信息 下载全文

申请号:202110947810.8 公开号:CN114077004A 主分类号:G02B5/30
申请人:东友精细化工有限公司 申请日:2021.08.18 公开日:2022.02.22
摘要:本申请涉及防反射偏光板和包括该防反射偏光板的显示装置。所述防反射偏光板包括偏光片和形成在所述偏光片的至少一个表面上的保护层,其中,所述偏光板的单一透射率大于或等于44.6%,偏光度大于或等于98%并且满足0≤[(正交a*)2+(正交b*)2]0.5≤16。该防反射偏光板可以表现出高透射率,同时防止蓝移现象并具有中性反射色。此外,该防反射偏光板可以做得更薄。
详细信息 下载全文

申请号:202110948578.X 公开号:CN114077006A 主分类号:G02B5/30
申请人:东友精细化工有限公司 申请日:2021.08.18 公开日:2022.02.22
摘要:本申请涉及防反射偏光板和包括该防反射偏光板的显示装置。所述防反射偏光板包括偏光片和形成在所述偏光片的至少一个表面上的保护层,其中,所述偏光板的单一透射率大于或等于44.6%,偏光度大于或等于98%,以及当所述偏光片的拉伸方向设置为0°时,所述偏光片的吸收轴的宽度方向上的色散小于或等于0.04°。该防反射偏光板可以最小化光学性能的色散,并防止偏光片在制备过程期间被切断,同时表现出高透射率。此外,该防反射偏光板可以做得更薄。
详细信息 下载全文

申请号:202210843538.3 公开号:CN116246666A 主分类号:G11C7/10
申请人:爱思开海力士有限公司 申请日:2022.07.18 公开日:2023.06.09
摘要:本公开涉及一种存储器控制器。该存储器控制器可以包括缓冲器、预取控制器和启动控制器。缓冲器可以存储工作负荷信息,该工作负荷信息包括预期将在启动操作期间从主机接收的预期I/O请求的历史。预取控制器可以被配置成在启动开始之后在从主机接收到目标I/O请求之前,基于工作负荷信息从存储器装置中读取与预期I/O请求相对应的预期数据,并且将预期数据存储在缓冲器中。启动控制器可以根据与目标I/O请求相对应的目标数据是否被包括在预期数据中,基于目标I/O请求来更新工作负荷信息,并且可以将更新后的工作负荷信息存储在多个存储器装置中的可以以最少访问次数进行读取的区域中。
详细信息 下载全文

9:[发明] 半导体器件
申请号:202211375150.1 公开号:CN116266988A 主分类号:H10B12/00
申请人:三星电子株式会社 申请日:2022.11.04 公开日:2023.06.20
摘要:一种半导体器件包括:衬底,具有在第一方向上彼此相邻的有源单元区和界面区;在衬底的有源单元区上的位线,在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开;以及在衬底的界面区上的位线垫,在第二方向上彼此间隔开。每个位线包括在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第一位线和第二位线、将第一位线的第一端连接到第二位线的第二端的连接部、以及将位线垫中的一个连接到第一位线、第二位线和连接部中的一个的联接部。
详细信息 下载全文

10:[发明] 半导体装置
申请号:202410117071.3 公开号:CN119277771A 主分类号:H10B12/00
申请人:三星电子株式会社 申请日:2024.01.26 公开日:2025.01.07
摘要:提供了半导体装置。所述半导体装置包括:基底;第一晶体管和第二晶体管,在基底上;位线,电连接到第一晶体管;沟道层,在位线上;栅极绝缘层,在沟道层上;字线,在栅极绝缘层上;接合垫,电连接到沟道层;连接垫,电连接到字线和第二晶体管;以及分隔结构,将接合垫与连接垫分开。分隔结构包括接合垫与连接垫之间的中间部分。
详细信息 下载全文

78 条,当前第 1-10 条 下一页 最后一页 返回搜索页