摘要：本发明涉及炒菜机的技术领域，提供了一种炒菜机，包括：具有凹腔的底座、设置在所述凹腔内的锅体、具有与所述凹腔连通的进菜口且用于盖设在所述凹腔上的盖体、设置在所述盖体上并用于搅拌所述锅体内食材的搅拌器，以及设置在所述盖体上并用于封闭或打开所述进菜口的挡油机构、设置在所述座体上并用于加热所述凹腔内锅体的加热机构，以及用于从所述盖体上向所述锅体内加水的加水机构；所述盖体通过枢轴枢接在所述底座上。通过进菜口可向锅体内倒菜，倒菜非常方便；盖体上设置有可向锅体内加水的加水机构，加水非常方便；挡油机构可封闭或打开进菜口，使得在锅体烹饪过程中可以将进菜口封闭，减少锅体内气体通过进菜口对外渗透。

摘要：本发明公开了一种炒菜机控制方法及系统。所述炒菜机控制方法，包括：根据菜盒的标签信息，获取所述菜盒各个分格内食材的烹饪参数；其中，所述烹饪参数包括预设下料顺序、预设加热温度、预设搅拌速度、预设投注水量、预设加工时间；响应用户输入的烹饪指令，按照所述菜盒各个分格内食材的烹饪参数，分别控制所述炒菜机的下料模块、加热模块、搅拌模块、加水模块、定时模块执行对应的烹饪动作。本发明能够面向各种菜品全自动控制炒菜机的工作状态，提高炒菜机的工作效率。

摘要：本发明公开了一种票务锚定型经济EVS三维评估方法，方法如下：确定评估对象为票务消费消费者，以演唱会、体育赛事、动漫展为典型研究对象且不局限；构建X轴消费深度、Y轴领域潜力、Z轴传统征信(含平台贷款额度)三维评估体系，采用熵权法、层次分析法及组合赋权法计算指标权重；采集问卷、爬虫、金融征信(前期模拟后期真实)及可选第三方票务数据，预处理后映射至[0,1]区间；提供精准预测型(梯度提升决策树)与简洁易操作型(加权融合)两种打分法，同步构建可视化模型；基于EVS得分实现用户细分、个性化金融产品设计、动态风险评估及动态权益定价。该方法评估全面、打分灵活，助力金融机构适配情感经济，提升商业价值。

摘要：本发明涉及一种人工硐室围岩与人工硐室变形监测系统及其布设方法，包括布设在硐室的围岩内部和硐室表面的传感光缆，其中，硐室的围岩内部的传感光缆包括沿硐室的围岩环向设置的围岩环向传感光缆和沿硐室的围岩竖向设置的若干围岩平行传感光缆，硐室表面的传感光缆包括沿硐室表面环向设置的硐室环向传感光缆和沿硐室表面竖直方向设置的若干硐室平行传感光缆，还包括一分布式光纤变形监测设备。本发明在人工硐室的围岩内部和硐室表面布设分布式传感光缆，不仅可以监测表面结构变形，还能监测硐室内部结构变形。

摘要：本发明公开了一种烹饪设备及其控制方法，属于家用电器技术领域，烹饪设备包括水箱、复合热盘和烹饪容器，复合热盘包括发热管和水管，发热管产生的热量能够传导至水管，水管分别与水箱和烹饪容器连通；控制方法包括：检测复合热盘的温度；执行输水指令，将水箱内的水输送至水管内；在执行输水指令后，获取复合热盘的降温参数，并根据降温参数执行后续所述烹饪设备的烹饪程序。本发明的控制方法可以根据复合热盘的降温参数判断水箱是否有水，从而执行相应的烹饪程序，无需增设额外的液位检测器件，能够简化结构并节省成本。

摘要：本发明公开了一种蒸汽电饭煲及其自适应调控方法，属于家用电器技术领域。蒸汽电饭煲包括包括锅体、壳体、复合热盘、测温结构以及控制器；复合热盘包括发热管、水管以及包覆在发热管和水管上的导热介质，发热管产生的热量能够通过导热介质传导至水管，水管的水流量通过水流量控制器控制；测温结构用于监测发热管的温度；控制器分别与发热管、水流量控制器以及测温结构电性连接，用于根据测温结构的信号或动作降低发热管的功率和/或增大水管的水流量。本发明通过降低发热管的功率和/或增大水管的水流量可以较快地使发热管的功率和水管的水流量达到平衡状态，避免短时间内功率与水量再次不匹配的情况，能够解决温控器频繁通断的问题。

摘要：本发明公开了一种蒸汽饭煲及其烹饪控制方法、存储介质，涉及家用电器技术领域，蒸汽饭煲包括煲体、内锅、煲盖、加热件、输水系统、输气系统、第一测温件和控制器，内锅设置在煲体内，煲盖可覆盖在煲体上，并与内锅围合形成烹饪腔，加热件具有进水口和出气口，用于对由进水口进入的水加热并产生蒸汽；输水系统与进水口连通，用于向进水口输送水；输气系统与出气口和烹饪腔连通，用于将加热件中产生的蒸汽通入烹饪腔内；第一测温件用于检测内锅的温度；控制器分别与第一测温件、水泵和加热件电连接，用于根据内锅的温度来调整加热件的加热功率和/或输水系统的水流量；本发明的蒸汽饭煲能够加快烹饪速率，提升烹饪效率。

摘要：本发明为高压场平衡金属氧化物场效应晶体管。一种形成在半导体衬底中的半导体功率器件含有一个重掺杂区，在由重掺杂区承载的轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近。该半导体功率器件还包括源极沟槽，在由导电沟槽填充材料填充的重掺杂区中打开，导电沟槽填充材料与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率器件还包括沉积在源极沟槽下方的掩埋P-区，并用导电类型与重掺杂区相反的掺杂物掺杂。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

摘要：半导体功率器件可以形成在衬底结构上，具有第一导电类型的轻掺杂半导体衬底，或与第一导电类型相反的第二导电类型。第一导电类型的半导体第一缓冲层形成在衬底上方。第一缓冲层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度。第二导电类型的第二缓冲层形成在第一缓冲层上方，第二导电类型的外延层形成在第二缓冲层上方。外延层的掺杂浓度大于第二缓冲层的掺杂浓度。本摘要用于使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

摘要：一种通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接。本发明提出了一种在分裂栅极沟槽晶体管器件中的接触结构，用于连接沟槽内的顶部电极和底部电极。包括一个半导体衬底以及形成在半导体衬底中的一个或多个沟槽。沿沟槽内部侧壁，沟槽内衬绝缘材料。在每个沟槽底部都有一个底部电极，在每个沟槽顶部都有一个顶部电极。底部电极和顶部电极通过绝缘材料分隔开。用导电材料填充的接触结构形成在器件有源区以外的区域中的每个沟槽中，以便连接顶部电极和底部电极。