摘要：本发明涉及一种定容内燃式超临界流体氧化装置及其氧化方法。是由燃料输入管、氧化剂输入管穿过反应器外壳、无机聚合物和反应器内胆与反应器内腔相通，相分离器的下部装有排出管和安全阀，反应器内腔中装有上部温度计、下部温度计和压力计构成。由于反应器是定容内燃式加热加压，容易添加各种反应调整剂，降低了能耗，无害化处理了有害有机物，彻底解决了现有超临界水氧化技术中的反应器内壁面材料腐蚀过快；反应流路和反应器内壁盐的附着；设备成本和运行成本过高等问题。这是现有超临界水氧化处理技术所不具备的。与现有技术相比，本发明具有反应器结构简单，处理范围广，效率高，无二次污染，节省能源，无机盐易分离等优点。

摘要：本发明涉及一种利用高压低温流体发电及回收低品位废热和冷却压缩机进口气体的方法和系统，能有效利用高压低温流体能量发电，同时回收低品位废热及冷却压缩机进口气体进一步显著降低压缩机的功耗。该方法包括膨胀发电过程、回收低品位废热过程和冷却压缩机进口气体过程。该系统的膨胀机与发电装置连接；发电装置与电力输出装置连接；冷却换热器，预热换热器，泵依次设置在冷却环路中；冷却换热器中的流体和预热换热器中的流体换热，冷却换热器中的流体把热量传递给预热换热器中的流体；换热机构的预热换热器与膨胀发电机构的膨胀机连接。

摘要：本发明涉及一种基于超临界流体的变压器及全周期管理方法，将超临界流体应用于变压器，利用其高渗透性、高热传导性和高绝缘性，避免出现导热真空，使得变压器系统出现局部高温热点的概率降低，即使出现局部高温热点，由于超临界流体的超高热传导性、强内部湍流(均一性)，能够使得高温热点的温度迅速传导到控温装置的温度测点和压力测点，并迅速采取措施保障变压器的安全，解决了传统变压器理论和实践都难以解决的局部高温热点控制、温度测点布置、温度监控等诸多难题。

摘要：本发明涉及电力系统控制技术领域，尤其涉及基于近临界二氧化碳的气体绝缘封闭开关系统与控制方法。其技术方案包括：气体绝缘封闭电器本体，气体绝缘封闭电器本体内填充二氧化碳介质；控制系统，用于调节气体绝缘封闭电器本体中二氧化碳的温度和压力；温度压力测量装置，用于监控气体绝缘封闭电器本体中的二氧化碳的温度和压力；包括设置于气体绝缘封闭电器本体的断路器，用于控制电路的启闭。本发明利用近临界二氧化碳所具有的高散热性能，能够快速有效地熄灭断路器分、合过程中产生的电弧，灭弧效果优于SF6，且二氧化碳是一种无毒、无味、化学惰性、电绝缘、不污染环境的气体，即使发生泄漏，也不会对运行人员造成伤害。

摘要：本发明涉及氢燃烧系统技术领域，公开了基于二氧化碳作为循环工质的氢燃烧系统。其技术方案包括原动机系统装置，氢气作为燃料在原动机系统装置内燃烧，燃烧后产生高温烟气，所述高温烟气的成分为微量氧气、二氧化碳和水；还包括与原动机系统装置连接的余热利用装置、气液分离器、烟气分析装置和第一气体混合器，第一气体混合器具有二氧化碳和氧气进入口，用于通入二氧化碳和氧气并与分离后的烟气混合，以调节氧气和二氧化碳的配比，生成循环烟气，将循环烟气导入原动机系统装置的进气端以与氢气混合燃烧。本发明基于以二氧化碳作为循环工质，不改变现有燃气轮机发电机组和燃气内燃机发电机组的构造，实现氢能的高效、低成本、高规模化利用。

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有第一材料层、覆盖至少部分基底表面以及第一材料层侧壁表面的第二材料层、与第一材料层表面齐平的第三材料层；形成具有第一开口的掩膜层，第一开口暴露出第一材料层表面以及覆盖第一材料层侧壁的第二材料层的部分表面；沿第一开口刻蚀部分厚度的第一材料层和第二材料层，第二材料层的刻蚀速率大于第一材料层的刻蚀速率；刻蚀掩膜层，形成第二开口，第二开口完全暴露出剩余的第一材料层和第一材料层侧壁表面的第二材料层；沿第二开口刻蚀剩余的第一材料层和第二材料层至基底表面，形成凹槽，凹槽两侧的第三材料层和第二材料层侧壁齐平。上述方法可以提高形成的半导体结构的性能。

摘要：本发明提供一种MEMS器件的形成方法，包括：在半导体基底上形成第一牺牲层后，在第一牺牲层上形成阻挡层，之后在阻挡层上形成悬臂梁层，并以阻挡层为停止层，在悬臂梁层中形成凹槽；接着在悬臂梁层上方和凹槽的底部和侧壁形成第二牺牲层后，在第二牺牲层上形成露出凹槽的掩模层，并以掩模层为掩模，去除凹槽底部的第二牺牲层，其中，在以掩模层为掩模去除凹槽底部牺牲层的过程中，阻挡层可保护第一牺牲层免受损伤；在去除凹槽底部的第二牺牲层之后，继续以掩模层为掩模，去除凹槽底部的阻挡层和第一牺牲层至露出半导体基底，从而提高去除凹槽底部的第一牺牲层的针对性，以提高第一牺牲层在结构精度，进而提高后续形成的MEMS器件的性能。

摘要：本申请公开了一种悬臂梁的制作方法、悬臂梁及MEMS器件。其中，该制作方法包括：在半导体基体上形成厚度相同且相连设置的第一悬臂梁材料和牺牲材料；在第一悬臂梁材料和牺牲材料上形成第二悬臂梁材料；刻蚀第一悬臂梁材料对应区域的第二悬臂梁材料和第一悬臂梁材料，以在第二悬臂梁材料和第一悬臂梁材料中形成通孔；在通孔中填充金属材料；去除牺牲材料。该制作方法有效地降低悬臂梁根部的弯曲转矩，进而降低了悬臂梁的根部发生断裂的风险，并延长了悬臂梁的使用寿命。

摘要：本发明提供一种MEMS器件及其形成方法。MEMS器件包括半导体基底、形成于半导体基底表面的凹槽和位于半导体基底上的悬臂梁。悬臂梁的悬空端悬空在半导体基底凹槽的上方，固定端固定在半导体基底表面；在悬臂梁的固定端上，由靠近凹槽至远离凹槽方向上至少设有两根固定齿，固定齿嵌于半导体基底表面以将悬臂梁固定在半导体基底内。使用时，悬臂梁的悬空端振动后，所产生的力分散至各个固定齿上，各个固定齿与半导体基底间形成多个受力点，且固定齿之间形成牵制，从而降低悬臂梁固定端出现振动，且可降低悬臂梁悬空端振动引起的力集中在固定端一个点上而致使该点受力过大而引起悬臂梁断裂的几率，提高悬臂梁的韧性，以及稳定性。

摘要：本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有牺牲材料层，在所述牺牲材料层中形成有延伸到所述基底中的第一沟槽；步骤S2：在所述牺牲材料层和所述第一沟槽中形成主悬梁臂材料层并图案化，以形成主悬梁臂；步骤S3：继续沉积所述牺牲材料层，以覆盖所述主悬梁臂；步骤S4：图案化所述牺牲材料层和所述基底，以在所述第一沟槽的一侧形成第二沟槽；步骤S5：在所述牺牲材料层上和所述第二沟槽中形成副悬梁臂，以覆盖所述牺牲材料层；步骤S6：去除所述牺牲材料层，以形成空腔。本发明所述MEMS器件中当主悬臂梁产生过载时，副悬臂梁的设计，可以适当起到缓冲与支撑作用，保护悬臂梁根部防止断裂。