摘要：本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括：将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括：在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。

摘要：本发明提供了标准片及其制作方法、半导体材料缺陷校正方法及量测设备的校正方法，属于半导体领域。该半导体材料缺陷校正方法包括提供一标准片，获取每一种尺寸的标准颗粒对应的散射信号强度，以建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。获取半导体材料的缺陷颗粒的散射信号强度，基于函数关系，获取缺陷颗粒的修正尺寸。获取半导体材料缺陷颗粒的目标尺寸。本发明通过制作具有标准颗粒的标准片，然后建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。最后，通过获取半导体材料缺陷颗粒的散射信号强度，并基于函数关系，以获取缺陷颗粒的修正尺寸。从而能够将目标尺寸与修正尺寸进行对比校正，提高了缺陷检测的准确度。

摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种虚拟参考片生成方法、氧浓度量测方法及可读存储介质，所述虚拟参考片生成方法包括以下步骤：S1：通过傅里叶变换分光分析法测定物理参考片的红外吸收光谱曲线；S2：选取红外吸收光谱曲线中吸收峰对应的波段；S3：重新拟合所述红外吸收光谱曲线，以使得拟合后的红外吸收光谱曲线对应于所述波段位置的曲线峰值小于所述吸收峰，将拟合后的红外吸收光谱曲线作为虚拟参考片的红外吸收光谱曲线。该虚拟参考片可以消除物理参考片中少量氧对检测精度的影响，以提高检测精度。

摘要：本发明提供一种晶棒翻转小车，包括：车身、晶棒固定机构、换向翻转机构及转动机构，所述晶棒固定机构固定在所述车身的顶部，所述晶棒固定机构与所述换向翻转机构固定连接，所述转动机构与所述换向翻转机构传动连接，通过转动所述转动机构带动所述换向翻转机构翻转固定在所述晶棒固定机构上的晶棒。本发明提供的晶棒翻转小车，操作过程安全简单，翻转过程中晶棒不会直接与地面或其他硬物接触，避免了晶棒因受力不均匀而导致隐裂异常，保证了晶棒的品质，节省了人力，提高了效率。

摘要：本发明提供一种晶棒切割装置和方法。所述装置包括：晶棒支撑装置，所述晶棒支撑装置用以支撑晶棒；切割线供给装置，所述切割线供给装置包括用以切割所述晶棒形成薄片状晶圆的切割线；以及切割缓冲装置，所述切割缓冲装置设置在所述晶棒的外周面上与所述切割线相对的位置，用以对所述切割线接触所述晶棒时起进行缓冲。根据本发明的晶棒切割装置和方法，通过在切割线供给装置的切割线与晶棒表面之间设置切割缓冲装置，解决了晶棒切割后形成的晶圆因为切割线的抖动和热量突变产生的晶圆翘曲，达到稳定切割的目的。

摘要：本发明提供一种晶圆的边缘粗糙度的测量方法及装置，所述测量方法包括：将光束照射到晶圆的边缘发生散射，所述散射的光线经设置于所述晶圆的上下两侧的反射镜反射后聚集在光电传感器上；所述光电传感器采集到所述晶圆的边缘的散射光信号；对所述散射光信号进行傅立叶变换，获得所述晶圆的边缘粗糙度。本发明的测量方法简洁快速，无需切割样品的额外操作，无毁坏性不影响产量，能测试晶圆整个周圈的边缘粗糙度。

摘要：一种晶粒尺寸的测量方法及装置，该晶粒尺寸的测量方法包括：获取待测量的多晶体的多晶表面图像；采集多晶表面图像的设定采样线上的灰度值数据，其中，设定采样线跨越多晶表面图像的多个晶粒区域；对灰度值数据进行傅里叶变换，得到灰度值数据对应的傅里叶数据；基于傅里叶数据，确定多晶体的特征晶粒尺寸。能够有效且准确地分析出多晶体的特征晶粒尺寸。

摘要：本发明提供一种硅中深能级复合中心的测量方法，提供一衬底，衬底中包括掺杂离子和深能级复合中心；形成外延层，外延层位于衬底上，外延层和衬底的掺杂类型相同且外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度，以及衬底中的深能级复合中心完全扩散至外延层中；制备肖特基结；测量肖特基结的深能级瞬态谱，以同时获取衬底中的深能级复合中心的能级、浓度和俘获截面。本发明突破DLTS技术无法直接测量重掺衬底材料的限制，通过设计生长轻掺外延层，将重掺衬底中的深能级复合中心充分引入至轻掺外延层，从而实现对重掺衬底中痕量深能级复合中心的高灵敏、准确定量的电学表征。

摘要：本申请提供一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器，衬底应用于CMOS图像传感器，制造方法包括：提供本体衬底，本体衬底具有相对的第一表面和第二表面，其中本体衬底中含有金属杂质；在第一表面沉积形成第一多晶硅层，在第二表面沉积形成第二多晶硅层，通过第一多晶硅层和第二多晶硅层吸附本体衬底中的至少部分金属杂质；去除全部第一多晶硅层和第二多晶硅层以及部分本体衬底。本申请通过在本体衬底的双面分别沉积多晶硅层，利用多晶硅的晶界和缺陷丰富的结构，提高高能吸附位点，将本体衬底中的金属杂质迁移到多晶硅层并封存，然后去除吸杂后的多晶硅层，从而达到有效的吸杂效果，保障器件的品质。

摘要：本发明公开了一种应力检测系统和方法，该系统包括：主动激励磁场模块，所述主动激励磁场模块包括激励线圈组，所述激励线圈组用于在通电后产生激励磁场，所述激励磁场用于和被测试样形成闭合磁路；磁感应模块，所述磁感应模块包括感应线圈组，所述感应线圈组用于在闭合磁路经过后产生感应电压数值；多维磁场检测模块，所述多维磁场检测模块用于在闭合磁路经过后产生多维磁场数值；应力计算模块，所述应力计算模块用于根据感应电压值和多维磁场数值，计算被测试样的目标应力信息。本发明可以实现管道应力的准确、全面、非接触和连续检测，操作简便、响应速度快，可以更好地适应复杂的工程环境和应力检测需求，为管道安全运行提供可靠的技术支持。