摘要：一种具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器。包括一包埋于一介电层中的薄膜光二极管的下掺杂层，其中该下掺杂层的下表面是完全接触于与其相对应的像素电极。PIN光二极管的下掺杂层是由一自我对准与一镶嵌制程制作，遂薄膜光二极管下方的像素电极不会露出I型非晶硅层。此外，透明电极是连接PIN光二极管与一通过一底垫的外部底电压，而该底垫为一上金属层的一部分。

摘要：本发明公开有基于智能域控的多连杆式主动进气格栅组件，属于车辆进气部件技术领域，具体包括格栅主体以及域控面板，格栅主体包括左右两端带有驱动侧架的格栅框架，格栅框架左右两侧均安装有上下分布的上叶片与下叶片；本发明是在进气格栅上配置多连杆组件，方便上下分区格栅叶片可调节式开度，实现上下叶片以不同角度开度或者分区独立开度，相比较传统的驱动格栅叶片统一角度运动，非对称开度可引导气流分层流动，减少湍流阻力，实现动态调节车辆进气量以优化散热效率，并结合智能域控制系统，通过融合车辆状态、环境信息和用户需求，以多源数据融合分析辅助格栅动态调节开度，实现进气量的精准控制，显著提升进气调节精度与整车能效。

摘要：本发明提供一种高量子效率的影像传感器的制造方法，其是于利用无边界接触窗制程与互补式金氧半晶体管制程结合的制程进行影像传感器的制造时，于进行自动对准金属硅化物制程之后，且于形成氮化硅或氮氧化硅停止层之前，进行一道微影蚀刻制程，此微影蚀刻制程是用于移除感光区的浅沟槽隔离结构，使感光二极管上方的迭层结构的折射系数由上而下依序递增。此外，本发明并提供一种高量子效率的影像传感器的结构。

摘要：本发明黄瓜抗霜霉病异源易位系CT-01的选育方法，专用于黄瓜抗病育种，利用甜瓜属双二倍体新种与栽培黄瓜亲本“北京截头”回交。通过根尖分生细胞染色体制片技术和抗霜霉病田间接种试验从回交后代中直接筛选染色体数目2n＝14、抗霜霉病的单株，对其自交后代进行跟踪鉴定，获得了一高抗霜霉病的黄瓜异源易位系CT-01。

摘要：本发明是一种具有孔洞的影像感测装置及其制造方法，本发明的影像感测装置包括：具有感测器的一半导体基底，其上形成有至少一第一绝缘层。多个孔洞形成于第一绝缘层中。一第二绝缘层，覆盖第一绝缘层与孔洞，其中第二绝缘层并未填满孔洞。上述孔洞在位于感测器上方的第一绝缘层中形成了中空区，导致更多的光和能量穿越第一绝缘层而到达感测器，因而提升感测器的感测度。

摘要：本发明是提供一种光感测器及其制造方法，所述光感测器具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区位于一对应的沟渠下，每一第二导电型的掺杂区位于对应的第一导电型掺杂区与基板之间，第一导电型或第二导电型的掺杂区皆未延伸到沟渠的角落。本发明提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。

摘要：本发明是关于一种影像感测像素单元、影像感测装置及其制造方法，该影像感测装置包括：一光学感测元件；一晶体管，电性耦接于该光学感测元件，该晶体管具有位于一栅介电层上的一栅电极以及位于该栅电极两侧的多个间隔物，该些间隔物包括位于一缓冲氧化物上的一氮化物；以及一电容，电性耦接于该晶体管与该光学感测元件。本发明所述影像感测像素单元、影像感测装置及其制造方法可有效较低噪声比与较少不明信号。

摘要：本发明提供一互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器。该影像感测器包括一主动式光感测像素阵列于一基底上，各像素的至少一边宽度小于或等于3微米。至少一介电层设置于基底上，覆盖该光感测像素阵列。一彩色滤光层设置于该至少一介电层上。其中，所有该至少一介电层与该彩色滤光层的厚度总和除以该像素的任意一边宽度小于或等于1.87。本发明所述互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器，可避免感测影像的失真、提升感测像素的分辨率，以及致使增加感测像素对应色彩的饱和度。

摘要：本发明公开了一种用于油井防腐、防垢、防蜡缓释颗粒的制备方法。该方法是将羟基亚乙基二磷酸二钠35～50％，苯并三氮唑15～35％、乙烯-醋酸乙烯共聚物15～35％、聚乳酸-改性淀粉1～3％、硬脂酸丁酯0.5～10％、发泡剂1～4％、润滑油0.5～4.5％、聚乳酸-聚乙烯醇1～3％加入到高混机中室温下搅拌3～5分钟混合均匀，经自动传料机将物料加入双螺杆挤出机进行混炼，混炼成熟的物料进入单螺杆挤出机挤出切粒，切粒经风机冷却传送至一级旋风分离器进行冷却分离，进入振荡筛，筛分得到产品。该防垢及防蜡缓释颗粒能够有效解决油田生产中油井结垢与结蜡问题，生产过程中的不合格产品可重新加工，生产过程无废弃物。

摘要：本发明涉及一种光电元件与制程，该光电元件包含：基板；位于基板内的一区域，此区域的材料与该基板材料不同；以及以离子植入法形成于该基板区域中的光二极管。该区域的材料例如为锗化硅(Si1-xGex)或碳化硅(Si1-yCy)，其中0＜x、y＜1。该制程包含：提供一个基板；蚀刻该基板中的一区域；以一材料填入该区域中，该材料与该基板材料不同；以及于该基板区域中以离子植入法形成光二极管。